模擬電子技術題庫 答案分解

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1、 模擬電子技術 試題匯編 成都理工大學工程技術學院 電子技術基礎教研室 2010-9 第一章 半導體器件 一、填空題 1、本征硅中若摻入5價元素的原子，則多數(shù)載流子應是 電子 ，少數(shù)載流子應是 空穴 。 2、 在N型半導體中，電子濃度 大于 空穴濃度，而在P型半導體中，電子濃度 小于 空穴濃度。 3、PN結反向偏置時，空間電荷區(qū)將變 寬 。 4、雙極型三極管輸出特性的三個區(qū)域分別是_____飽和_____區(qū)、______放大___區(qū)、__截止________區(qū)。 5、場

2、效應管分為兩大類：一類稱為_結型場效應管___________，另一類稱為__ 絕緣柵場效應管_______。 6、PN結外加反向電壓，即電源的正極接N區(qū)，電源的負極接P區(qū),這種接法稱為___反向接法_______或_反向偏置_________。 7、半導體二極管的基本特性是 單向導電性 ____，在電路中可以起___整流____和___檢波____等作用。 8、雙極型半導體三極管按結構可分為__NPN_____型和__PNP_____型兩種，它們的符號分別為_______和________。 9、PN結中進行著兩種載流子的運動：多數(shù)載流子的 擴散 運動和少數(shù)載

3、流子的___漂移_____運動。 10、硅二極管的死區(qū)電壓約為__0.5____V，鍺二極管的死區(qū)電壓約為__0.1____V。 11、晶體管穿透電流是反向飽和電流的___1+β_______倍，在選用晶體管的時候，一般希望盡量___小_______。 12、場效應管實現(xiàn)放大作用的重要參數(shù)是___跨導_______。 13、PN結具有__單向導電_______特性。 14、雙極型三極管有兩個PN結，分別是___集電結____和_發(fā)射結______。 15、為了保證三極管工作在放大區(qū)，應使發(fā)射結_____正向________偏置，集電路______反向_______偏置。 16、場

4、效應管是____電壓______控制型元件，而雙極型三極管是____電流_______控制型元件。 17、本征硅中若摻入3價元素的原子，則多數(shù)載流子應是 空穴 ，少數(shù)載流子應是 電子 。 18、P型半導體的多數(shù)載流子是 空穴 ，少數(shù)載流子是 電子 。 19、PN結外加正向電壓，即電源的正極接P區(qū)，電源的負極接N區(qū),這種接法稱為 正向接法 或_正向偏置______。 20、從雙極型三極管內部三個區(qū)引出三個電極，分別是_集電極______、___發(fā)射極____和__基極______。 21、雙極型三極管起放大作用的外部條件是：（

5、1）發(fā)射結外加_正____________向電壓；（2）集電結外加___反________向電壓。 22、N型半導體可用___正________離子和等量的___負電子________來簡化表示。 23、PN結正向偏置時，空間電荷區(qū)將變___窄________。 24、二極管的兩個電極分別稱為__陽____極和__陰____極，二極管的符號是________。 25、當溫度升高時，三極管的輸入特性曲線會__左___移，輸出特性曲線會 上 ________移，而且輸出特性曲線之間的間隔將__增大_________。 26、影響雙極型三極管參數(shù)變化的主要因素是___溫度____

6、______。 27、P型半導體可用_負______離子和等量的___空穴_____來簡化表示。 28、主要半導體材料是_硅_____和__鍺____；兩種載流子是__空穴_______和__電子_______；兩種雜質半導體是_P型________和___N型________。 29、二極管外加 正 向電壓導通，外加 反 向電壓截止。 30、當溫度升高時，三極管的參數(shù)β會 變大 ________，會 增加 ________，導通電壓會 變小 _________ 。 31、雙極型三極管有兩種載流子導電，即____多數(shù)載流子________

