計算機組成原理白中英版課件

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1、3.1 3.1 存儲器概述存儲器概述3.2 3.2 隨機讀寫存儲器隨機讀寫存儲器3.3 3.3 只讀存儲器和閃速存儲器只讀存儲器和閃速存儲器 3.4 3.4 高速存儲器高速存儲器3.5 3.5 cachecache存儲器存儲器 3.6 3.6 虛擬存儲器虛擬存儲器3.7 3.7 存儲保護存儲保護 第第3章章 存儲系統(tǒng)存儲系統(tǒng)3.1 存儲器概述存儲器概述v存儲器的兩大功能：存儲器的兩大功能： 1、 存儲（寫入存儲（寫入Write） 2、 取出（讀出取出（讀出Read）v三項基本要求：三項基本要求： 1、大容量、大容量 2、高速度、高速度 3、低成本、低成本3.1 存儲器概述存儲器概述v概念概念1

2、、基本存儲單元基本存儲單元：存儲一位（：存儲一位（bit）二進制代）二進制代碼的存儲元件稱為基本存儲單元（或存儲元）碼的存儲元件稱為基本存儲單元（或存儲元）2、存儲單元存儲單元：主存中最小可編址的單位，是：主存中最小可編址的單位，是CPU對主存可訪問操作的最小單位。對主存可訪問操作的最小單位。3、存儲器存儲器：多個存儲單元按一定規(guī)則組成一：多個存儲單元按一定規(guī)則組成一個整體。個整體。3.1.1 存儲器的分類存儲器的分類1. 按存儲介質分類按存儲介質分類2. 按存取方式分類按存取方式分類3. 按存儲器的讀寫功能分類按存儲器的讀寫功能分類4. 按信息的可保存性分類按信息的可保存性分類5. 按在計算

3、機系統(tǒng)中的作用分類按在計算機系統(tǒng)中的作用分類3.1.1 3.1.1 存儲器分類存儲器分類半導體存儲器半導體存儲器：用半導體器件組成的存儲器：用半導體器件組成的存儲器磁表面存儲器磁表面存儲器：用磁性材料做成的存儲器：用磁性材料做成的存儲器 按存儲介質分按存儲介質分 按存儲方式分按存儲方式分 隨機存儲器隨機存儲器：任何存儲單元的內容都能被隨機存取，：任何存儲單元的內容都能被隨機存取，且存取時間和存儲單元的物理位置無關且存取時間和存儲單元的物理位置無關順序存儲器順序存儲器：只能按某種順序來存取，存取時間和存：只能按某種順序來存取，存取時間和存儲單元的物理位置有關儲單元的物理位置有關 按存儲器的讀寫功

4、能分：按存儲器的讀寫功能分：ROMROM，RAMRAM 按信息的可保存性分：按信息的可保存性分：非永久記憶，永久記憶非永久記憶，永久記憶 按在計算機系統(tǒng)中的作用分：按在計算機系統(tǒng)中的作用分：主存、輔存、高速緩存、控制存儲器主存、輔存、高速緩存、控制存儲器計算機組成原理計算機組成原理3.1.2 存儲器的分級結構虛擬存儲器虛擬存儲器v寄存器寄存器微處理器內部的存儲單元微處理器內部的存儲單元v高速緩存（高速緩存（Cache）完全用硬件實現(xiàn)主存儲器的速度提高完全用硬件實現(xiàn)主存儲器的速度提高v主存儲器主存儲器存放當前運行程序和數(shù)據(jù)，采用半導體存儲器構存放當前運行程序和數(shù)據(jù)，采用半導體存儲器構成成v輔助存

5、儲器輔助存儲器磁記錄或光記錄方式磁記錄或光記錄方式磁盤或光盤形式存放可讀可寫或只讀內容磁盤或光盤形式存放可讀可寫或只讀內容以外設方式連接和訪問以外設方式連接和訪問計算機組成原理計算機組成原理3.1.3 主存儲器的技術指標l存儲容量存儲容量主存存儲容量：以字節(jié)主存存儲容量：以字節(jié)B B（ByteByte）為基本單位）為基本單位半導體存儲器芯片：以位半導體存儲器芯片：以位b b （BitBit）為基本單位）為基本單位存儲容量以存儲容量以2 2101010241024規(guī)律表達規(guī)律表達KBKB，MBMB，GBGB和和TBTB廠商常以廠商常以10103 310001000規(guī)律表達規(guī)律表達KBKB，MBM

6、B，GBGB和和TBTBl存取時間（訪問時間）存取時間（訪問時間）發(fā)出讀發(fā)出讀/ /寫命令到數(shù)據(jù)傳輸操作完成所經歷的時間寫命令到數(shù)據(jù)傳輸操作完成所經歷的時間l存取周期存取周期兩次存儲器訪問所允許的最小時間間隔兩次存儲器訪問所允許的最小時間間隔存取周期大于等于存取時間存取周期大于等于存取時間l存儲器帶寬（數(shù)據(jù)傳輸速率）存儲器帶寬（數(shù)據(jù)傳輸速率）單位時間里存儲器所存取的信息量單位時間里存儲器所存取的信息量計算機組成原理計算機組成原理3.2 隨機讀寫存儲器lSRAMSRAM（靜態(tài)（靜態(tài)RAMRAM：Static RAMStatic RAM）以觸發(fā)器為基本存儲單元以觸發(fā)器為基本存儲單元不需要額外的刷新

7、電路不需要額外的刷新電路速度快，但集成度低，功耗和價格較高速度快，但集成度低，功耗和價格較高lDRAMDRAM（動態(tài)（動態(tài)RAMRAM：Dynamic RAMDynamic RAM）以單個以單個MOSMOS管為基本存儲單元管為基本存儲單元要不斷進行刷新（要不斷進行刷新（RefreshRefresh）操作）操作集成度高、價格低、功耗小，但速度較集成度高、價格低、功耗小，但速度較SRAMSRAM慢慢計算機組成原理計算機組成原理3.2.1 SRAM存儲器l6 6個開關管組成一個存儲元，存儲一位信息個開關管組成一個存儲元，存儲一位信息lN(=1/4/8/16/32)N(=1/4/8/16/32)個存儲

8、元組成一個存儲單元個存儲元組成一個存儲單元l存儲器芯片的大量存儲單元構成存儲體存儲器芯片的大量存儲單元構成存儲體l存儲器芯片結構：存儲器芯片結構：存儲單元數(shù)存儲單元數(shù)每個存儲單元的數(shù)據(jù)位數(shù)每個存儲單元的數(shù)據(jù)位數(shù) 2 2M MN N芯片的存儲容量芯片的存儲容量lM M芯片地址線的個數(shù)芯片地址線的個數(shù)lN N數(shù)據(jù)線的個數(shù)數(shù)據(jù)線的個數(shù)存儲結構存儲結構2K816K位存儲容量位存儲容量11個地址引腳個地址引腳8個數(shù)據(jù)引腳個數(shù)據(jù)引腳計算機組成原理計算機組成原理SRAM的控制信號l片選片選（CSCS* *或或CECE* *）片選有效，才可以對芯片進行讀片選有效，才可以對芯片進行讀/ /寫操作寫操作無效時，數(shù)

