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1、?
8兆位的SPI串行閃存
A Microchip Technology Company
SST25VF080B
SST公司的25系列串行閃存系列具有四線SPI兼容跨
面對這允許一個(gè)低引腳數(shù)封裝占用的電路板空間
并最終降低總系統(tǒng)成本.該SST25VF080B設(shè)備
加強(qiáng)與改進(jìn)工作頻率從而降低功耗
化. SST25VF080B SPI串行閃存采用SST公司生產(chǎn)的
專有的,高性能CMOS SuperFlash技術(shù).分裂閘
電池設(shè)計(jì)和厚氧化物隧道噴油器達(dá)到更好的可靠性和馬努 -
與其他方法相比facturability
產(chǎn)品特點(diǎn)：
?單電壓讀寫操作
– 2.7-3.6
2、V
?自動(dòng)地址遞增（AAI）編程
- 降低整個(gè)芯片的編程時(shí)間超過字節(jié)親
克操作
?串行接口架構(gòu)
- 兼容SPI：模式0和模式3
寫操作結(jié)束的?檢測
- 軟件輪詢狀態(tài)寄存器中的BUSY位
- SO引腳在AAI模式上忙狀態(tài)讀出
?高速時(shí)鐘頻率
- 50/66號MHz的條件（見表15）
- (SST25VF080B-50-xx-xxxx)
- 80 MHz的
- (SST25VF080B-80-xx-xxxx)
?保持引腳（HOLD＃）
- 掛起一個(gè)串行序列的記憶
沒有取消選擇該設(shè)備
?卓越的可靠性
- 耐力：100,000周期（典型值）
- 大于100年數(shù)據(jù)保
3、存期
?寫保護(hù)（WP＃）
- 啟用/禁用狀態(tài)的鎖斷功能
注冊
?低功耗：
- 有效的讀電流：10 mA（典型值）
- 待機(jī)電流：5μA（典型值）
?軟件寫保護(hù)
- 通過寫塊保護(hù)位的保護(hù)狀態(tài)
注冊
?靈活的擦除功能
- 統(tǒng)一的4 K字節(jié)部門
- 統(tǒng)一32 K字節(jié)塊重疊
- 統(tǒng)一64 K字節(jié)塊重疊
?溫度范圍
- 商業(yè)：0°C至+70°C
- 工業(yè)級：-40°C至+85°C
?快速擦除和字節(jié)編程：
- 芯片擦除時(shí)間：35 ms（典型值）
- Sector-/Block-Erase時(shí)間：18毫秒（典型值）
- 字節(jié)編程時(shí)間：7μs（典型值）
?可用的軟件包
4、
- 8引腳SOIC（200密耳）
- 8引腳SOIC（150??密耳）
- 8觸點(diǎn)WSON（6毫米×5毫米）
- 8引腳PDIP（300密耳）
產(chǎn)品描述
SST公司的25系列串行閃存系列具有四線SPI兼容接口,允許低
引腳數(shù)封裝占用的電路板空間,并最終降低總系統(tǒng)成本.該
SST25VF080B設(shè)備加強(qiáng)與改進(jìn)工作頻率和更低的功耗,
化. SST25VF080B SPI串行閃存采用SST專有的,高性生產(chǎn)
曼斯CMOS SuperFlash技術(shù).分裂門電池設(shè)計(jì)和厚氧化物隧道注射器
實(shí)現(xiàn)更高的可靠性和可制造性與替代方法.
該SST25VF080B器件顯著提高性能和可靠性,同時(shí)降
5、低功耗
消費(fèi).該設(shè)備寫（編程或擦除）與2.7-3.6V的單電源供電
SST25VF080B.所消耗的總能量是所施加的電壓,電流和應(yīng)用的時(shí)間的函數(shù).因?yàn)閷τ谌魏谓o定的電壓范圍,
SuperFlash技術(shù)使用較少的編程電流和有一個(gè)較短的擦除時(shí)間,在任何擦除或編程操作消耗的總能量小于其他閃存
技術(shù).
該SST25VF080B器件采用8引腳SOIC提供（200密耳）,8引腳SOIC（150??密耳）,8 - 接觸
WSON（6毫米×5毫米）,和8引腳PDIP（300密耳）封裝.參見圖2引腳分配
存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)
該SST25VF080B超快閃存儲(chǔ)器陣列的統(tǒng)一4 K字節(jié)可擦除扇
6、區(qū)32
K字節(jié)覆蓋塊和64 K字節(jié)覆蓋可擦除塊.
設(shè)備操作
該SST25VF080B通過SPI（串行外設(shè)接口）總線兼容的協(xié)議來訪問.
SPI總線包括四個(gè)控制線;芯片使能（CE＃）用于選擇該設(shè)備,數(shù)據(jù)通過串行數(shù)據(jù)輸入（SI）,串行數(shù)據(jù)輸出（SO）和
串行時(shí)鐘（SCK）進(jìn)行訪問.
該SST25VF080B支持模式0（0,0）和模式3（1,1）SPI總線操作.所不同的
在兩個(gè)模式之間,如圖3所示,是在SCK信號的狀態(tài)時(shí),該總線主機(jī)在
待機(jī)模式并沒有數(shù)據(jù)正在傳輸. SCK信號是低模式0和SCK信號為高電平模式3.對于這兩種模式,串行數(shù)據(jù)輸入（
SI）進(jìn)行采樣,在SCK時(shí)鐘信號和串行數(shù)
7、據(jù)輸出的上升沿（SO）后驅(qū)動(dòng)在SCK時(shí)鐘信號的下降沿.
保持操作
在按?。Ｒ_用于暫停串行序列正在進(jìn)行與SPI閃存沒有復(fù)位,
婷定時(shí)序列.要啟動(dòng)按?。ＤＪ?CE＃必須在低電平狀態(tài).在HOLD＃
模式時(shí),SCK低電平狀態(tài)恰逢HOLD＃信號的下降沿開始.該
HOLD模式當(dāng)HOLD＃信號的上升沿與SCK低電平狀態(tài)恰逢結(jié)束.
如果HOLD＃信號的下降沿不與SCK低電平狀態(tài),則設(shè)備一致
進(jìn)入保持模式當(dāng)SCK未來達(dá)到低電平狀態(tài).類似地,如果在上升沿
HOLD＃信號不與SCK低電平狀態(tài)保持一致,然后在保持模式器件退出當(dāng)SCK未來達(dá)到低電平狀態(tài).參見圖4為保持
狀態(tài)的波形.
一旦設(shè)備進(jìn)入保持模式,因此將在高阻抗?fàn)顟B(tài),而SI和SCK可以V
IL
或V
IH.
如果CE＃是在一個(gè)保持狀態(tài)驅(qū)動(dòng)的主動(dòng)高,它重置設(shè)備的內(nèi)部邏輯.只要
HOLD＃信號為低,內(nèi)存仍然在保持狀態(tài).要恢復(fù)與設(shè)備通信,
按住＃必須積極推動(dòng)高,CE＃必須被驅(qū)動(dòng)低電平有效.參見圖24為保持時(shí)間
SST25VF080B 中文手冊
