基于單片機外文翻譯@中英文翻譯@外文文獻翻譯
《基于單片機外文翻譯@中英文翻譯@外文文獻翻譯》由會員分享,可在線閱讀,更多相關《基于單片機外文翻譯@中英文翻譯@外文文獻翻譯(15頁珍藏版)》請在裝配圖網上搜索。
英文原文 he is a K 28 is s is a PU on a is a a to 4K 1,000 0 Hz 4 128 x 8 32 6 4K 128 32 I/O 6a a In is to PU to AM is , be as be to be to In 0 is , of is , of to 6 In it s. to of 2 is , of of of as A on is of 3.0 to is In LE is at a , be or LE is to If be by FR is a is no if is in is to is is to EA be ND in to to 000H up if is EA be on EA be CC 22to to of an be as an as . a or be To an be is as . no on of to is a be n PU to is by of AM be by or by a It be is by a it up to to AM in to is To of an to a is by be to a or to 1 1 0 0 0 n is is AM is is a be CC is to be to to n be U) or be P) to in is at A is If is up a to a is It is A be in at in to is in to be a 12or a a to s is is or in 2v v 030H)=1031H)=51H (032H)=030H)=1031H)=51H (032H)=05H is in To in be be up to . To 1. on 2. on 3. of 4. A/2V 5. to a in or is no .5 , or of is to of a a an of in of on a of be by SY is LE to is is to If B1 B2 be be of is by is by of by 0 is 1”s. be be by as a of 30H, 031H, 32H, 3.6 3.7 be to a as (030H) = 1EH 031H) = 51H 9032H) = 2V 032H) = 05H V in be be by of is to 中文翻譯 描述 性能 內含4 128 隨機存取數據存儲器( 器件采用 易失性存儲技術生產,兼容標準 內置通用 8位中央處理器( 儲單元,功能強大 片機可為您提供許多高性價比的應用場合,可靈活應用于各種控制領域。 主要性能參數: 與 41000次擦寫周期 全靜態(tài)操作: 024級加密程序存儲器 128*8字節(jié)內部 2個可編程 I/O 口 2個 16位定時計數器 6個中斷源 可編程串行 道 低功耗空閑和掉電模式 功能特性概述 4K 字節(jié) 速存儲器, 128字節(jié)內部 2個 I/個 16位定時計數器,一個 5向量兩級中斷結構,一個全雙工串行通信口,片內振蕩器及時鐘電路。同時, 靜態(tài)邏輯操作,并支持兩種軟件可選的節(jié)電工作模式。 空閑方式停止 允許時計數器,串行通信口及中斷系統(tǒng)繼續(xù)工作。掉電方式保存 的內容,但振蕩器停止工作并禁止其它所有部件工作直到下一個硬件復位。 方框圖 引腳功能說明 源電壓 位漏極開路型雙向 I/即地址 /數據總線復位口。作為輸出口用時,每位能吸收電流的方式驅動 8 個邏輯門電路,對端口寫“ 1”可 作為高阻抗輸入端用。 在訪問外部數據存儲器或程序存儲器時,這組口線分時轉換地址(低 8位)和數據總線復用,在訪問期間激活內部上拉 電阻。 位雙向 I/收或輸出電流) 4個 端口寫“ 1”,通過內部的上拉電阻把端口拉到高電平,此時可做熟出口。做輸出口使用時,因為內部存在上拉電阻,某個引腳被外部信號拉低時會輸出一個電流( . 