9、據(jù)引腳呈現(xiàn)高阻狀態(tài)，并可降低功耗無效時，數(shù)據(jù)引腳呈現(xiàn)高阻狀態(tài)，并可降低功耗 l讀控制讀控制（OEOE* *）芯片被選中有效，數(shù)據(jù)輸出到數(shù)據(jù)引腳芯片被選中有效，數(shù)據(jù)輸出到數(shù)據(jù)引腳對應存儲器讀對應存儲器讀MEMRMEMR* *l寫控制寫控制（WEWE* *）芯片被選中的前提下，若有效，將數(shù)據(jù)寫入芯片被選中的前提下，若有效，將數(shù)據(jù)寫入對應存儲器寫對應存儲器寫MEMWMEMW* * SRAM 2114計算機組成原理計算機組成原理靜態(tài)MOS存儲器l基本存儲元基本存儲元66管靜態(tài)管靜態(tài)MOSMOS存儲元存儲元A A、電路圖：、電路圖：由兩個由兩個MOSMOS反相器交叉耦合而成的雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器。反相器交叉耦合

10、而成的雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器。BAT5T4T3T1T2T6BS0VBS1讀/寫“0”讀/寫“1”位/讀出線位/讀出線字線 6管MOS存儲電路計算機組成原理計算機組成原理讀/寫“0”BAT2T5T4T0T1I/OI/OT7T6T3BS0VBS1讀/寫“1”位/讀出線位/讀出線Y選擇線X選擇線 6管雙向選擇MOS存儲電路基本存儲元基本存儲元6管雙向選擇管雙向選擇MOS存儲元存儲元在縱向一列上的在縱向一列上的6管存儲元共用一對管存儲元共用一對Y選擇控制管選擇控制管T6 、T7 ，這樣存儲體管子增加不多，但是雙向地址譯碼選擇，這樣存儲體管子增加不多，但是雙向地址譯碼選擇，因為對選擇線選中的一列只是一對控制管接通

11、，只有因為對選擇線選中的一列只是一對控制管接通，只有X選選擇線也被選中，該位才被重合選中。擇線也被選中，該位才被重合選中。計算機組成原理計算機組成原理靜態(tài)MOS存儲器基本存儲元基本存儲元66管靜態(tài)管靜態(tài)MOSMOS存儲元存儲元B B、存儲元的工作原理、存儲元的工作原理寫操作。在字線上加一個正電壓的字脈沖，使寫操作。在字線上加一個正電壓的字脈沖，使T T2 2 、T T3 3 管導通。管導通。若要寫若要寫“0”0”，無論該位存儲元電路原存何種狀態(tài)，只需使寫，無論該位存儲元電路原存何種狀態(tài)，只需使寫“0”0”的位線的位線BSBS0 0 電壓降為地電位（加負電壓的位脈沖），經電壓降為地電位（加負電壓

12、的位脈沖），經導通的導通的2 2 管，迫使節(jié)點的電位等于地電位，就能使管，迫使節(jié)點的電位等于地電位，就能使1 1 管管截止而截止而0 0 管導通。寫入管導通。寫入1 1，只需使寫，只需使寫1 1的位線的位線BSBS1 1 降為地電位，降為地電位，經導通的經導通的T T3 3 管傳給節(jié)點，迫使管傳給節(jié)點，迫使T T0 0 管截止而管截止而T T1 1 管導通。管導通。寫入過程是字線上的字脈沖和位線上的位脈沖相重合的操作寫入過程是字線上的字脈沖和位線上的位脈沖相重合的操作過程。過程。計算機組成原理計算機組成原理靜態(tài)MOS存儲器基本存儲元基本存儲元66管靜態(tài)管靜態(tài)MOSMOS存儲元存儲元B B、存儲

13、元的工作原理、存儲元的工作原理讀操作。讀操作。只需字線上加高電位的字脈沖，使只需字線上加高電位的字脈沖，使T T2 2 、T T3 3 管導通，把節(jié)管導通，把節(jié)點點A A、B B分別連到位線。若該位存儲電路原存分別連到位線。若該位存儲電路原存“0”0”，節(jié)點是，節(jié)點是低電位，經一外加負載而接在位線低電位，經一外加負載而接在位線0 0 上的外加電源，就會上的外加電源，就會產生一個流入產生一個流入BSBS0 0 線的小電流（流向節(jié)點經線的小電流（流向節(jié)點經T T0 0 導通管入導通管入地）。地）?！?”0”位線上位線上BSBS0 0 就從平時的高電位下降一個很小的就從平時的高電位下降一個很小的電壓

14、，經差動放大器檢測出電壓，經差動放大器檢測出“”信號。信號。若該位原存若該位原存“1”1”，就會在，就會在“1”1”位線位線BSBS1 1 中流入電流，在中流入電流，在 BSBS1 1 位線上產生電壓降，經差動放大器檢測出讀位線上產生電壓降，經差動放大器檢測出讀“1”1”信號。信號。讀出過程中，位線變成了讀出線。讀取信息不影響觸發(fā)器讀出過程中，位線變成了讀出線。讀取信息不影響觸發(fā)器原來狀態(tài)，故讀出是非破壞性的讀出。原來狀態(tài)，故讀出是非破壞性的讀出。若字線不加正脈沖，說明此存儲元沒有選中，若字線不加正脈沖，說明此存儲元沒有選中，T T2 2 ，T T3 3 管截止，管截止，A A、B B結點與位

15、讀出線隔離，存儲元存儲并保存原存信息。結點與位讀出線隔離，存儲元存儲并保存原存信息。計算機組成原理計算機組成原理計算機組成原理計算機組成原理靜態(tài)MOS存儲器lRAMRAM結構與地址譯碼結構與地址譯碼字結構或單譯碼方式字結構或單譯碼方式（1 1）結構：）結構： (A) (A) 存儲容量存儲容量= =行行b b列；列； (B) (B) 陣列的每一行對應一個字，有一根公用的字選擇線；陣列的每一行對應一個字，有一根公用的字選擇線； (C) (C) 每一列對應字線中的一位，有兩根公用的位線每一列對應字線中的一位，有兩根公用的位線BSBS0 0 與與BSBS1 1 。 (D) (D) 存儲器的地址不分組，

16、只用一組地址譯碼器。存儲器的地址不分組，只用一組地址譯碼器。（2 2）字結構是）字結構是2 2度存儲器：只需使用具有兩個功能端的基本存儲電路：字度存儲器：只需使用具有兩個功能端的基本存儲電路：字線和位線線和位線（3 3）優(yōu)點：結構簡單，速度快：適用于小容量）優(yōu)點：結構簡單，速度快：適用于小容量M M（4 4）缺點：外圍電路多、成本昂貴，結構不合理結構。）缺點：外圍電路多、成本昂貴，結構不合理結構。計算機組成原理計算機組成原理靜態(tài)MOS存儲器地址寫選通b7讀出寫入讀選通A3A2A1A0字線W15W1W0BS1BS0字結構或單譯碼方式的RAM16選 1地址譯碼器FFFFFFFFFFFFFFFFFF

