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1、(新課標)2022屆高考物理一輪復習 第12章 近代物理 第一節(jié) 光電效應 波粒二象性達標診斷高效訓練
一、單項選擇題
1.(2018·茂名模擬)用一束紫外線照射某金屬時不能發(fā)生光電效應,可能使該金屬發(fā)生光電效應的措施是( )
A.改用紅光照射
B.改用X射線照射
C.改用強度更大的原紫外線照射
D.延長原紫外線的照射時間
解析:選B.根據(jù)光電效應發(fā)生的條件ν>ν0,必須用能量更大,即頻率更高的粒子.能否發(fā)生光電效應與光的強度和照射時間無關(guān).X射線的頻率大于紫外線的頻率.故A、C、D錯誤,B正確.
2.關(guān)于光電效應的規(guī)律,下列說法中正確的是( )
A.發(fā)生光電效應時,不改
2、變?nèi)肷涔獾念l率,增大入射光強度,則單位時間內(nèi)從金屬內(nèi)逸出的光電子數(shù)目增多
B.光電子的最大初動能跟入射光強度成正比
C.發(fā)生光電效應的反應時間一般都大于10-7 s
D.只有入射光的波長大于該金屬的極限波長,光電效應才能發(fā)生
解析:選A.發(fā)生光電效應時,不改變?nèi)肷涔獾念l率,增大入射光強度,則單位時間內(nèi)打到金屬上的光子個數(shù)增加,則從金屬內(nèi)逸出的光電子數(shù)目增多,選項A正確;光電子的最大初動能跟入射光強度無關(guān),隨入射光的頻率增大而增大,選項B錯誤;發(fā)生光電效應的反應時間一般都不超過10-9 s,選項C錯誤;只有入射光的頻率大于該金屬的極限頻率時,即入射光的波長小于該金屬的極限波長時,光電效應
3、才能發(fā)生,選項D錯誤.
3.某光源發(fā)出的光由不同波長的光組成,不同波長的光的強度如圖所示,表中給出了一些材料的極限波長,用該光源發(fā)出的光照射表中材料( )
材料
鈉
銅
鉑
極限波長(nm)
541
268
196
A.僅鈉能產(chǎn)生光電子 B.僅鈉、銅能產(chǎn)生光電子
C.僅銅、鉑能產(chǎn)生光電子 D.都能產(chǎn)生光電子
解析:選D.根據(jù)愛因斯坦光電效應方程可知,只有光源的波長小于某金屬的極限波長,才有光電子逸出,該光源發(fā)出的光的波長有小于100 nm,小于鈉、銅、鉑三個的極限波長,都能產(chǎn)生光電子,故D正確,A、B、C錯誤.
4.(2018·湖北八校聯(lián)考)下表是按
4、照密立根的方法進行光電效應實驗時得到的某金屬的遏止電壓Uc和入射光的頻率ν的幾組數(shù)據(jù).
Uc/V
0.541
0.637
0.714
0.809
0.878
ν/×1014 Hz
5.644
5.888
6.098
6.303
6.501
由以上數(shù)據(jù)應用Excel描點連線,可得直線方程,如圖所示.
則這種金屬的截止頻率約為( )
A.3.5×1014Hz B.4.3×1014Hz
C.5.5×1014Hz D.6.0×1014Hz
解析:選B.遏止電壓為零時,入射光的頻率等于截止頻率,根據(jù)方程Uc=0.397 3-1.702 4,當Uc=0時,解得ν
5、≈4.3×1014Hz,B正確.
5.(2017·高考北京卷)2017年年初,我國研制的“大連光源”——極紫外自由電子激光裝置,發(fā)出了波長在100 nm(1 nm=10-9 m)附近連續(xù)可調(diào)的世界上最強的極紫外激光脈沖.大連光源因其光子的能量大、密度高,可在能源利用、光刻技術(shù)、霧霾治理等領(lǐng)域的研究中發(fā)揮重要作用.
一個處于極紫外波段的光子所具有的能量可以電離一個分子,但又不會把分子打碎.據(jù)此判斷,能夠電離一個分子的能量約為(取普朗克常量h=6.6×10-34 J·s,真空光速c=3×108 m/s)( )
A.10-21 J B.10-18 J
C.10-15 J D.10-12
6、 J
解析:選B.光子的能量E=hν,c=λν,聯(lián)立解得E≈2×10-18 J,B項正確.
6.(2018·江蘇蘇錫常鎮(zhèn)四市調(diào)研)如圖所示為研究光電效應現(xiàn)象的實驗,電路中所有元件完好,當光照射到光電管上時,靈敏電流計中沒有電流通過,可能的原因是( )
A.入射光強度較弱
B.入射光波長太長
C.電源電壓太高
D.光照射時間太短
解析:選B.光的強度和光照時間都不能決定能否發(fā)生光電效應;光照射到光電管上時,靈敏電流計中沒有電流通過,則可能是沒有發(fā)生光電效應,即入射光的頻率過小,波長較大造成的; 電源電壓也不能決定光電管中能否有光電流;故選項B正確,A、C、D錯誤.