7、_和_少數(shù)載流子____________導電，而單極型三極管只有一種載流子導電，即__多數(shù)載流子___________導電。 32、N型半導體的多數(shù)載流子是 電子 ，少數(shù)載流子是___空穴_____。 33、某晶體管的極限參數(shù)，，。若它的工作電壓，則工作電流不得超過__15_____；若工作電壓，則工作電流不得超過____100___；若工作電流，則工作電壓不得超過___30____。 34、放大電路中，已知三極管三個電極的對地電位為=－9V， =－6.2V， =－6V，則該三極管是______PNP_______型三極管，A為_______集電______極，B為_____

8、基________極，C為______發(fā)射_______極。 35、雙極型三極管實現(xiàn)放大作用的重要參數(shù)是_____。 36、場效應管輸出特性的三個區(qū)域分別是_______恒流______區(qū)、____可變電阻_________區(qū)、___夾斷__________區(qū)。 37、純凈的、不含其他雜質的半導體稱為_____本征半導體_____。 38、場效應管與晶體管比較， 場效應 管的熱穩(wěn)定好，輸入電阻高， 晶體 管的放大能力強。 39、雙極型三極管內部有三個摻雜區(qū)域，分別是__發(fā)射區(qū)_______、___基區(qū)_______和___集電區(qū)_______。 二、

9、選擇題 1、從二極管伏安特性曲線可以看出，二極管兩端壓降大于（ B ）時處于正偏導通狀態(tài)。 A．0 B．死區(qū)電壓 C．反向擊穿電壓 D．正向壓降 2、雜質半導體中（ A ）的濃度對溫度敏感。 A．少子 B．多子 C．雜質離子 D．空穴 3、晶體管的集電結反向偏置、發(fā)射結正向偏置，它的工作狀態(tài)是（ B ），若集電結和發(fā)射結都反向偏置，它的工作狀態(tài)是（ A ），若集電結和發(fā)射結均正向偏置，則它的工作狀態(tài)是（ C ）。 A．截止 B．放大

10、 C．飽和 D．損毀 4、當晶體管工作在放大區(qū)時，發(fā)射結電壓和集電結電壓應為( B )。 A．前者反偏、后者也反偏 B．前者正偏、后者反偏 C．前者正偏、后者也正偏 D．前者反偏、后者也正偏 5、雙極型晶體管工作時有（ A ）和（ B ）兩種載流子參與導電,而場效應管所導電過程僅僅取決于（ A ）的流動。 A．多子 B．少子 C．自由電子 D.空穴 6、當NPN型晶體管工作在放大區(qū)時，各極電位關系為（A　）（A?。? A． >

11、 B． < C． = D． ≤ 7、對二極管正向電阻和反向電阻的要求是（ C ） A．、都大 B．、都小 C．很小，很大 D．大，小 8、穩(wěn)壓二極管動態(tài)電阻（ B ），穩(wěn)壓性能愈好。 A．愈大 B． 愈小 C．為任意值 9、 三極管當發(fā)射結和集電結都正偏時工作于（ C ）狀態(tài)。 A． 放大 B． 截止 C． 飽和 D． 無法確定 10．結型場效應管放大電路的偏置方式是（

12、A、D ） A．自給偏壓電路 B．外加偏壓電路 C．無須偏置電路 D．柵極分壓與源極自偏結合 11、在雜質半導體中，多數(shù)載流子的濃度主要取決于（ A ），而少數(shù)載流子的濃度與（ B ）有很大關系。 A．溫度 B．摻雜工藝 C．雜質濃度 D．晶體管缺陷 12、場效應管屬于（ B ）控制型器件，而晶體管若用簡化h參數(shù)來分析，則可認為是（ C ）控制型器件。 A．電荷 B．電壓 C．電流 13、當PN節(jié)外加反向電壓時，擴散電流（ B ）漂移電流，耗盡層（D ）。