17、讀寫電路讀寫電路讀寫電路：b1讀出寫入b0讀出寫入計算機組成原理計算機組成原理靜態(tài)MOS存儲器lRAMRAM結構與地址譯碼結構與地址譯碼位結構或雙譯碼方式位結構或雙譯碼方式l （1 1） 結構：結構： (A) (A) 容量：容量：N N（字）（字）b b（位）的（位）的RAMRAM，把每個字的同一位組織在一個，把每個字的同一位組織在一個存儲片上，每片是存儲片上，每片是N N1 1；再把；再把b b 片并列連接，組成一個片并列連接，組成一個N Nb b的存儲體，就的存儲體，就構成一個位結構的存儲器。構成一個位結構的存儲器。 (B) (B) 在每一個在每一個N N1 1存儲片中，字數(shù)被當作基本存儲

18、電路的個數(shù)。存儲片中，字數(shù)被當作基本存儲電路的個數(shù)。若把若把N Nn n 個基本存儲電路排列成個基本存儲電路排列成N Nx x行與行與N Ny y列的存儲陣列，把列的存儲陣列，把CPUCPU送來的送來的n n位選擇地址按行和列兩個方向劃分成位選擇地址按行和列兩個方向劃分成n nx x 和和n ny y 兩組，經行和列方兩組，經行和列方 向譯碼器，向譯碼器，分別選擇驅動行線與列線。分別選擇驅動行線與列線。 (C) (C) 采用雙譯碼結構，可以減少選擇線的數(shù)目。采用雙譯碼結構，可以減少選擇線的數(shù)目。 （2 2）優(yōu)：驅動電路節(jié)省，結構合理，適用于大容量存儲器。）優(yōu)：驅動電路節(jié)省，結構合理，適用于大容

19、量存儲器。計算機組成原理計算機組成原理靜態(tài)MOS存儲器Y1Y64X64X1A5A4A3A2A1A0位結構雙譯碼方式的RAMX地址譯碼64, 164, 64 1, 64 1, 1 I/O Y地址譯碼A6A7A8A9A10A11計算機組成原理計算機組成原理靜態(tài)MOS存儲器l用靜態(tài)用靜態(tài)MOSMOS存儲片組成存儲片組成RAMRAM 位擴展法：位擴展法： 例如：用例如：用8 8的的RAMRAM存儲芯片，組成存儲芯片，組成8K8K8 8位的存儲器，按位的存儲器，按8 8位位m m1 1的關系來確定位擴展所需要的芯片數(shù)。共需的關系來確定位擴展所需要的芯片數(shù)。共需8 8片，每一芯片的數(shù)據(jù)線片，每一芯片的數(shù)據(jù)

20、線分別接到數(shù)據(jù)總線的相應位。分別接到數(shù)據(jù)總線的相應位。 字擴展法：字擴展法： 字擴展：字向擴展而位數(shù)不變，將芯片的地址線、數(shù)據(jù)線、讀寫控制字擴展：字向擴展而位數(shù)不變，將芯片的地址線、數(shù)據(jù)線、讀寫控制線并聯(lián)，而由片選信號來區(qū)分各片地址。線并聯(lián)，而由片選信號來區(qū)分各片地址。 例如：用例如：用16k16k8 8位的芯片采用字擴展法組成位的芯片采用字擴展法組成64k64k8 8位的存儲器：位的存儲器：4 4個芯個芯片。片。 地址分配：地址總線低位地址地址分配：地址總線低位地址A A0 0A A1313與各芯片的與各芯片的1414位地址端相連，而位地址端相連，而高兩位的地址高兩位的地址A A1414、A

21、 A1515經經2 2：4 4譯碼器和譯碼器和4 4個芯片的片選端個芯片的片選端CECE相連。相連。計算機組成原理計算機組成原理靜態(tài)MOS存儲器l用靜態(tài)用靜態(tài)MOSMOS存儲片組成存儲片組成RAMRAMl字位同時擴展法：字位同時擴展法：一個存儲器的容量假定為一個存儲器的容量假定為M MN N位，若使用位，若使用l lk k位的芯片（位的芯片（l lM,kM,kN N）需）需要在字向和位向同時進行擴展。此時共需要（要在字向和位向同時進行擴展。此時共需要（M Ml l）（N Nk k）個存）個存儲器芯片。儲器芯片。 其中，其中，M Ml l表示把表示把M MN N的空間分成（的空間分成（M Ml

22、l）個部分（稱為頁或區(qū)），）個部分（稱為頁或區(qū)），每頁（每頁（N Nk k）個芯片。）個芯片。 地址分配：地址分配： （A A）用）用loglog2 2 l l位表示低位地址：用來選擇訪問頁內的位表示低位地址：用來選擇訪問頁內的l l個字個字 （B B） 用用loglog2 2（M Ml l）位表示高位地址：用來經片選譯碼器產生片）位表示高位地址：用來經片選譯碼器產生片選信號。選信號。 CPUCPU對存儲器進行讀對存儲器進行讀/ /寫操作，首先由地址總寫操作，首先由地址總線給出地址信號，然后要對存儲器發(fā)出讀操作或線給出地址信號，然后要對存儲器發(fā)出讀操作或寫操作的控制信號，最后在數(shù)據(jù)總線上進行信

23、息寫操作的控制信號，最后在數(shù)據(jù)總線上進行信息交流。所以，存儲器與交流。所以，存儲器與CPUCPU之間，要完成之間，要完成: : 地址線的連接；地址線的連接； 數(shù)據(jù)線的連接；數(shù)據(jù)線的連接； 控制線的連接?？刂凭€的連接。 存儲器芯片的容量是有限的存儲器芯片的容量是有限的, ,為了滿足實際存為了滿足實際存儲器的容量要求，需要對存儲器進行擴展。儲器的容量要求，需要對存儲器進行擴展。存儲器與存儲器與CPUCPU連接連接 8K8K1 1位擴展組成的位擴展組成的8K8K8 RAM8 RAM 8 7 6 5 4 3 2 8k1 中央中央處理器處理器 CPU A0 A12 D0 : : D7位擴展法位擴展法：只

24、加長每個存儲單元的字長，：只加長每個存儲單元的字長，而不增加存儲單元的數(shù)量而不增加存儲單元的數(shù)量 A15 A14CPU A0 A13 A13 WE D0D7 2:4譯碼器譯碼器 CE CE16K8WE CE16K8WE CE16K8WEWE CE16K8WE16K16K8 8字擴展法組成字擴展法組成64K64K8 RAM8 RAM11100100字擴展法字擴展法：僅增加存儲單元的數(shù)量，而各：僅增加存儲單元的數(shù)量，而各單元的位數(shù)不變單元的位數(shù)不變字位同時擴展：字位同時擴展：21142114存儲芯片存儲芯片1K1K4 4擴展成擴展成2K2K8 8存儲器存儲器 D4-D7 D3-D0 A0 A1 A

25、9 WE CPU A10 2114CS R/W 2114CS R/W 2114CS R/W 2114CS R/W 字位同時擴展法字位同時擴展法：既增加存儲單元的數(shù)量，：既增加存儲單元的數(shù)量，也加長各單元的位數(shù)也加長各單元的位數(shù)存儲器系統(tǒng)的存儲容量：存儲器系統(tǒng)的存儲容量： M MN N位位使用芯片的存儲容量：使用芯片的存儲容量：L LK K位位(LM(LM，KN)KN)需要存儲器芯片個數(shù)：需要存儲器芯片個數(shù)：(M(MN)/(LN)/(LK)K) 例例 ： 利用利用2K2K4 4位的存儲芯片，組成位的存儲芯片，組成16K16K8 8位的存位的存儲器，共需要多少塊芯片？儲器，共需要多少塊芯片？ 解解