位地址。 位雙向 I/收或輸出電流) 4個 端口寫“ 1”,通過內部地山拉電阻把端口拉到高電平,此時可作為輸 出口,作輸出口使用時,因為內部存在上拉電阻,某個引腳被外部信號拉低時會輸出一個電流( 在訪問外部程序存儲器獲 16 位地址的外部數據存儲器(例如執(zhí)行 , 送出高 8位地址數據。在訪問 8位地址的外部數據存儲器(如執(zhí)行 令)時, 線上的內容(也即特殊功能寄存器( 中 在整個訪問期間不改變。 位雙向 I/吸收或輸出電流) 4個 1”時,他們被內部上拉電阻拉高并可作為輸出口。做輸出端時,被外部拉低的 將用上拉電阻輸出電流( 除了作為一般的 I/O 口線外,更重要的用途是它的第二功能,如下表所示: 還接收一些用于 速存儲器編程和程序校驗的控制信號。 位輸入。當振蕩器工作時, 腳出現兩端口引腳 第二功能 串行輸入口 ) 串行輸出口 ) 外中斷 0) 外中斷 1) 定時 /計數器 0) 定時 /計數器 1) 外部數 據存儲器寫選通 ) 外部數據存儲器讀選通 ) 個機器周期以上高電平將使單片機復位。 訪問外部程序存儲器或數據存儲器時, 址所存允許)輸出脈沖用于所存地址的低 8位字節(jié)。即使不訪問外部存儲器, 以時鐘振蕩頻率的 1/6輸出固定的正脈沖信號,因此它可對外輸出時鐘或用于定時目的。要注意的是:每當訪問外部數據存儲器時將跳過一個 對 引腳還用于輸入編程脈沖( 如有不要,可通過對特殊功能寄存器( 中的 80位置位,可禁止 外置位后,只要一條 外,該引腳會被微弱拉高,單片機執(zhí)行外部程序時,應設置 序存儲允許( 出是外部程序存儲器的讀選通信號,當數據)時,每個機器周期兩個 輸出兩個脈沖。在此期間,當訪問外部數據存儲器,這兩次有效的 部訪問允許。欲使 訪問外部程序存儲器(地址為0000 必須保持低電平(接地)。需注意的是 ; 如果加密位 位時內部會鎖存 如 引腳加上 +12V 的編程允許電源 然這必須是該器件是使用 12V 編程電壓 振蕩器反相放大器的及內部時鐘發(fā)生器的輸出端。 振蕩器反相放大器的輸出端。 時鐘振蕩器 : 有一個用于構成內部振蕩器的高增益反相放大器,引腳 個放大器與作為反饋的片外石英晶體或陶瓷諧振器一起構成自激振蕩器,振蕩電路參見圖 5。 外接石英晶體(或陶瓷諧振器)及電容 在放大器的反饋回路中構成并聯(lián)振蕩電路。對外接電容 然沒有十分嚴格的要求,但電容容量的大小會輕微影響振蕩頻率的高低、振蕩器的穩(wěn)定性、起振的難易程度及溫度穩(wěn)定性,如果使用石英晶體,我們推薦電容使用 300如使用陶瓷諧振器建議選擇 400 用戶也可以采用外部時鐘。采用外部時鐘的電路如圖 5右所示。這種情況下,外部時鐘脈沖接到 內部時鐘發(fā)生器的輸入端, 由于外部時鐘信號是通過一個 2分頻觸發(fā)器后作為內部時鐘信號的,所以對外部時鐘信號的占空比沒有特殊要求,但最小高電平持續(xù)時間和最大的低電平持續(xù)時間應符合產品技術要求。 空閑模式 : 在空閑工作模式狀態(tài), 持睡眠狀態(tài)而所有片內的外設仍保持激活狀態(tài),這種方式由軟件產生。此時,片內 所有特殊功能寄存器的內容保持不變??臻e模式可由任何允許的中斷請求或硬件復位終止 。 終止空閑工作模式的方法有兩種,其一是任何一條被允許中斷的事件被激活,即可終止空閑工作模式。程序會首先響應中斷,進入中斷服務程序,執(zhí)行完中斷服務程序并僅隨終端返回指令,下一條要執(zhí)行的指令就是使單片機進入空閑模式那條指令后面的一條指令。其二是通過硬件復位也可將空閑工作模式終止,需要注意的是,當由硬件復位來終止空閑模式時, 完成內部復位操作,硬件復位脈沖要保持兩個機器周期( 24 個時鐘周期)有效,在這種情況下,內部禁止 問片內 允許 訪問其它端口。為了避免可能對端口產生以外寫入,激活空閑模式的那條指令后一條指令不應該是一條對端口或外部存儲器的寫入指令。 空閑和掉電模式外部引腳狀態(tài) 模式 程序存儲器 閑模式 內部 1 1 數據 數據 數據 數據 空閑模式 外部 1 1 浮空 數據 數據 數據 掉電模式 內部 0 0 數據 數據 數據 數據 掉電模式 外部 0 0 浮空 數據 數據 數據 掉電模式 : 在掉電模式下,震蕩器停止工作,進入掉電模式的指令是最后一 條被執(zhí)行的指令,片內 出掉電模式的唯一方法是硬件復位,復位后將重新定義全部特殊功能寄存器但不改變 位應無效,且必須保持一定時間以使振蕩器重啟動并穩(wěn)定工作。 