13、A．大于 B．小于 C．等于 D．變寬 E．變窄 F．不變 14、當溫度升高時，二極管正向特性和反向特性曲線分別（ D ）。 A．左移，下移 B．右移，上移 C．左移，上移 D．右移，下移 15、PN結加正向電壓時導通，此時空間電荷區(qū)將（ A ）。 A．變窄 B．基本不變 C．變寬 D.先變窄，后變寬 16、 在25oC時，某二極管的死區(qū)電壓Uth≈0.5V，反向飽和電流Is≈0.1pA，則在35oC時，下列哪組數(shù)據(jù)可能正

14、確：（ D ）。 A Uth≈0.575V，Is≈0.05pA B Uth≈0.575V，Is≈0.2pA C Uth≈0.475V，Is≈0.05pA D Uth≈0.475V，Is≈0.2pA 17、用萬用表判斷放大電路中處于正常工作的某個晶體管的類型（NPN或PNP）與三個電極時，最為方便的測試方法為（ B ）。 A．測試各極間電阻 B．測試各極間、對地電壓 C．測試各極電流 三、判斷題 1、 三極管在工作頻率大于最高工作頻率時會損壞。 （ ╳ ） 2、 穩(wěn)壓管正常穩(wěn)壓

15、時應工作在正向導通區(qū)域。 （ ╳ ） 3、與三極管放大電路相比，場效應管放大電路具有輸入電阻很高、噪聲低、溫度穩(wěn)定性好等優(yōu)點。（ √ ） 4、P型半導體可通過在純凈半導體中摻入五價磷元素而獲得。（ ╳ ） 5、有人測得晶體管在=0.6V時，=5，因此認為在此工作點上的大約為。 （ √ ） 6、通常結型場效應管JFET在漏極和源極互換使用時，仍有正常的放大作用。（ √ ） 7、通常的雙極型晶體管BJT在集電極和發(fā)射極互換使用時，仍有較大的電流放大作用。 （ ╳ ） 8、在N型半導體中，摻入高濃度的三階雜質可以改型為P型半導體。（√ ） 9、P型半導體帶正

16、電，N型半導體帶負電。（ ╳ ） 10、PN結內擴散電流是載流子在電場作用下形成的。（ ╳ ） 11、漂移電流是少數(shù)載流子在電場作用下形成的。（ √ ） 12、由于PN結交界面兩邊存在電位差，所以當把PN結兩端短路時，就有電流流過。（ ╳ ） 13、PN結方程可以描述PN結的正向特性和反向特性，也可以描述PN結的反向擊穿特性。（ ╳ ） 14、場效應管的突出優(yōu)點是具有特別高的輸出電阻（ ╳ ） 15、有人測試晶體管的，方法是通過測得晶體管的，，推算出 。 （ ╳ ） 四、綜合題 1、放大電路中測得晶體管各電極電位如下表所示，試將表格填寫完整

17、。（10分） 管腳（各電極）電位 晶體管1 晶體管2 3V 3.7V 6V -4V -1.2V -1.4V 電極(e或b或c) e b c c b e NPN或PNP NPN PNP 材料（Si或Ge） Si Ge 2、判斷下列管子的工作狀態(tài)（a.飽和；b.放大；c.截止；d.損壞）（共8分） 管子類型 NPN PNP NPN PNP 各電極電位（V） Ue Ub Uc Ue Ub Uc Ue Ub Uc Ue Ub Uc 2 1.7 6 -0.1 -0.3 -3 0 4 6 1.3 1.1

18、 1.2 狀態(tài) c b d a 3、如下圖，試確定二極管D是正偏還是反偏？設二極管正偏時的正向壓降為0.7V,試計算UX和UY的值（共9分） （a） （b） 答案：（a） D正偏導通 I= 2RI==6.2V （b） D僅偏截止 I=0 =0 =10V 4、如下圖，設硅穩(wěn)壓管、的穩(wěn)壓值分別為6V和9V， 求Uo為多少？（共3分） 答：=9-6=3V 5、（3分）圖示電路中二極管為理想二極管，請判斷它是否導通，并求出u0。 D導通， 6、判斷下列電路能否放大電壓信號。（設圖中所有電容對交