26、 ：（：（16K16K8 8）/ /（2K2K4 4）8 82 21616即：共需即：共需1616塊芯片。塊芯片。( (既需要位擴展，又需要字擴展既需要位擴展，又需要字擴展） 又例又例 ：利用：利用1K1K4 4位的存儲芯片，組成位的存儲芯片，組成2K2K8 8位的存位的存儲器，共需要芯片數(shù)：儲器，共需要芯片數(shù)： （2K2K8 8）/ /（1K1K4 4）= 2= 22=42=4字、位同時擴展法: 計算機是一個有計算機是一個有嚴格時序控制嚴格時序控制要求的機器。與要求的機器。與CPUCPU連連接時接時,CPU,CPU的控制信號與存儲器的讀、寫周期之間的配的控制信號與存儲器的讀、寫周期之間的配合

27、問題是非常重要的。合問題是非常重要的。注意注意: : 讀出時間與讀周期是兩個不同的概念。讀出時間與讀周期是兩個不同的概念。 讀出時間讀出時間：是指從是指從CPUCPU給出有效地址開始，到外部數(shù)給出有效地址開始，到外部數(shù)據(jù)總線上穩(wěn)定地出現(xiàn)所讀出的數(shù)據(jù)信息所經歷的時間。據(jù)總線上穩(wěn)定地出現(xiàn)所讀出的數(shù)據(jù)信息所經歷的時間。 讀周期時間讀周期時間：則是指對存儲片進行則是指對存儲片進行兩次連續(xù)讀操作兩次連續(xù)讀操作時所必須間隔的時間。時所必須間隔的時間。 顯然總有：顯然總有：讀周期讀周期 讀出時間讀出時間存儲器的讀、寫周期ACSDOUT地址有效地址有效地址失效地址失效片選失效片選失效數(shù)據(jù)有效數(shù)據(jù)有效數(shù)據(jù)穩(wěn)定數(shù)

28、據(jù)穩(wěn)定高阻高阻 靜態(tài)靜態(tài) RAM (2114) 讀讀 時序時序 tAtCOtOHAtOTDtRC片選有效片選有效讀周期讀周期 t tRCRC 地址有效地址有效 下一次地址有效下一次地址有效讀時間讀時間 t tA A 地址有效地址有效數(shù)據(jù)穩(wěn)定數(shù)據(jù)穩(wěn)定 t tCOCO 片選有效片選有效數(shù)據(jù)穩(wěn)定數(shù)據(jù)穩(wěn)定t tOTDOTD 片選失效片選失效輸出高阻輸出高阻t tOHAOHA 地址失效后的地址失效后的數(shù)據(jù)維持時間數(shù)據(jù)維持時間計算機組成原理白中英版ACSWEDOUTDIN靜態(tài)靜態(tài) RAM (2114) 寫寫 時序時序 tWCtWtAWtDWtDHtWR寫周期寫周期 t tWCWC 地址有效地址有效下一次地

29、址有下一次地址有效效寫時間寫時間 t tW W 寫命令寫命令 WEWE 的有效時間的有效時間t tAWAW 地址有效地址有效片選有效的滯后時間片選有效的滯后時間t tWRWR 片選失效片選失效下一次地址有效下一次地址有效t tDW DW 數(shù)據(jù)穩(wěn)定數(shù)據(jù)穩(wěn)定 WE WE 失效失效t tDHDH WE WE 失效后的數(shù)據(jù)維持時間失效后的數(shù)據(jù)維持時間計算機組成原理白中英版計算機組成原理計算機組成原理動態(tài)MOS存儲器l4 4管動態(tài)管動態(tài)M0SM0S存儲元電路存儲元電路在在6 6管靜態(tài)存儲元電路中，信息是存于管靜態(tài)存儲元電路中，信息是存于T T0 0，T T1 1管的柵極電管的柵極電容上，由負載管容上，由

30、負載管T T4 4 ，T T5 5 經外電源給經外電源給T T0 0 ，T T1 1 管柵極電容不管柵極電容不斷地進行充電以補充電容電荷。維持原有信息所需要的電荷斷地進行充電以補充電容電荷。維持原有信息所需要的電荷量。量。由于由于MOSMOS的柵極電阻很高，柵極電容經柵漏（或柵源）的柵極電阻很高，柵極電容經柵漏（或柵源）極間的泄漏電流很小，在一定的時間內（如極間的泄漏電流很小，在一定的時間內（如2ms2ms），存儲的），存儲的信息電荷可以維持住。為了減少管子以提高集成度?？梢匀バ畔㈦姾煽梢跃S持住。為了減少管子以提高集成度。可以去掉補充電荷的負載管和電源，變成掉補充電荷的負載管和電源，變成4 4

31、管動態(tài)存儲元：管動態(tài)存儲元：計算機組成原理計算機組成原理動態(tài)MOS存儲器預充預充VDCDCDVSVSVDDBT3C1C0T1T0T2ADBS1BS0字線選擇4管動態(tài)存儲電路計算機組成原理計算機組成原理動態(tài)MOS存儲器l4 4管動態(tài)管動態(tài)M0SM0S存儲元電路存儲元電路寫入操作：當寫入時，字選擇線加入高電平，打開寫入操作：當寫入時，字選擇線加入高電平，打開T T2 2 、T T3 3 控制管，將控制管，將BSBS0 0 ，BSBS1 1 上的信息存儲在上的信息存儲在T T0 0 、T T1 1 管的柵極電容上。當管的柵極電容上。當T T2 2 、T T3 3 管截止管截止時，靠時，靠T T0 0

32、 、T T1 1 管柵極電容的存儲作用，在一定時間內，（如管柵極電容的存儲作用，在一定時間內，（如2ms2ms）可以）可以保留所寫入的信息。保留所寫入的信息。讀出操作：當讀出時，先給出預充信號，于是電源就向位線的寄生電容讀出操作：當讀出時，先給出預充信號，于是電源就向位線的寄生電容CD CD 充電，使它們都達到電源電壓（充電，使它們都達到電源電壓（C CD D V VD D ），當字選擇線使），當字選擇線使T T2 2 、T T3 3 管導管導通時，存儲的信息通過通時，存儲的信息通過A A、B B端向位線輸出。若原存信息為端向位線輸出。若原存信息為1 1，則電容，則電容C C1 1 上上存有電

33、荷，存有電荷，T T1 1 管導通而管導通而T T0 0 管截止，因此，位線管截止，因此，位線BSBS1 1 的預充電荷經的預充電荷經T T1 1 管泄管泄漏，位線漏，位線BSBS1 1 有讀出電流流過。經讀出放大電路鑒別輸出。與此同時，有讀出電流流過。經讀出放大電路鑒別輸出。與此同時，BSBS0 0 上的預充電荷上的預充電荷C CD D 可以通過可以通過A A點向點向C C1 1 進行充電。故讀出過程也是刷新進行充電。故讀出過程也是刷新過程。過程。再生操作：再生操作： “ “再生再生”或或“刷新刷新”。由于。由于4 4管存儲元的信息電荷有泄漏，電荷數(shù)不管存儲元的信息電荷有泄漏，電荷數(shù)不象象6

