專題攻略 之物質結構 元素周期律（下）六、 實戰(zhàn)高考（二）

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專題攻略 之物質結構 元素周期律（下）六、 實戰(zhàn)高考（二）1（2015福建）短周期元素X、Y、Z、W在元素周期表中的相對位置如右下圖所示，其中W原子的質子數(shù)是其最外層電子數(shù)的三倍，下列說法不正確的是（ ）XYZWA原子半徑：WZYXB最高價氧化物對應水化物的酸性：XWZ C最簡單氣態(tài)氫化物的熱穩(wěn)定性：YXWZD元素X、Z、W的最高化合價分別與其主族序數(shù)相等2（2015上海）短周期元素甲、乙、丙、丁的原子序數(shù)依次增大，甲和丁的原子核外均有兩個未成對電子，乙、丙、丁最高價氧化物對應的水化物兩兩之間能相互反應。下列說法錯誤的是（ ）A元素丙的單質可用于冶煉金屬B甲與丁形成的分子中有非極性分子C簡單離子半徑：丁 乙 丙D甲與乙形成的化合物均有強氧化性3（2015山東）短周期元素X、Y、Z、W在元素周期表中的相對位置如圖所示。已知YW的原子充數(shù)之和是Z的3倍，下列說法正確的是（ ）YZXWA原子半徑：XYZCZ、W均可與Mg形成離子化合物D最高價氧化物對應水化物的酸性：YW4（2015浙江）右下表為元素周期表的一部分，其中X、Y、Z、W為短周期元素，W元素的核電荷數(shù)為X元素的2倍。下列說法正確的是（ ）AX、W、Z元素的原子半徑及它們的氣態(tài)氫化物的熱穩(wěn)定性均依次遞增BY、Z、W元素在自然界中均不能以游離態(tài)存在，它們的最高價氧化物的水化物的酸性依次遞增CYX2晶體熔化、液態(tài)WX3氣化均需克服分子間作用力D根據元素周期律，可以推測T元素的單質具有半導體特性，T2X3具有氧化性和還原性5（2015廣東）甲庚等元素在周期表中的相對位置如下表，己的最高氧化物對應水化物有強脫水性，甲和丁在同一周期，甲原子最外層與最內層具有相同電子數(shù)。下列判斷正確的是（ ）A丙與戊的原子序數(shù)相差28B氣態(tài)氫化物的穩(wěn)定性：庚己WX Y，錯誤。B元素的非金屬性越強，其最高價氧化物對應的水化物的酸性越強。由于元素的非金屬性：XWZ，所以它們的最高價氧化物對應水化物的酸性：XWZ，正確。C.元素的非金屬性越強，其相應的最簡單的氫化物的穩(wěn)定性就越強。由于元素的非金屬性：YXWZ，所以元素的氫化物的穩(wěn)定性：YXWZ，正確。D除非金屬性很強的F、O元素外，一般情況下，元素原子的最外層電子數(shù)等于該元素原子的最外層電子數(shù)。X、Z、W的最高化合價分別與其主族序數(shù)相等，正確。2.【答案】D3.【答案】C【解析】設元素Y的原子序數(shù)為y，根據各元素在元素周期表中的位置可得：y+y+10=3（y+1），解得y=7，則Y為N元素、X為Si元素、Z為O元素、W為Cl元素。A、同周期主族元素，從左向右原子半徑逐漸減小，則ZYX，錯誤；B、非金屬性越強，氣態(tài)氫化物的穩(wěn)定性越強，則X Z，錯誤；C、O元素、Cl元素都能與Mg形成離子化合物，正確；D、HClO4的酸性大于HNO3的酸性，所以最高價氧化物對應水化物的酸性：YSNa。即：Z XY 。錯誤；B、Na形成的金屬晶體， S形成的是分子晶體，在室溫下為固體， F單質F2形成的是分子晶體，在室溫下是氣態(tài)。晶體的熔點變化規(guī)律是：原子晶體離子晶體分子晶體。因此它們形成的單質的沸點關系是：YX Z。錯誤。C、Na+、F-是電子層結構相同。對于電子層結構相同的離子來說，核電荷數(shù)越大，離子的半徑越小，S2-比Na+、F-多一個電子層。對于電子層結構不同的離子來說，電子層數(shù)越多，離子半徑就越大。因此離子半徑X2- Z- Y+。錯誤；D、根據上述敘述可知：原子序數(shù)XYZ。正確。7.【答案】D【解析】W、X、Y、Z為短周期元素，這四種元素的原子最外層電子數(shù)之和為22，則X、Y為第二周期元素，W、Z為第三周期元素，設X的最外層電子為x，則Y、W、Z的原子序數(shù)分別為x+1、x-1、x+2，所以x+x+1+x-1+x+222，解得x5，即X為N，Y為O，W為Si，Z為Cl，W與T同主族，則T為Ge，則A、X、Y、Z三種元素最低價氫化物分別為NH3、H2O、HCl，H2O、氨氣分子中均存在氫鍵，沸點高于氯化氫的，其中水的沸點高于氨氣的，故A錯誤；B、N、H、O三種元素可形成NH4NO3，既有共價鍵也有離子鍵，故B錯誤；C、SiO2、Si3N4屬于原子晶體，熔點高，硬度大，而SiCl4屬于分子晶體，熔點低，硬度小，故C錯誤；D、Ge元素位于金屬與非金屬之間的分界線，因此具有半導體的特性，與碳屬于同一主族，最外層四個電子，性質相似，可形成GeCl4，故D正確，答案選D。