DZ241電動(dòng)汽車自動(dòng)控制系統(tǒng)

DZ241電動(dòng)汽車自動(dòng)控制系統(tǒng),dz241,電動(dòng)汽車,自動(dòng)控制系統(tǒng) 微處理器1.1 前言微處理器是一個(gè)電子電路，其功能相當(dāng)于計(jì)算機(jī)的中央處理單元，提供計(jì)算的控制。微處理器也用于電子系統(tǒng)，例如計(jì)算機(jī)的打印機(jī)，汽車和噴氣飛機(jī)等，微處理器是一類超大規(guī)模集成電路。集成電路是復(fù)雜的電子電路，它由印制在單個(gè)，細(xì)小和平整的半導(dǎo)體材料上的極其微小的元件組成。現(xiàn)代微處理器合并了多達(dá) 1 千萬個(gè)晶體管，另外還有像電阻，二極管，電容和導(dǎo)線等其他元件，通通裝進(jìn)大約郵票大小的一塊面積里。一個(gè)微處理器由幾個(gè)不同的部分組成，算術(shù)邏輯單元實(shí)現(xiàn)數(shù)字計(jì)算和邏輯推理判斷；寄存器是存儲(chǔ)器暫時(shí)信息的特殊記憶區(qū)，就像便攜本的功能一樣；控制單元解釋程序；總線承載出入芯片和計(jì)算機(jī)的數(shù)據(jù)信息；內(nèi)存支持片上計(jì)算。更復(fù)雜的微處理器往往包含其他部件，例如特殊存儲(chǔ)區(qū)，也叫高速緩存存儲(chǔ)器，也可以加速微處理器對(duì)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備訪問。新式微處理器是以 64 比特的總線寬度工作的，這就是說，可同時(shí)傳輸 64 位數(shù)據(jù)，它是一個(gè)二進(jìn)制數(shù)，即用 1 和 0 表示的信息單位元。計(jì)算機(jī)的晶振提供協(xié)調(diào)微處理器所有活動(dòng)的時(shí)鐘信號(hào)。最先進(jìn)的微處理器的時(shí)鐘頻率是 300MHz，允許在每秒鐘可以執(zhí)行 10 億個(gè)計(jì)算機(jī)指令。1.2 計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器由于微處理器本身不能提供大量的存儲(chǔ)空間去存儲(chǔ)程序指令和數(shù)據(jù)，像字處理程序中的文本，就需要晶體管與微處理器結(jié)合當(dāng)作存儲(chǔ)元件使用。單獨(dú)的存儲(chǔ)集成電路稱為隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器，它包括大量的晶體管，與微處理器結(jié)合在一起提供需要的存儲(chǔ)空間。隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器分為：靜態(tài) RAM 在有電時(shí)可以保存信息，由于其操作速度快，通常被當(dāng)作高速緩存存儲(chǔ)器使用。另一類存儲(chǔ)器是動(dòng)態(tài) RAM 比靜態(tài)的速度慢，必須用電定期刷新，否則保持的信息將丟失。動(dòng)態(tài) RAM 比靜態(tài) RAM 有更高的效率，在大多數(shù)計(jì)算機(jī)中，動(dòng)態(tài) RAM 作為主要的存儲(chǔ)單元。1.3 微控制器微控制器不是完整的計(jì)算機(jī)。它沒有大容量的存儲(chǔ)器，也沒有能力鍵盤，游戲桿和鼠標(biāo)等輸入設(shè)備以及顯示器和打印器和打印機(jī)等輸出設(shè)備進(jìn)行通信。微控制器是一個(gè)不同類型的集成電路，它是一個(gè)完整的片上計(jì)算機(jī)面包喊了具有特殊功能的基本微處理器的所有功能部件。視頻游戲，錄象機(jī)，汽車和其他機(jī)器都使用了微控制器。1.4 半導(dǎo)體 所有的集成電路都是由半導(dǎo)體制造的，半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和非導(dǎo)體或絕緣體之間。硅是最通用的半導(dǎo)體材料。因?yàn)榘雽?dǎo)體的導(dǎo)電性能可以隨著施加電壓的改變而改變。由半導(dǎo)體制成的集體觀可以像微開關(guān)那樣動(dòng)作，在僅僅幾納秒的時(shí)間內(nèi)可以切斷和連接電流。晶體管的這種能力可以使計(jì)算機(jī)一秒鐘執(zhí)行上百萬條單指令，也可以很快完成復(fù)雜的任務(wù)。大多數(shù)半導(dǎo)體器件的基本組成有二極管，N 型和 P 型的連接或合并。 “N”型和“P”型指的是經(jīng)過摻雜的半導(dǎo)體材料，控制加入非常少量的硼或磷這樣的雜質(zhì)。這些半導(dǎo)體材料的連接處，而且僅發(fā)生在 P 區(qū)電壓比 N 區(qū)高的情況下。這種情況下施加給二極管的電壓叫正向偏置。施加相反的電壓叫反向偏置，二極管沒有電流通過。一個(gè)集成電路包含有幾百萬個(gè) PN 結(jié)，而且每一個(gè)結(jié)服務(wù)與特定的目的。