19、流信號視為短路） （9分）都不能放大電壓信號 （a） （b） （c） 輸入交流短路 無直流基極偏壓 輸入交流短路 7、如下圖，設硅穩(wěn)壓管、的穩(wěn)壓值分別為6V和9V，穩(wěn)壓管的正向壓降為0.7V，試寫出輸出電壓Uo為多少？（共8分） （a） （b） （c） （d） 8、設二極管理想化，試判斷下列各圖二極管是否導通還是截止？并求出UO=？ （a）D導通

20、 （b）D截止 （c） 導通截止 （d）先導通截止 =0V =-3V 第二章 放大電路原理 一、填空題 1、BJT放大電路的三種基本組態(tài)中，_共集________組態(tài)帶負載能力強，_共基____________組態(tài)頻率響應好，__共射___________組態(tài)有倒相作用，__共集___________組態(tài)向信號源索取的電流小。 2、多級放大電路的對數(shù)增益等于其各級對數(shù)增益的_之和______。 3、BJT放大電路的三種組態(tài)是___共射__

21、________、___共基__________、____共集_________。 4、影響放大電路工作點穩(wěn)定的主要原因是___溫度變化__________。 5、三極管___共集_________組態(tài)的放大電路具有輸入電阻高、輸出電阻低的特點。 6、放大電路最常用的基本分析方法，就是__圖解法________和_微變等效電路法___________。 7、共集電極放大電路又稱為___射極輸出器或射隨器_________。 8、多級放大電路常用的耦合方式有三種：即___阻容耦合_________、__直接耦合__________、___變壓器耦合_________。 9、放大電路的

22、三種基本組態(tài)中，__共射___________組態(tài)既具有電壓放大能力又具有電流放大能力，___共集__________只具有電流放大能力，__共基___________組態(tài)只具有電壓放大能力。 10、放大的本質首先是實現(xiàn)_能量_____的控制；所謂放大作用，其放大的對象是_變化量_____。 11、產(chǎn)生零點漂移的主要原因是放大器件的參數(shù)受__溫度_______的影響而發(fā)生波動，導致放大電路的__靜態(tài)工作點________不穩(wěn)定。 12、輸出電壓離開零點，緩慢地發(fā)生不規(guī)則的變化，這種現(xiàn)象稱為__零點漂移_______。 二、選擇題 1、關于BJT放大電路中的靜態(tài)工作點（簡稱Q點），下列

23、說法中不正確的是（ D ）。 A．Q點過高會產(chǎn)生飽和失真 B．Q點過低會產(chǎn)生截止失真 C．導致Q點不穩(wěn)定的主要原因是溫度變化 D．Q點可采用微變等效電路法求得 2、雙極型三極管放大電路中，輸入電阻最大的是___B________電路。 A． 共發(fā)射極 B． 共集電極 C．共基極 D．不能確定 3、晶體管放大電路中，高頻特性最好的電路是（ D ） 。 A.共射電路 B.共集電路 C.共源電路 D.共基電路 4、有兩個放大倍數(shù)（電路相同，采用同一晶體管）相同，

24、輸入和輸出電阻不同的放大電路A和B，對同一個具有內阻的信號源電壓進行放大，在負載開路的條件下測得A的輸出電壓小，這說明A的（ B ）。 A．輸入電阻大 B．輸入電阻小 C．輸出電阻大 D ．輸出電阻小 5、多極放大電路的增益是（ B ）、輸入電阻是（ A ）、輸出電阻是（ C ）。 A．由第一級確定 B.由各級共同確定 C.由末級電路確定 6、某放大電路在負載開路時的輸出電壓為4V，接入3K的負載電阻的輸出電壓降為3V，這說明放大電路的輸出電阻為（C ） A．10K B．2K