34、 6管存儲元電路由電源經負載管源源不斷地補充，時間一長就會丟失信息。必須管存儲元電路由電源經負載管源源不斷地補充，時間一長就會丟失信息。必須設法在外界按一定規(guī)律不斷給柵極進行充電，按需要補足柵極的信息電荷。設法在外界按一定規(guī)律不斷給柵極進行充電，按需要補足柵極的信息電荷。計算機組成原理計算機組成原理動態(tài)MOS存儲器l4 4管動態(tài)管動態(tài)M0SM0S存儲元電路存儲元電路 刷新過程：在字選擇線上加一個脈沖就能實現(xiàn)自動刷新。刷新過程：在字選擇線上加一個脈沖就能實現(xiàn)自動刷新。顯然，只要定時給全部存儲元電路執(zhí)行一遍讀操作，而信顯然，只要定時給全部存儲元電路執(zhí)行一遍讀操作，而信息不向外輸出，那么就可以實現(xiàn)動

35、態(tài)存儲器的再生或刷新。息不向外輸出，那么就可以實現(xiàn)動態(tài)存儲器的再生或刷新。計算機組成原理計算機組成原理動態(tài)MOS存儲器l單管動態(tài)存儲元：單管動態(tài)存儲元：為了進一步縮小存儲器體積，提高集成度，在大容量動態(tài)存儲器中都為了進一步縮小存儲器體積，提高集成度，在大容量動態(tài)存儲器中都采用單管動態(tài)存儲元電路。如圖采用單管動態(tài)存儲元電路。如圖6.206.20存儲元由存儲元由T T1 1和和C CS S構成。構成。寫入時，字選擇線加高電平，使寫入時，字選擇線加高電平，使T T1 1管導通，寫入信息由數(shù)據(jù)線管導通，寫入信息由數(shù)據(jù)線D D（位（位線）存入電容線）存入電容C CS S中。中。讀出時，首先要對數(shù)據(jù)線上的

36、分布電容讀出時，首先要對數(shù)據(jù)線上的分布電容C CD D預充電，再加入字脈沖，使預充電，再加入字脈沖，使1 1管導通，管導通，C CS S與與C CD D上電荷重新分配以達到平衡。根據(jù)動態(tài)平衡的電荷數(shù)多上電荷重新分配以達到平衡。根據(jù)動態(tài)平衡的電荷數(shù)多少來判斷原存信息是或，因此，每次讀出后，存儲內容就被破壞。是少來判斷原存信息是或，因此，每次讀出后，存儲內容就被破壞。是破壞性讀出，必須采取措施，以便再生原存信息。破壞性讀出，必須采取措施，以便再生原存信息。動態(tài)動態(tài)MOSMOS隨機存儲芯片的組成大體與靜態(tài)隨機存儲芯片的組成大體與靜態(tài)MOSMOS隨機芯片相似，由存儲體隨機芯片相似，由存儲體和外圍電路組

37、成，但外圍電路由于再生操作要復雜得多。和外圍電路組成，但外圍電路由于再生操作要復雜得多。計算機組成原理計算機組成原理動態(tài)MOS存儲器DCDCST1數(shù)據(jù)線字選擇線單管動態(tài)存儲電路計算機組成原理計算機組成原理動態(tài)存儲器的刷新（Refresh）刷新的定義和原因刷新的定義和原因1 1、定義、定義 定期向電容補充電荷定期向電容補充電荷原因：原因： 動態(tài)存儲器依靠電容電荷存儲信息。平時無電源供動態(tài)存儲器依靠電容電荷存儲信息。平時無電源供電，時間一長電容電荷會瀉放，需定期向電容補充電電，時間一長電容電荷會瀉放，需定期向電容補充電荷，以保持信息不變。荷，以保持信息不變。注意刷新與重寫的區(qū)別注意刷新與重寫的區(qū)別

38、l重寫：破壞性讀出后重寫，以恢復原來的信息重寫：破壞性讀出后重寫，以恢復原來的信息l刷新：非破壞性讀出的動態(tài)刷新：非破壞性讀出的動態(tài)M M，需補充電荷以保持原來的信息，需補充電荷以保持原來的信息v2 2、刷新周期、刷新周期從上次對整個存儲器刷新結束時刻，到本次對從上次對整個存儲器刷新結束時刻，到本次對整個存儲器完成全部刷新一遍為止的時間間隔整個存儲器完成全部刷新一遍為止的時間間隔一般為一般為2ms2ms，4ms4ms或或8ms8msv3 3、刷新方式：、刷新方式：按行讀；按行讀；集中式集中式分散式分散式異步式異步式刷新方式3872周期周期(1936s)128周期周期(64s)4000周期周期存

39、儲系統(tǒng)周期存儲系統(tǒng)周期t tc ct tc ct tc ct tc ct tc ct tc ct tc ct tc c 在刷新間隔內，前段時間進行正常操作，不刷新；需在刷新間隔內，前段時間進行正常操作，不刷新；需要刷新時，暫停讀要刷新時，暫停讀/寫周期，集中刷新整個存儲器寫周期，集中刷新整個存儲器 由于刷新集中進行，會造成芯片由于刷新集中進行，會造成芯片“死時間死時間”過長；因過長；因為芯片在刷新過程中，禁止了正常的讀為芯片在刷新過程中，禁止了正常的讀/寫操作寫操作 把一個存儲周期分為兩半，前半段時間用來讀把一個存儲周期分為兩半，前半段時間用來讀/寫操寫操作或維持信息，后半段時間作為刷新操作時

40、間作或維持信息，后半段時間作為刷新操作時間 加長了系統(tǒng)周期，刷新過于頻繁加長了系統(tǒng)周期，刷新過于頻繁v 前兩種方式的結合，把刷新操作平均分散到整個刷前兩種方式的結合，把刷新操作平均分散到整個刷新周期（新周期（PC機采用的刷新方式）機采用的刷新方式）v 例如：將例如：將61166116芯片在芯片在2ms2ms內分散地把內分散地把128128行刷新一遍行刷新一遍20002000 s s128 =15.625 128 =15.625 s s 15.5 15.5 s s即每隔即每隔15.5 15.5 s s刷新一行刷新一行v 說明說明1M1M1 1位位( (51251220482048) DRAM)

41、DRAM芯片的刷新方法，芯片的刷新方法，刷新周期定為刷新周期定為8ms8ms【解】【解】逐行進行刷新逐行進行刷新512行，每行行，每行2048個存儲元同時進行刷新，整個個存儲元同時進行刷新，整個芯片在芯片在8ms內進行內進行512次刷新操作次刷新操作v集中刷新集中刷新在在8ms中某個時間段，連續(xù)進行中某個時間段，連續(xù)進行512次刷新操作次刷新操作“死時間死時間”：t0=512 T (T為存儲器讀寫周期為存儲器讀寫周期）v異步刷新異步刷新v8ms分成分成512個時間段，每隔個時間段，每隔8ms51215.625s 對芯片刷新一次對芯片刷新一次(一行一行)，消除長時間的，消除長時間的“死時間死時間

42、” DRAMDRAM存儲器的刷新需要有硬件電路的支持，存儲器的刷新需要有硬件電路的支持，包括刷新計數(shù)器、刷新包括刷新計數(shù)器、刷新/ /訪存裁決、刷新控制邏輯訪存裁決、刷新控制邏輯等。這些控制線路形成等。這些控制線路形成DRAMDRAM控制器?？刂破?。存儲器控制電路 1. EDRAM 1. EDRAM芯片芯片 EDRAMEDRAM芯片又稱增強型芯片又稱增強型DRAMDRAM芯片，它在芯片，它在DRAMDRAM芯片上芯片上集成了一個集成了一個SRAMSRAM實現(xiàn)的小容量高速緩沖存儲器，從而實現(xiàn)的小容量高速緩沖存儲器，從而使使DRAMDRAM芯片的性能得到顯著改進芯片的性能得到顯著改進 2.EDRA