P 區(qū)和 N 區(qū)的恰當(dāng)布局和偏置要求電流有正確的路徑，確保整個(gè)芯片正確地工作。1.5 晶體管在微電子行業(yè)廣泛使用的晶體管被稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管。它包含有兩個(gè) N 型區(qū)，被稱為源極和漏極，在源極和漏極之間的 P 型區(qū)被稱為溝道。在溝道上是一層很薄的不導(dǎo)電的二氧化硅，二氧化硅上面附的另一層叫做柵極。要使電流從源極流向漏極，必須在柵極加一個(gè)正偏壓。這就使得柵極像一個(gè)控制開關(guān)，連通和關(guān)斷 MOS 場效應(yīng)，構(gòu)成一個(gè)邏輯門，在微處理器中傳送數(shù)字 1 和 0。1.6 微處理器的制造制造微處理器采用的技術(shù)與制造其他集成電路使用的技術(shù)類似，例如存儲(chǔ)器芯片。微處理器通常具有比其他芯片更復(fù)雜的結(jié)構(gòu)，而且微處理器的制造需要極其精細(xì)的技術(shù)。微處理器的經(jīng)濟(jì)制造需要批量生產(chǎn)。在硅晶片的表面，上百個(gè)的掩膜或電路模式被同時(shí)制造出來。微處理器是通過導(dǎo)電物質(zhì)，絕緣物質(zhì)和半導(dǎo)體物質(zhì)的無數(shù)次沉積和清除過程制造的，每次一薄層，直到幾百萬個(gè)分離的步驟后，才制成一個(gè)復(fù)雜的“三明治” ，它包含了微處理器的所有內(nèi)部連線和電路。僅在硅晶體的外表面的部分被用于電子電路。加工處理的步驟包括襯基的制備，氧化，光刻，蝕刻，注入和薄膜沉積。生產(chǎn)微處理器的第一步是制造超純的硅基體，然后將所有圓晶體形狀的硅切片磨成平滑的鏡面。幾乎沉積在晶體的每一層都必須精確地按晶體管和其他電子元件的形狀制備。通常這個(gè)處理過程叫做光刻，它類似于把晶片轉(zhuǎn)換為一張攝像圖片和投射一個(gè)電路圖片在晶片上。晶片邊面的叫防光劑或防腐蝕劑的涂層，當(dāng)曝露在光線下將發(fā)生變化，這樣使得它很容易溶解在規(guī)定的模板中。這些模板的尺寸只有 0.25 微米，因?yàn)樽疃痰目梢姽獾牟ㄩL是大約 0.5 微米，短波長的紫外線才可以用于模板微小細(xì)節(jié)的溶解。光刻后，對(duì)晶片進(jìn)行腐蝕，或者用化學(xué)藥品進(jìn)行濕腐蝕，或者放在一個(gè)特別的裝有等離子體腐蝕氣體的密室中，出去抗蝕劑。緊接著的步驟是離子注入，像硼和磷等雜質(zhì)被摻入硅內(nèi)，可以改變其導(dǎo)電性。完成這個(gè)過程需要電離硼或者磷原子，用離子注入機(jī)使用巨大的能量將它們推進(jìn)晶片里，最后離子依次嵌入在晶片的表面中。用于構(gòu)建微處理器的薄層被稱做薄膜。這一過程的最后一步，是在一個(gè)等離子體濺射器中進(jìn)行沉積的，生成一層薄膜。這可以用蒸發(fā)法，把涂料熔化，然后蒸發(fā)，使其涂覆在晶片中；也可以用化學(xué)氣化沉積法，使涂料在低壓或正常氣壓下，從氣態(tài)濃縮在晶片中。在每種方法中，薄膜必須似是高度純凈的，它的厚度必須控制在幾個(gè)微米之內(nèi)。微處理器的結(jié)構(gòu)如此小和精細(xì)以至于灰塵可以破壞整個(gè)掩模。因?yàn)樯a(chǎn)微處理器車間的空氣需要極好的過濾和沒有任何灰塵，所以此車間被稱為清潔車間。今天最清潔的車間被定義為一類車間：它表明每立方英尺的空氣中超過 0.12μm 微粒的最大數(shù)目。1.7 微處理器的歷史第一個(gè)微處理器是 1971 年生產(chǎn)的英特爾 4004。它最初是為計(jì)算機(jī)開發(fā)的，但它是那個(gè)時(shí)代的革命，在這個(gè) 4 位微處理器上包含 2300 個(gè)晶體管，每秒鐘可以執(zhí)行將近 6 萬個(gè)指令。第一個(gè) 8 位微處理器是 1972 年開發(fā)的作為計(jì)算機(jī)終端的英特爾8080，它包含 4500 個(gè)晶體管，每秒能夠執(zhí)行 20 萬個(gè)指令?，F(xiàn)代微處理器具有更大的容量和更高的速度。1.8 未來技術(shù)微處理器和集成電路的制造技術(shù)變革非常快。當(dāng)前，最復(fù)雜的微處理器集成了將近 1000 萬個(gè)晶體管。到 2000 年，先進(jìn)的微處理器將期望達(dá)到可以集成 5000 萬個(gè)晶體管，到 2010 年，將達(dá)到 80 億個(gè)。光刻技術(shù)也將改進(jìn)。到 2000 年，最小元件的尺寸將小于 0.2μm。按這樣的尺寸，即使最短的紫外線也可能達(dá)不到必須的精度?？赡艿倪x擇包括使用非常窄的電子和離子束，或者使用超短波長的 X 射線代替光刻技術(shù)。未來的微處理器可能需要像分子束外延和掃描隧道顯微檢查這些技術(shù)作為其制造工具。分子束外延是半導(dǎo)體在超真空的密室里一次一個(gè)原子地培植，利用掃描隧道顯微檢查，都能夠看到單個(gè)的原子，甚至以原子大小的精度對(duì)原子進(jìn)行移動(dòng)。