25、 C 1K D 0.5K 7、放大電路產(chǎn)生零點漂移的主要原因是（ A ）。 A．環(huán)境溫度變化引起參數(shù)變化 B．放大倍數(shù)太大 C．晶體管的噪聲太大 D．外界存在干擾源 8、在多級放大電路常見的三種耦合方式中選擇合適者：（本題可多選） （1）要求各級靜態(tài)工作點互不影響，可選用（A,C ）。 （2）要求能放大直流信號，可選用（B ）。 （3）要求能放大高頻交流信號，可選用（A,B ）。 （4）要求電路的溫漂小，可選用（A,C ）。 （5）為了實現(xiàn)阻抗交換，使信號與負載間有較好的耦合，應采用（C ）。 A．阻容耦合

26、 B．直接耦合 C．變壓器耦合 9、用微變等效電路法分析放大電路（ B ） A．只能分析靜態(tài)工作點 B.只能分析動態(tài)參數(shù) C．既可分析靜態(tài)，也能分析動態(tài) 10、在下列電路中輸入電阻最大的電路是（ B ）； 既能放大電流，又能放大電壓的電路是（ C ）。 A． 共基放大電路 B．共集放大電路 C．共射放大電路 11、對于基本共射放大電路，如下圖，試判斷某一參數(shù)變化時放大電路動態(tài)性能的變化情況,選擇正確答案填入空格 （1）減小時，輸入電阻 _B____。 （2）增大時，輸出電阻 __

27、__A_。 （3）信號源內阻增大時，輸入電阻___C___。 （4）信號源遠內阻減小時，電壓放大倍數(shù) __A____。 （5）負載電阻增大時，電壓放大倍數(shù)__A___； （6）負載電阻減小時，輸出電阻Ro ____C__; (7) 若Rb減小，則靜態(tài)的將__A____，將__B__電壓放大倍數(shù) 將__A____。 (8)若換一個值較小的晶體管，則靜態(tài)的將___C__。 (9) 增大時， 將_A_____。 (10) 增大時，將__B____。 (11) 增大時，將__C____。 (12) 增大時

28、，將__C____。 A.增大 B.減小 C.不變 12、由NPN晶體管組成的基本放大電路，如圖： 輸出電壓波形出現(xiàn)了頂部削平的失真，則： （1）這種失真是___B______ A.飽和失真 B.截止失真 C.交越失真 D.頻率失真。 （2）為了消除這種失真，應___D_____ A．減小集電極電阻 B.改換小的管子 C.增大基極偏置電阻Rb D．減小基極偏置電阻Rb, E.減小電源電壓。 13、由PNP晶體管組成的基本放

29、大電路，如圖： 電壓波形出現(xiàn)了頂部削平的失真:則 (1) 這種失真是___A______ A.飽和失真 B.截止失真 C 交越失真 D 頻率失真。 （2）為了消除這種失真，應___A，B，C______ A．減小集電極電阻 B.改換小的管子 C增大基極偏置電阻Rb D.減小基極偏置電阻Rb E.減小電源電壓。 14、如下圖，選擇正確答案填空 （1） 要使靜態(tài)工作電流減小，則應_A_____ 。 （2）在適當范圍內增大，則|| _B_____， _A_____， _C_____。

30、 （3) 在適當范圍內增大，則|| _C_____， __C____， _C_____。 (4) 從輸出端開路，到接上，靜態(tài)工作點將_C_____， _B_____，（設靜態(tài)工作點偏低） (5) 減小時，直流負載線斜率__C____。 (6)減小時，直流負載線斜率__A____。 A.增大 B.減小 C.不變 (7) 若=10V, =4，=6，=3.3，=2，、足夠大，設則: ① Vi=0，管壓降大約是__B____ （A． 4V B． 4.7V C 7V D 5V) ② 使管

31、子由50改為100，則|是 __A__________ （A.約為原來的2倍 B.約為原來的 C.基本不變 D 約為原來的4倍） ③保持=50不變，將由3.3改為6.6，則|| _C_____ 。 （A 約為原來的2倍 B 約為原來的 C 基本不變 D 約為原來的4倍 E 約為原來的） 15、兩級放大電路=-40，=-50，若輸入電壓,則輸出電壓為_C_____ A．-200mV B.-250mV C.10V D.100V 三、判斷題 1、試判斷圖示各電路能否放大交流電壓信號（能放大