43、M2.EDRAM內存條內存條 一片一片EDRAMEDRAM的容量為的容量為1M1M4 4位，位，8 8片這樣的芯片片這樣的芯片( (位位擴展）可組成擴展）可組成1M1M3232位的存儲模塊。位的存儲模塊。 當某模塊被選中，此模塊的當某模塊被選中，此模塊的8 8個個EDRAMEDRAM芯片同時動芯片同時動作，作，8 8個個4 4位數(shù)據(jù)端口位數(shù)據(jù)端口D3D0D3D0同時與同時與3232位數(shù)據(jù)總線交換位數(shù)據(jù)總線交換數(shù)據(jù)，完成一次數(shù)據(jù)，完成一次3232位字的存取位字的存取3.2.4 高性能的主存儲器計算機組成原理計算機組成原理l系統(tǒng)系統(tǒng)RAMRAM區(qū)區(qū)地址最低端的地址最低端的640KB640KB空間空

44、間由由DOSDOS進行管理進行管理l顯示顯示RAMRAM區(qū)區(qū)128KB128KB主存空間保留給顯示緩沖存儲區(qū)主存空間保留給顯示緩沖存儲區(qū)顯示顯示RAMRAM區(qū)并沒有被完全使用區(qū)并沒有被完全使用l擴展擴展ROMROM區(qū)區(qū)I/OI/O接口電路卡上的接口電路卡上的ROMROMl系統(tǒng)系統(tǒng)ROMROM區(qū)區(qū)ROM-BIOSROM-BIOS程序程序PC機最低1MB主存上位主存區(qū)上位主存區(qū)UMA常規(guī)主存常規(guī)主存計算機組成原理計算機組成原理計算機組成原理計算機組成原理ROM芯片的類型lMROMMROM（掩膜（掩膜ROMROM）掩膜工藝直接制作掩膜工藝直接制作lPROMPROM（一次性編程（一次性編程ROMROM

45、）允許用戶進行一次性編程允許用戶進行一次性編程lEPROMEPROM（可擦除可編程（可擦除可編程ROMROM）紫外光擦除、并可重復編程的紫外光擦除、并可重復編程的ROMROMlEEPROMEEPROM（電擦除可編程（電擦除可編程ROMROM）擦除和編程（擦寫）通過加電進行擦除和編程（擦寫）通過加電進行l(wèi)Flash MemoryFlash Memory（閃速存儲器）（閃速存儲器）新型的電擦除可編程新型的電擦除可編程ROMROM快速擦除整片或數(shù)據(jù)塊快速擦除整片或數(shù)據(jù)塊計算機組成原理計算機組成原理v 閃速存儲器是在閃速存儲器是在EPROMEPROM功能基礎上增加了芯功能基礎上增加了芯片的電擦除和重新

46、編程能力片的電擦除和重新編程能力v 28F256A28F256A通過引入一個指令寄存器來實現(xiàn)這通過引入一個指令寄存器來實現(xiàn)這種功能。其作用是種功能。其作用是(7(7條指令由條指令由CPUCPU提供）提供）(1) (1) 保證保證TTLTTL電平的控制信號輸入；電平的控制信號輸入；(2) (2) 在擦除和編程過程中穩(wěn)定供電；在擦除和編程過程中穩(wěn)定供電；(3) (3) 最大限度地與最大限度地與EPROMEPROM兼容。兼容。v 28F256A28F256A是是256K(32k256K(32k8)8)容量，除了指令寄容量，除了指令寄存器在內的控制和定時邏輯，其余部分與一般存器在內的控制和定時邏輯，其

47、余部分與一般半導體存儲器的結構相似半導體存儲器的結構相似閃速存儲器的工作原理閃速存儲器的工作原理28F256A工作模式VppA0A9CE*OE*WE*DQ0-DQ7只只讀讀讀讀VPPL A0 A9 0 01數(shù)據(jù)輸出數(shù)據(jù)輸出輸出禁止輸出禁止 VPPL 0 11三態(tài)輸出三態(tài)輸出等待等待VPPL 1 三態(tài)輸出三態(tài)輸出廠家代碼廠家代碼 VPPL0V1D000數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)=89H器件代碼器件代碼 VPPL1V1D000數(shù)據(jù)數(shù)據(jù)= B9H讀讀寫寫讀讀VPPH A0A90 01數(shù)據(jù)輸出數(shù)據(jù)輸出輸出禁止輸出禁止 VPPH011三態(tài)輸出三態(tài)輸出備用備用VPPH1三態(tài)輸出三態(tài)輸出寫寫VPPH A0A90 10數(shù)據(jù)輸入

48、數(shù)據(jù)輸入計算機組成原理計算機組成原理Flash MemorylAT29C040AAT29C040Al存儲結構：存儲結構：512K512K8 8l有有1919個地址引腳個地址引腳A18A18A0A0l8 8個數(shù)據(jù)引腳個數(shù)據(jù)引腳I/O7I/O7I/O0I/O0l3 3個控制引腳個控制引腳片選片選CSCS* *輸出允許輸出允許OEOE* *寫允許寫允許WEWE* *l扇區(qū)（扇區(qū)（256256字節(jié)）擦寫字節(jié)）擦寫l查詢擦寫是否完成查詢擦寫是否完成計算機組成原理計算機組成原理3.4.1 3.4.1 雙端口存儲器雙端口存儲器 同一個存儲器具有兩組相互獨立的讀寫控制線同一個存儲器具有兩組相互獨立的讀寫控制線

49、路路, ,提供了兩個相互獨立的端口，都可以對存儲器提供了兩個相互獨立的端口，都可以對存儲器中任何位置上的數(shù)據(jù)進行獨立的存取操作中任何位置上的數(shù)據(jù)進行獨立的存取操作3.4.2 3.4.2 多模塊交叉存儲器多模塊交叉存儲器 每個模塊各自以等同的方式與每個模塊各自以等同的方式與CPUCPU傳送信息。傳送信息。 連續(xù)地址分布在相鄰的模塊，對連續(xù)字的成塊連續(xù)地址分布在相鄰的模塊，對連續(xù)字的成塊傳送可以重疊進行實現(xiàn)流水線并行存取傳送可以重疊進行實現(xiàn)流水線并行存取3.4.3 3.4.3 相聯(lián)存儲器相聯(lián)存儲器 按內容尋址的存儲器按內容尋址的存儲器 把存儲單元所存內容的某一部分作為檢索項，把存儲單元所存內容的某

50、一部分作為檢索項，去檢索該存儲器，并對存儲器中與該檢索項符合的去檢索該存儲器，并對存儲器中與該檢索項符合的存儲單元內容進行讀出或寫入存儲單元內容進行讀出或寫入多模塊交叉存儲器v方案一：順序方式 (a) 主存地址被分成高n位和低m位，高位（n）表示模塊號，低位（m位）表示塊內地址； (b) 在一個模塊內，程序是從低位地址連續(xù)存放； (c) 對連續(xù)單元存取，一般僅對一個模塊操作 (d) 特點：多模塊并行工作易擴充容量故障局部性。多模塊交叉存儲器數(shù)據(jù)總線 模塊i 模塊2 n-1 模塊0 模塊號 塊內地址 MAR m 位 n 位 并行多模塊存儲器結構框圖.多模塊交叉存儲器v方案二：交叉方式 (a) 主