7.19
7、27年戴維孫和湯姆孫分別完成了電子衍射實驗,該實驗是榮獲諾貝爾獎的重大近代物理實驗之一.如圖所示的是該實驗裝置的簡化圖,下列說法錯誤的是( )
A.亮條紋是電子到達概率大的地方
B.該實驗說明物質(zhì)波理論是正確的
C.該實驗再次說明光子具有波動性
D.該實驗說明實物粒子具有波動性
答案:C
二、多項選擇題
8.如圖甲所示為實驗小組利用100多個電子通過雙縫后的部分干涉圖樣,可以看出每一個電子都是一個點;如圖乙所示為該小組利用70 000多個電子通過雙縫后的干涉圖樣,為明暗相間的條紋.則對本實驗的理解正確的是( )
A.圖甲體現(xiàn)了電子的粒子性
B.圖乙體現(xiàn)了電子的粒子
8、性
C.單個電子運動軌道是確定的
D.圖乙中暗條紋處仍有電子到達,只不過到達的概率小
解析:選AD.題圖甲中的每一個電子都是一個點,說明少數(shù)粒子體現(xiàn)粒子性,到達的位置不同,說明單個電子的運動軌道不確定,A正確,C錯誤;題圖乙中明、暗相間的條紋說明大量的粒子表現(xiàn)為波動性,B錯誤;題圖乙中暗條紋處仍有電子到達,只不過到達的概率小,D正確.
9.(2018·黑龍江雙鴨山市一中模擬)用兩束頻率相同,光照強度不同的紫外線去照射兩種不同金屬板,都能產(chǎn)生光電效應,則( )
A.金屬板帶正電,原因為有電子從金屬板逸出
B.用強度大的紫外線照射時,所產(chǎn)生的光電子的初速度一定大
C.從極限頻率較小
9、的金屬中飛出的光電子的初動能一定大
D.由光照強度大的紫外線所照射的金屬,單位時間內(nèi)產(chǎn)生的光電子數(shù)目一定多
解析:選ACD.因為有電子從金屬板逸出,故金屬板帶正電,選項A正確;光電子最大初動能與入射光的強度無關(guān),故B錯誤;由Ekmax=hν-W逸出功=hν-h(huán)ν0可知,從極限頻率較小的金屬中飛出的光電子的初動能一定大,選項C正確;單位時間內(nèi)產(chǎn)生的光電子數(shù)目與入射光的強度有關(guān),故強度較大的紫外線照射的金屬,單位時間內(nèi)產(chǎn)生的光電子數(shù)目一定多,故D正確.
10.如圖是某金屬在光的照射下產(chǎn)生的光電子的最大初動能Ek與入射光頻率ν的關(guān)系圖象.由圖象可知( )
A.該金屬的逸出功等于E
B
10、.該金屬的逸出功等于hν0
C.入射光的頻率為2ν0時,產(chǎn)生的光電子的最大初動能為E
D.入射光的頻率為時,產(chǎn)生的光電子的最大初動能為
解析:選ABC.由愛因斯坦光電效應方程Ek=hν-W0知,當ν=0時-W0=Ek,故W0=E,A項對;而Ek=0時,hν=W0即W0=hν0,B項對;入射光的頻率為2ν0時產(chǎn)生的光電子的最大初動能Ekm=2hν0-h(huán)ν0=hν0=E,C項對;入射光的頻率為時,不會發(fā)生光電效應,D錯.
11.研究光電效應規(guī)律的實驗裝置如圖甲所示,以頻率為ν的光照射光電管陰極K時,有光電子產(chǎn)生.由于光電管K、A間加的是反向電壓,光電子從陰極K發(fā)射后將向陽極A做減速運動.光
11、電流i由圖中電流計G測出,反向電壓U由電壓表V測出.當電流計的示數(shù)恰好為零時,電壓表的示數(shù)稱為反向截止電壓Uc,在如圖乙所示光電效應實驗規(guī)律的圖象中,正確的是( )
解析:選ACD.當反向電壓U與入射光頻率ν一定時,光電流i與光強成正比,所以A圖正確;頻率為ν的入射光照射陰極所發(fā)射出的光電子的最大初動能為mev=hν-W0,而截止電壓Uc與最大初動能的關(guān)系為eUc=mev,所以截止電壓Uc與入射光頻率ν的關(guān)系是eUc=hν-W0,其函數(shù)圖象不過原點,所以B圖錯誤;當光強與入射光頻率一定時,單位時間內(nèi)單位面積上逸出的光電子數(shù)及其最大初動能是一定的,所形成的光電流強度會隨反向電壓的增大
12、而減少,所以C圖正確;根據(jù)光電效應的瞬時性規(guī)律,不難確定D圖是正確的.
三、非選擇題
12.如圖甲所示是研究光電效應規(guī)律的光電管.用波長λ=0.50 μm的綠光照射陰極K,實驗測得流過G表的電流I與AK之間的電勢差UAK滿足如圖乙所示規(guī)律,取h=6.63×10-34 J·s.結(jié)合圖象,求:(結(jié)果保留兩位有效數(shù)字)
(1)每秒鐘陰極發(fā)射的光電子數(shù)和光電子飛出陰極K時的最大動能.
(2)該陰極材料的極限波長.
解析:(1)光電流達到飽和時,陰極發(fā)射的光電子全部到達陽極A,陰極每秒鐘發(fā)射的光電子的個數(shù)
n==(個)=4.0×1012(個)
光電子的最大初動能為:
Ekm=eUc=1.6×10-19 C×0.6 V=9.6×10-20 J.
(2)設(shè)陰極材料的極限波長為λ0,根據(jù)愛因斯坦光電效應方程:Ekm=h-h(huán),代入數(shù)據(jù)得λ0=0.66 μm.
答案:(1)4.0×1012個 9.6×10-20 J (2)0.66 μm