32、的√，不能正常放大的畫×）。 √ × × 2、測得某些電路中幾個三極管各極的電位如下圖所示，試判斷各三極管 晶體管分別工作在截止區(qū)、放大區(qū)還是飽和區(qū)。 放大 截止 飽和 放大 3、判斷三極管的工作狀態(tài)（放大、截止、飽和）。（6分） (a) 放大

33、 (b) 截止 4、判斷圖示電路是否有信號放大作用（用“√”，“×”表示。每圖3分，共12分） (a) × (b) × (c) × （d） × (e) × (f) √ 5、判斷下列電路能否放大電壓信號。（設圖中所有電容對交流信號視為短路） （6分） (a) √ (b) × (c) × 6、

34、如下圖，判斷是否正確： （1）=////（+）（ × ） （2） =////[+(1+)] （ × ） （3） =//// （ √ ） （4） =// （ × ） （5） = （ √ ） （6） = - （ × ） （7） = （ × ） （8） = - （ √ ） 7、判斷下列說法是否正確，對的畫√，錯誤的畫× (1) 晶體管的輸入電阻是一個動態(tài)電阻，故它與靜態(tài)工作點無關。（×） (2) 在基本共射放大電路中，為得到較高的輸入電阻，在固定不變的條件下，晶體管的電流放大系數(shù)應該盡可能大些。（ ×

35、） (3) 在基本共射放大電路中，若晶體管的增大一倍，則電壓放大倍數(shù)也相應增大一倍。（√ ） (4) 對于基極分壓式工作點穩(wěn)定電路來說，其電壓放大倍數(shù)也隨的增大成正比的增大。（× ） (5) 共集放大電路的電壓放大倍數(shù)是小于1，故不能用來實現(xiàn)功率放大。（× ） (6) 共射放大電路既能放大電壓，也能放大電流。（ √） (7) 共集放大電路可放大電壓，但不能放大電流。（× ） (8) 共基放大電路只能放大電流，但不能放大電壓。（ ×） 四 分析題 1、試指出下圖中電路的錯誤，并畫出正確的電路（圖中晶體管類型不允許改變） 有三個錯誤： （1）：電源極性錯 （2）：極

36、性錯 （3）：位置接錯 2、 分析下圖有何錯誤，應如何改正才能使電壓正常放大，畫出更改后的電路，要求所用的晶體管不變以及其他元件不增減。 有三個錯 （1）位置接錯 （2）位置接錯 （3）位置接錯 3、 分析下圖能否對的正弦電壓進行線性放大，如不能指出錯在哪里，并進行改正，要求不增減元件，且電壓放大倍數(shù)絕對值要大于1，無直流成分。 答：不能正常放大。 錯誤有：（1）位置接錯。 （2）位置接錯。 （3）、極性接反。 （4）若要，則不能從射極輸出。 = , 且無直流成分。 4、有兩個放大電路如下圖所示，向各是什么組態(tài)？（共射，共基，共集）若晶體管

37、都工作在放大區(qū)，輸入端均加上正弦小信號電壓，請問圖中所示的輸出波形是否正確？若有錯誤，應如何改正？設電容都很大。 均為共基組態(tài)。波形有錯。 （a）圖波形應與波形相同。 （b）圖波形應無直流分量 五、計算題 1、在下圖的放大電路中,設三極管的=30，=0.7V，= 1,=10,,=1.3,==5,=12V。 （1）試估算靜態(tài)時的、、；（5分） （2）設電容、和均足夠大，試估算放大電路的中頻電壓放大倍數(shù)；（5分） （3）估算放大電路的輸入電阻和輸出電阻；（5分） （4）如果去掉旁路電容，寫出此時放大電路的中頻電壓放大倍數(shù)和輸入電阻和輸出電阻的表達式（可不計算出具體數(shù)值