51、存地址被分成高n位和低m位，低位（m位）表示模塊號，高位（n）表示塊內地址； (b) 各模塊間采用多模塊交叉編址； (c) 對連續(xù)單元存取，則多個模塊并行工作 (d) 特點：多模塊并行工作，速度快不易擴展故障全局性。多模塊交叉存儲器 模塊i 模塊2 n-1 模塊0塊內行地址 模塊號 MAR n 位 m 位 多模塊交叉存取存儲器結構框圖.數(shù)據(jù)總線3.4.1 3.4.1 雙端口存儲器雙端口存儲器 同一個存儲器具有兩組相互獨立的讀寫控制線同一個存儲器具有兩組相互獨立的讀寫控制線路路, ,提供了兩個相互獨立的端口，都可以對存儲器提供了兩個相互獨立的端口，都可以對存儲器中任何位置上的數(shù)據(jù)進行獨立的存取操

52、作中任何位置上的數(shù)據(jù)進行獨立的存取操作3.4.2 3.4.2 多模塊交叉存儲器多模塊交叉存儲器 每個模塊各自以等同的方式與每個模塊各自以等同的方式與CPUCPU傳送信息。傳送信息。 連續(xù)地址分布在相鄰的模塊，對連續(xù)字的成塊連續(xù)地址分布在相鄰的模塊，對連續(xù)字的成塊傳送可以重疊進行實現(xiàn)流水線并行存取傳送可以重疊進行實現(xiàn)流水線并行存取3.4.3 3.4.3 相聯(lián)存儲器相聯(lián)存儲器 按內容尋址的存儲器按內容尋址的存儲器 把存儲單元所存內容的某一部分作為檢索項，把存儲單元所存內容的某一部分作為檢索項，去檢索該存儲器，并對存儲器中與該檢索項符合的去檢索該存儲器，并對存儲器中與該檢索項符合的存儲單元內容進行讀

53、出或寫入存儲單元內容進行讀出或寫入3.5 Cache存儲器Cache: a safe place for hiding or storing things.v在相對容量較大而速度較慢的主存與高速處理器之在相對容量較大而速度較慢的主存與高速處理器之間設置的少量但快速的存儲器間設置的少量但快速的存儲器v主要目的：提高存儲器速度主要目的：提高存儲器速度v為追求高速，包括管理在內的全部功能由硬件實現(xiàn)為追求高速，包括管理在內的全部功能由硬件實現(xiàn)3.5.1 Cache基本原理vCPUCPU與與cachecache之間的數(shù)之間的數(shù)據(jù)交換以字據(jù)交換以字( (字節(jié)字節(jié)) )為為單位單位vCacheCache與主

54、存間的數(shù)據(jù)與主存間的數(shù)據(jù)傳送以數(shù)據(jù)塊為單位傳送以數(shù)據(jù)塊為單位v一個塊一個塊(Block)(Block)由若干由若干字組成字組成Cache的讀操作l高速命中高速命中(Hit)(Hit)：微處理器讀取主存的內容已包含：微處理器讀取主存的內容已包含在在CacheCache中，可以直接讀取中，可以直接讀取CacheCache，不用訪問主存，不用訪問主存從從CPU接收地址接收地址RAY（命中（命中hit）N（失效（失效miss）開始開始Cache中含中含RA？從從Cache讀讀RA的字送的字送CPU從主存讀含從主存讀含RA的塊的塊向向CPU傳送傳送RA的字的字向向Cache傳送含傳送含RA的主存塊的主存

55、塊結束結束l高速失效高速失效(Miss)(Miss)、缺失、未命、缺失、未命中中：微處理器讀取主存的內容：微處理器讀取主存的內容不在不在CacheCache中，需要訪問主存中，需要訪問主存讀取一個數(shù)據(jù)塊讀取一個數(shù)據(jù)塊 Cache的工作原理1、Cache以塊為單位進行操作以塊為單位進行操作2、當、當CPU發(fā)出訪內操作請求后，首先由發(fā)出訪內操作請求后，首先由Cache控制器判斷當前請求的字是控制器判斷當前請求的字是否在否在Cache中，若在，叫命中，否則，不命中中，若在，叫命中，否則，不命中3、 若命中：若命中：若是若是“讀讀”請求，則直接對請求，則直接對Cache讀，與主存無關讀，與主存無關若是

56、若是“寫寫”請求：請求：vCache單元與主存單元同時寫（單元與主存單元同時寫（Write through寫）寫）v只更新只更新Cache單元并加標記，移出時修改主存（寫回單元并加標記，移出時修改主存（寫回Copy back）v只寫入主存，并在只寫入主存，并在Cache中加標記，下次從中加標記，下次從MM讀出，保證正確。讀出，保證正確。4、未命中時：、未命中時：若是若是“讀讀”請求，則從主存讀出所需字送請求，則從主存讀出所需字送CPU，且把含該字的一塊，且把含該字的一塊送送Cache，稱，稱“裝入通過裝入通過”，若，若Cache已滿，置換算法；已滿，置換算法；若是若是“寫寫”請求，直接寫入主存

57、。請求，直接寫入主存。Cache的命中率v命中率（命中率（Hit RateHit Rate）：高速命中的概率：高速命中的概率h=NcNc +Nmcache/主存系統(tǒng)的主存系統(tǒng)的平均訪問時間平均訪問時間ta：ta=htc+(1-h)tmtc命中時的命中時的cache訪問時間訪問時間tm未命中時的主存訪問時間未命中時的主存訪問時間h命中率命中率Nccache完成存取的總次數(shù)完成存取的總次數(shù)Nm主存完成存取的總次數(shù)主存完成存取的總次數(shù)設設r=tm/tc表示主存慢于表示主存慢于cache的倍率的倍率tce=ta=tchtc+ (1-h)tm1h+ (1-h)r=1r+ (1-r)hCache的訪問效率

58、e【例【例5】CPU執(zhí)行一段程序時，執(zhí)行一段程序時，cache完成存取的次完成存取的次數(shù)為數(shù)為1900次，主存完成存取的次數(shù)為次，主存完成存取的次數(shù)為100次，次，已知已知cache存取周期為存取周期為50ns，主存存取周期，主存存取周期為為250ns，求，求cache/主存系統(tǒng)的效率和平均主存系統(tǒng)的效率和平均訪問時間。訪問時間?！窘狻俊窘狻?h=Nc/(Nc+Nm)=1900/(1900+100)=0.95 r=tm/tc=250ns/50ns=5 e=1/(r+(1-r)h)=1/(5+(1-5)0.95)=83.3% ta=tc/e=50ns/0.833=60ns 或者，或者，ta=ht

