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答案分解

模擬電子技術試題匯編成都理工大學工程技術學院電子技術基礎教研室20109第一章 半導體器件一填空題1本征硅中若摻入5價元素的原子，則多數(shù)載流子應是 電子 ，少數(shù)載流子應是 空穴 。2 在N型半導體中，電子濃度 大于 空穴濃度，而在P型半導體,

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1、模擬電子技術試題匯編成都理工大學工程技術學院電子技術基礎教研室20109第一章 半導體器件一填空題1本征硅中若摻入5價元素的原子，則多數(shù)載流子應是 電子 ，少數(shù)載流子應是 空穴 。2 在N型半導體中，電子濃度 大于 空穴濃度，而在P型半導體。

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