3、的靜電吸引作用
D.金屬的物理性質(zhì)和金屬固體的形成都與金屬鍵相關(guān)
7 .下列各項(xiàng)所述的數(shù)字不是6的是
A.在NaCl晶體中，與一個Na+最近的且距離相等的C1- 的個數(shù)
B.在金剛石晶體中，最小的環(huán)上的碳原子個數(shù)
C.在二氧化硅晶體中，最小的環(huán)上的原子個數(shù)
D.在石墨晶體的片層結(jié)構(gòu)中，最小的環(huán)上的碳原子個數(shù)
8 .關(guān)于晶體的下列說法準(zhǔn)確的是
A.只要含有金屬陽離子的晶體就一定是離子晶體
B.離子晶體中一定含金屬陽離子
C.在共價化合物分子中各原子都形成8電子結(jié)構(gòu)
D.分子晶體的熔點(diǎn)不一定比金屬晶缽熔點(diǎn)低
9 .根據(jù)下表給出的幾種物質(zhì)的溶沸點(diǎn)判斷說法錯誤的是
NaC
4、1
必颯
aici3
SiCl4
單質(zhì)R
熔點(diǎn)
幻
110七
1犯七
.70七
2330^
沸點(diǎn)
141$ ℃
177.8
5?七
2刃QP
A. SiCL是分子晶體
B. MgCh中鍵的強(qiáng)度比NaCl中鍵的強(qiáng)度小
C.單質(zhì)R是原子晶體
D. AlCh為離子晶體
10 .組成晶體的質(zhì)點(diǎn)（分子、原子、離子）以確定的位置在空 間作有規(guī)則排列，具有一定幾何形狀的空間格子，稱為晶 格，晶格中能代表晶體結(jié)構(gòu)特征的最小重復(fù)單位稱為晶胞。 在冰晶石（NH3A1F6）晶胞中，AHV-占據(jù)的位置相當(dāng)于NaCl 晶胞中CT占據(jù)的位置，則冰晶石晶胞中含有的原子數(shù)與食
5、鹽晶胞中含有的原子數(shù)之比為
A. 2： 1 B. 3： 2 C. 5： 2 D. 5：
1
11 .氮化鋁（A1N）具有耐高溫、抗沖擊、導(dǎo)熱性好等優(yōu)良 性質(zhì)，被廣泛應(yīng)用于電子工業(yè)、陶瓷工業(yè)等領(lǐng)域。在一定 條件下，氮化鋁可通過如下反應(yīng)合成：
下列敘述準(zhǔn)確的是 在此反應(yīng)中，N?是還原劑，AK）3是氧化劑
上述反應(yīng)中每生成2 mol AIN, N：得到3 mol電子
氮化鋁中氮元素的化合價為-3
氮化鋁晶體屬于分子晶體
12 .下列相關(guān)金屬的說法準(zhǔn)確的是
A、金屬原子的核外電子在金屬晶體中都是自由電子
B、鎂型和銅型的原子堆積方式空間利用率最高
C、金屬原子在化學(xué)變化中失去的電
6、子數(shù)越多，其還原性越 強(qiáng)
D、溫度升高，金屬的導(dǎo)電性將變大
13 .右圖為冰晶體的結(jié)構(gòu)模型，大球代表0原子，小球代表 H原子。下列相關(guān)說法準(zhǔn)確的是
A、冰晶體中每個水分子與另外四個水分子形
成四而體
B、冰晶體具有空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，是原子晶體
C、水分子間通過H-0鍵形成冰晶體
D、冰晶體熔化時，水分子之間的空隙增大
14 .右圖是已經(jīng)合成的一種硫氮化合物的分子結(jié)構(gòu)，下列說 法中準(zhǔn)確的是
A.該物質(zhì)的分子中既有極性鍵又有非極性鍵
B.該物質(zhì)具有極大的熔、沸點(diǎn)
C.該物質(zhì)是原子晶體
D.該物質(zhì)與化合物S2N2互為同素異形體
15 .最近科學(xué)家成功制成了一種新型的碳氧化合物，
7、該化合 物晶體中每個碳原子均以四個共價單鍵與氧原子結(jié)合為一 種空間網(wǎng)狀的無限伸展結(jié)構(gòu)，下列對該晶體敘述錯誤的是
A.該晶體類型是原子晶體
B.該晶體中碳原子和氧原子的個數(shù)比為1 ： 2
C.晶體中碳原子數(shù)與C—O化學(xué)鍵數(shù)之比為1 : 2
D.晶體的空間最小環(huán)共有12個原子構(gòu)成
16.高溫下，超氧化鉀（KO?）晶體結(jié)構(gòu)與NaCl相似,其晶 體結(jié)構(gòu)的一個基本重復(fù)單元如圖所示，已知晶體中氧的化 合價可看作部分為0價，部分為一2價。下列說法準(zhǔn)確的是
A.晶體中，0價氧原子與一2價氧原子的數(shù)目比為1 : 1
B.晶體中每個K周圍有8個03每個0?一周圍有8個K+
C.超氧化鉀晶體
8、中陽離子與陰離子的個數(shù)比為1 : 2
D.晶體中與每個K+距離最近的e有12個
第II卷
二、填空題
17. （12分）銅單質(zhì)及其化合物在很多領(lǐng)域有重要的用 途，如金屬銅用來制造電線電纜，五水硫酸銅可用 作殺菌劑.