38、）。（5分） （1） （2） (3) (4)斷開，有電流串聯(lián)負反饋，（下降），增加，不變； 2、（20分）圖示電路中，已知UBEQ=0.7V，β=100，=374Ω，RB1=5 kΩ，RB2=15 kΩ，RE=2.3 kΩ，RC=RL=3 kΩ，VCC=12V。 （1）估算電路的靜態(tài)工作點UBQ、ICQ、UCEQ （2）畫出微變等效電路，計算電壓放大倍數(shù)、 輸入電阻Ri、輸出電阻Ro （3）若信號源內阻為RS=1kΩ時，求 的數(shù)值。 （1） （2）圖略 （3） 3、如下圖，足夠大， （1）畫出直流通路

39、和微變等效電路（6分）。 （2）設，求靜態(tài)工作點、（4分） （3）求、、，設=30，=194（6分） （4）、忽略不計，估算最大不失真輸出電壓峰值（4分）（總共20分） 解:（1）圖略 （2） （3） （4）不飽和失真 不截止失真 最大不是真輸出電壓峰值 4、如圖所示電路中，已知三極管T為硅管 =337Ω,UBEQ=0.7V,β=50；Rb1=51KΩ , Rb2=15KΩ , RE=1KΩ, Rc=2KΩ, RL=2KΩ,VCC=12V。(共18分) 試求： （1）靜態(tài)工作點Q（IBQ.ICQ.UCEQ）？

40、（2）電壓放大倍數(shù)AU＝？輸入電阻Ri＝? 輸出電阻Ro＝? 解：（1） （2） 5、電路如下圖（a）所示，圖（b）是晶體管的輸出特性，靜態(tài)時UBEQ＝0.7V。利用圖解法分別求出RL＝∞和RL＝3kΩ時的靜態(tài)工作點和最大不失真輸出電壓Uom。（共15分） 解： 6.根據(jù)圖示放大電路及晶體管的輸出特性曲線。（共15分） （1）圖解法靜態(tài)工作點Q（、）。（設=40uA,=50）（6分） （2）畫出微變等效電路，估算放大器的動態(tài)參數(shù)、、（設=340，=60） （9分） 解:

41、 相交Q點，得 (2) 7、如下圖，~足夠大， （1）畫出直流通路和微變等效電路（4分）。 （2）求靜態(tài)工作點、。（4分） （3）求輸入、輸出電阻、及電壓放大倍數(shù)各自的表達式。（4分） （總共12分） (1)略 （2） （3）=// R=R//R ==- =+(1+)=+ 8．電路如下圖所示，晶體管的β＝100， rbb’=100Ω， =0.7V。（共20分） （1）畫直流通路和微變等效電路。（6分） （2）求電路的Q點、Au、Ri和Ro；（9分） （3）若電容Ce開路，則將引起電路的哪些動態(tài)參數(shù)發(fā)生變化？如何變化？（5分

42、） (2) ==2V ==1mA =12-1(5+1.3)=5.7v =100+(1+100)=2.7k =-=-7.64 =////[+(1+)]=3.66k ==5k (3) Ce開路，Au下降，Ri上升，不變 9． 如圖所示的放大電路（10分） （1）寫出輸出，輸出時，電路的電壓放大倍數(shù)、的表達式。 （2）根據(jù)輸入波形，當時，畫出、的波形。 10. 如下圖，的=10ms, 的=100，=，試估算：（1）的值；(2) ；（3） 。(C1到C4足夠大） 11. 如下圖，求（1）接在A(斷開）時，（2）接在B點時的，設=，=100，并求這時的，。C足夠大。 （1）= = （2） 12. 如下圖： （1） 推導出飽和條件（與電路參數(shù)關系式） （2） 若=120KΩ，，=100，=0.7V,試問電路工作在什么狀態(tài)(放大，飽和，截止） （3) 應如何改變電路參數(shù)，使之脫離上述工作狀態(tài)？ (1)NPN管發(fā)射結正偏，要使集電結也正偏，必須,即得為飽和條件。 （2）此時電路工作在飽和狀態(tài)。 （3）為了脫離飽和狀態(tài)，有三個方法： ①β，不變， ②不變， ③不變，換管子使