程序存儲器的加密 : 個加密位進行編程( P)或不編程( U)來得到如下表所示的功能: 加密位保護功能表 程序加密位 保護類型 U U U 沒有程序保護功能 2 P U U 禁止從外 部程序存儲器中執(zhí)行 3 P P U 除上表功能外,還禁止程序校驗 4 P P P 除以上功能外,同時禁止外部執(zhí)行 當加密位 編程時,在復位期間, 的邏輯電平被采樣并鎖存,如果單片機上電后一直沒有復位,則鎖存起的初始值是一個隨機數,且這個隨機數會一直保持到真正復位為止。為使單片機能正常工作,被鎖存的 平值必須與該引腳當前的邏輯電平一致。此外,加密位只能通過整片擦除的方法清除。 速存儲器的編程 : 片機內部有 4K 字節(jié)的 個 儲陣列出廠時已處于擦除狀態(tài)(即所有存儲單元的內容均為 用戶隨時可對其進行編程。編程接口可接收高電平( +12V)或低電平( 允許編程信號,低電平編程模式適合于用戶再線編程系統(tǒng),而高電平編程模式可與通用 程器兼容。 些屬于低電壓編程方式,而有些則是高電平編程方式,用戶可從芯片上的型號和讀取芯片內的簽名字節(jié)獲得該信息,見下表。 2v v 芯片頂面標識 名字節(jié) (030H)=1031H)=51H (032H)=030H)=1031H)=51H (032H)=05H 程序存儲器陣列是采用字節(jié)寫入方式編程的,每次寫入一個字節(jié),要對整個芯片內的 須使用片擦除的方式將整個存儲器的內容清除。 編程方法: 編程前,需按表 1、圖 3和圖 4所示設置好地址,數據及控制信號, 1 在地址線上加上要編程單元的地址信號。 2 在數據線上加上要寫 入的數據字節(jié)。 3 激活相應的控制信號。 4 在高電壓編程方式時,將 加上 +12 5 每對 上一個 程脈沖,改變編程單元的地址和寫入的數據,重復 1 5步驟,直到全部文件編程結束。每個字節(jié)寫入周期是自身定時地,通常約為 數據查詢 : 片機用數據查詢方式來檢測一個寫周期是否結束,在一個寫周期中,如需要讀取最后寫入的那個字節(jié),則讀出的數據的最高位( 原來寫入字節(jié)最高位的反碼。寫周期完成后,有效的 數據就會出現在所有輸出端上,此時,可進入下一個字節(jié)的寫周期,寫周期開始后,可在任意時刻進行數據查詢。 字節(jié)編程的進度可通過“ 出信號監(jiān)測,編程期間, 為高電平“ H”后 電平被拉低,表示正在編程狀態(tài)(忙狀態(tài))。編程完成后, 程序校驗 :如果加密位 有進行編程,則代碼數據可通過地址和數據線讀回原編寫的數據。加密位不可能直接變化。證實加密位的完成通過觀察它們的特點和能力。 芯片擦除 :利用控制 信號的正確組合(表 1)并保持 腳 104片擦除,代碼陣列在擦除操作中將任何非空單元寫入“ 1”,這步驟需要再編程之前進行。 讀片內簽名字節(jié): 片機內有 3 個簽名字節(jié),地址為 030H、 03132H。用于聲明該器件的廠商、型號和編程電壓。讀簽名字節(jié)的過程和單元 030H、 031H 和 032需將 回值意義如下: ( 030H) =1明產品由 ( 031H) =51H 聲 明為 ( 032H) =明為 12 ( 032H) =05H 聲明為 5 編程接口: 采用控制信號的正確組合可對 操作周期是自身定時的,初始化后它將自動定時到操作完成。- 配套講稿:
如PPT文件的首頁顯示word圖標,表示該PPT已包含配套word講稿。雙擊word圖標可打開word文檔。
- 特殊限制:
部分文檔作品中含有的國旗、國徽等圖片,僅作為作品整體效果示例展示,禁止商用。設計者僅對作品中獨創(chuàng)性部分享有著作權。
- 關 鍵 詞:
- 基于 單片機 外文 翻譯 中英文 文獻
裝配圖網所有資源均是用戶自行上傳分享,僅供網友學習交流,未經上傳用戶書面授權,請勿作他用。
鏈接地址:http://m.appdesigncorp.com/p-106943.html