59、c+(1-h)tm=60nsCache結構vCache的數(shù)據(jù)塊稱為行（線的數(shù)據(jù)塊稱為行（線Line，槽，槽Slot）用用Li表示，其中表示，其中i=0,1,m-1，共有，共有m=2r行行v主存的數(shù)據(jù)塊稱為塊（主存的數(shù)據(jù)塊稱為塊（Block）用用Bj表示，其中表示，其中j=0,1,n-1，共有，共有n=2s塊塊v行與塊是等長的，包含行與塊是等長的，包含k=2w個主存字個主存字字是字是CPU每次訪問存儲器時可存取的最小單位每次訪問存儲器時可存取的最小單位vCache由數(shù)據(jù)存儲器和標簽存儲器組成由數(shù)據(jù)存儲器和標簽存儲器組成數(shù)據(jù)存儲器數(shù)據(jù)存儲器：高速緩存主存數(shù)據(jù)：高速緩存主存數(shù)據(jù)標簽存儲器標簽存儲器：

60、保存數(shù)據(jù)所在主存的地址信息：保存數(shù)據(jù)所在主存的地址信息 3.5.2 主存與Cache的地址映射vCache通過地址映射通過地址映射(mapping)的方法確定主存的方法確定主存塊與塊與Cache行之間的對應關系，確定一個主存行之間的對應關系，確定一個主存塊應該存放到哪個塊應該存放到哪個Cache行中行中v全相聯(lián)映射全相聯(lián)映射(fully associative mapping)可以將一個主存塊存儲到任意一個可以將一個主存塊存儲到任意一個Cache行行v直接映射直接映射(direct mapping)將一個主存塊存儲到唯一的一個將一個主存塊存儲到唯一的一個Cache行行v組相聯(lián)映射組相聯(lián)映射(s

61、et associative mapping)可以將一個主存塊存儲到唯一的一個可以將一個主存塊存儲到唯一的一個Cache組中組中任意一個行任意一個行直接映射、直接映射、2/4/82/4/8路組相聯(lián)映射使用較多路組相聯(lián)映射使用較多全相聯(lián)映射v優(yōu)點：命中率較高，優(yōu)點：命中率較高，Cache的存儲空間利用率高的存儲空間利用率高v缺點：線路復雜，成本高，速度低缺點：線路復雜，成本高，速度低直接映射v優(yōu)點：硬件簡單，容易實現(xiàn)優(yōu)點：硬件簡單，容易實現(xiàn)v缺點：命中率低，缺點：命中率低， Cache的存儲空間利用率低的存儲空間利用率低組相聯(lián)映射v組間采用直接映射，組內為全相聯(lián)組間采用直接映射，組內為全相聯(lián)v硬

62、件較簡單，速度較快，命中率較高硬件較簡單，速度較快，命中率較高3.5.3 替換策略v替換問題替換問題新主存塊要進入新主存塊要進入Cache，決定替換哪個原主存塊，決定替換哪個原主存塊直接映射，只能替換唯一的一個直接映射，只能替換唯一的一個Cache行行全相聯(lián)和組相聯(lián)，需要選擇替換策略（算法）全相聯(lián)和組相聯(lián)，需要選擇替換策略（算法）1. 最不常用最不常用(LFU: least-frequently used)替換使用次數(shù)最少的塊替換使用次數(shù)最少的塊2. 最近最少使用法最近最少使用法(LRU: least-recently used)本指替換近期最少使用的塊，實際實現(xiàn)的是替換最本指替換近期最少使用

63、的塊，實際實現(xiàn)的是替換最久沒有被使用的塊久沒有被使用的塊3. 隨機法隨機法(random)隨意選擇被替換的塊，不依賴以前的使用情況隨意選擇被替換的塊，不依賴以前的使用情況LRU替換算法vLRU能較好地反映程序的局部性，因而其命中率較高，能較好地反映程序的局部性，因而其命中率較高，但實現(xiàn)的硬件較復雜但實現(xiàn)的硬件較復雜v2路組相聯(lián)：使用一個路組相聯(lián)：使用一個U位。某個位。某個Cache塊被訪問，該塊被訪問，該塊塊U位置位置1；對應塊；對應塊U位置位置0。替換。替換U位為位為0的塊的塊v4/8路組相聯(lián)：運用堆棧型算法。最近訪問的塊放上面，路組相聯(lián)：運用堆棧型算法。最近訪問的塊放上面，最下面存放最久沒

64、有訪問的塊。替換最下面的塊最下面存放最久沒有訪問的塊。替換最下面的塊3.5.4 寫入策略v處理器對處理器對Cache讀占大多數(shù)，也容易提高速度讀占大多數(shù)，也容易提高速度v寫入寫入Cache有些問題：有些問題：確認命中，才可以對確認命中，才可以對Cache塊寫入塊寫入寫入的數(shù)據(jù)字數(shù)不定寫入的數(shù)據(jù)字數(shù)不定寫入后可能導致與主存內容不一致寫入后可能導致與主存內容不一致v寫入策略寫入策略解決主存內容的更新問題，保持正確解決主存內容的更新問題，保持正確v直寫法直寫法(write through)全寫法全寫法寫入寫入Cache的同時也寫入主存（下一級存儲器）的同時也寫入主存（下一級存儲器）v回寫法回寫法(w

65、rite back)寫回法寫回法只寫入只寫入Cache，在被替換時才寫回主存，在被替換時才寫回主存直寫和回寫的比較v直寫策略直寫策略優(yōu)點：簡單可靠優(yōu)點：簡單可靠缺點：總線操作頻繁、影響工作速度缺點：總線操作頻繁、影響工作速度解決方法：在解決方法：在Cache與主存間設置一級與主存間設置一級/多級緩多級緩沖器，形成實用的沖器，形成實用的“緩沖直寫緩沖直寫”方式，提高速方式，提高速度度v回寫策略回寫策略優(yōu)點：可以減少寫入主存次數(shù)、提高速度優(yōu)點：可以減少寫入主存次數(shù)、提高速度缺點：硬件結構比較復雜缺點：硬件結構比較復雜實現(xiàn)方法：為了表明實現(xiàn)方法：為了表明Cache是否被修改，需要是否被修改，需要設置

66、一個更新位（設置一個更新位（update，污染位，污染位dirty bit）。）。替換時只需將被修改的替換時只需將被修改的Cache塊內容寫入主存塊內容寫入主存寫未命中的處理方法v寫訪問并不需要寫訪問并不需要Cache塊中所有數(shù)據(jù)。寫未命中時，塊中所有數(shù)據(jù)。寫未命中時，寫入的數(shù)據(jù)是否還要將其讀回寫入的數(shù)據(jù)是否還要將其讀回Cache呢？呢？v寫分配法寫分配法( write allocate，WTWA )先把數(shù)據(jù)所在的塊調入先把數(shù)據(jù)所在的塊調入Cache，然后再進行寫入。，然后再進行寫入。類似讀失效的方式，也稱類似讀失效的方式，也稱fetch on writev不寫分配法不寫分配法( no-write allocate，WTNWA )直接把數(shù)據(jù)寫入下一級存儲器，不將相應的塊調入直接把數(shù)據(jù)寫入下一級存儲器，不將相應的塊調入Cache，也稱，也稱write aroundv直寫策略通常配合不寫分配法，回寫策略一般采用直寫策略通常配合不寫分配法，回寫策略一般采用寫分配法寫分配法80486的片上Cachev指令和數(shù)據(jù)共用指令和數(shù)據(jù)共用的的4路組相聯(lián)路組相聯(lián)Cache結構結構v8KB容量分成容量分成1