8.【答案】（1）第三周期A族 （2）r(O2-)r(Na+)、HClO4H2SO4（3） （或）（4）2Na(s)+O2(g) Na2O2(s) H=-511kJmol-1（5） c(SO42-)c(NH4+)c(Al3+)c(H+)c(OH-)NH4+ + OH-NH3H2O 0.022（3）四原子共價化合物，可以是NH3、H2O2、C2H2等，其電子式為： （或）（4）1molNa的單質在足量O2中燃燒，放出255.5kJ熱量，則該反應的熱化學方程式為：2Na(s)+O2(g) Na2O2(s) H=-511kJmol-1（5） R是NH4Al(SO4)2, Al3+比 NH4+水解程度更大，故離子濃度由大到小的順序是：c(SO42-)c(NH4+)c(Al3+)c(H+)c(OH-)m點過程中加入氫氧化鈉沉淀物質的量不變，是NH4+ 發(fā)生了反應，離子方程式為：NH4+ + OH-NH3H2O 10mL1molL-1 NH4Al(SO4)2,溶液中Al3+ 物質的量為0.01mol，NH4+的物質的量為0.01mol ，SO42-的物質的量為0.02mol， 20mL1.2 molL-1Ba(OH)2溶液Ba2+物質的量為0.024mol，OH為0.048mol，反應生成沉淀為0.022mol。9.【答案】（1）氫氟酸；SiO2+4Mg2MgO+Mg2Si； （2）Mg2Si+4HCl=2 MgCl2+SiH4； （3）非極性（共價鍵）、極性（共價鍵）【解析】Z為半導體單質，則Z是Si元素；Si可與氫氟酸反應；其氧化物為二氧化硅，根據反應的流程圖可知，二氧化硅與Mg反應生成Mg2Si，Mg2Si與鹽酸反應生成的Y為氫化物，則Y的分子式是SiH4，加熱分解可得到Si單質。其余問題可解。10.【答案】（1）b （2）氬 Na+（鈉離子）（3）MgO的熔點高，熔融時耗費更多資源，增加生產成本 AlCl3是共價化合物，熔融態(tài)難導電（4）SiCl4(g)+2H2(g)Si(s)+4HCl(g) H= +0.025 kJmol1 （5）b（6）（4）SiCl4中Si分別與Cl形成1對共用電子，所以電子式為：生成1.12kg純硅需吸收akJ熱量，則生成28g純硅需吸收0.025 kJ，可得熱化學方程式。（5）NH3既不能用濃硫酸干燥，也不能用P2O5干燥，HI不能用濃硫酸干燥，可用P2O5干燥，SO2不能用濃硫酸干燥，CO2能用濃硫酸干燥，所以b項正確。（6）一種是無氧酸鹽，另一種鹽的陰陽離子個數(shù)比為1:1，根據氧化還原反應原理，這兩種鹽為KCl、KClO4，配平可得化學方程式。11. 【答案】（1）1 （2） ；（3）高 2OHSiO2SiO32H2O；原子晶體 NaCl、NaClO、Na2CO3 （4）3950（3）氧化鎂和氧化鋇形成的晶體均是離子晶體，離子晶體的熔點與晶格能有關系。晶格能越大，熔點越高。形成離子鍵的離子半徑越小，離子的電荷數(shù)越多離子鍵越強，晶格能越大。由于鎂離子半徑小于鋇離子半徑，因此氧化鎂中晶格能大于氧化鋇中晶格能，則氧化鎂的熔點高于氧化鋇的熔點。氧化鎂是堿性氧化物，二氧化硅是酸性氧化物，能與氫氧化鈉溶液反應，而氧化鎂與氫氧化鈉溶液不反應，因此除去氧化鎂中的二氧化硅可以用氫氧化鈉溶液，反應的離子方程式為2OHSiO2SiO32H2O；二氧化硅是由硅原子和氧原子通過共價鍵形成的空間網狀結構的晶體屬于原子晶體。氧化鎂、炭粉和氯氣在一定條件下反應制備氯化鎂，另一種生成物可以被氫氧化鈉溶液完全吸收，則氣體應該是二氧化碳，二氧化碳與足量的氫氧化鈉溶液反應生成碳酸鈉。另外過量的氯氣有毒也需要尾氣處理，氯氣與氫氧化鈉溶液反應生成氯化鈉、次氯酸鈉，則鹽的化學式為NaCl、NaClO、Na2CO3。（4）根據反應的方程式可知3H2 N2 2NH36kg 28kg 34kg6000kg 28000kg 34000kg因此氮氣不足，則實際生成的氨氣的物質的量為2，根據氮原子守恒可知，最終生成碳酸氫銨的質量為279g/mol3950000g3950kg。