（1）Cu位于元素周期表第 族.CY?的核外
電子排布式為;
（2）下圖是銅的某種氧化物的晶胞結(jié)構(gòu)示意圖，可 確定該晶胞中陰離子的個數(shù)為；
（3）膽磯 CUS0.5H?？蓪懗蒣Cu （HM） ]SO」?H。
其結(jié)構(gòu)示意圖如下：
下列說法準(zhǔn)確的是
A.上述結(jié)構(gòu)示意圖中，所有氧原子都采用sp‘雜化 B.上述結(jié)構(gòu)示意圖中，存有配位鍵、共價鍵和離子
9、鍵
C.膽機(jī)是分子晶體，分子間存有氫鍵
D.膽機(jī)中的水在不同溫度下會分步失去
（4）Cu:0的熔點(diǎn)比Cu=S的（填“高”或“低”）， 請解釋原因
18. （10分）氮化硅是一種高溫陶瓷材料，它的硬度大、熔 點(diǎn)高、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定。工業(yè)上曾普遍采用高純硅與純氮在1 300C反應(yīng)獲得。
（1）氮化硅晶體屬于 晶體。
（2）已知氮化硅的晶體結(jié)構(gòu)中，原子間以單鍵相連，且N 原子和N原子，Si原子和S原子不直接相連，同時每個原 子都滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。請寫出氮化硅的化學(xué)式
（3）現(xiàn)用SiCL和N?在H?氣氛保護(hù)下，增強(qiáng)熱發(fā)生反應(yīng)， 可得較高純度的氮化硅。反應(yīng)的化學(xué)方程式為：
19. （8
10、分）現(xiàn)有甲、乙、丙、丁四種晶胞（如圖2-8所示）， 可推知：甲晶體中A與B的離子個數(shù)比為：乙晶 體的化學(xué)式為:丙晶體的化學(xué)式為: 丁晶 體的化學(xué)式為 o
（1）其中代表金剛石的是 （填編號，下同），每個碳 原子與 個碳原子最接近且距離相等：
（2）代表石墨的是,每個六邊形占有 個C,
碳原子個數(shù)與碳碳鍵之比為;
（3）表示NaCl的是,每個鈉離子周圍與它最
接近且距離相等的鈉離子有 個；
（4）表示CsCl的是,每個鈉離子與 個氯
離子緊鄰，氯離子的配位數(shù)為 o
21. （12分）金屬銀及其化合物在合金材料以及催化劑等方 面應(yīng)用廣泛。
（1）基態(tài)Ni原子的價電子（外圍電子）排
11、布
式：
（2）金屬銀能與C0形成配合物Ni （CO）寫出與CO互 為等電子體的一種分子和一種離子的化學(xué)
式、: （3） N嚴(yán)和Fe”的半徑分別
為69 pm和78 pm,則熔點(diǎn) NiO
FeO （填 “V” 或）:
（4）金屬銀與錮（La）形成 的合金是一種良好的儲氫材 料，其晶胞結(jié)構(gòu)示意圖如圖所 示。該合金的化學(xué)式
（5）Ni0晶體結(jié)構(gòu)與NaCl晶體類似，其晶胞的棱長為a cm, 則該晶體中距離最近的兩個陽離子核間的距離為
cm （用含有a的代數(shù)式表示）。在一定溫度下NiO晶體能夠 自發(fā)地分散并形成“單分子層”（如左上圖），能夠認(rèn)為氧 離子作密置單層排列，銀離子填充其中，列式并計(jì)算每平 方米面積上分散的該晶體的質(zhì)量氧離子的半 徑為1.40X10 結(jié)果保留兩位有效數(shù)字）
20. （10分）如圖所示是一些晶體的結(jié)構(gòu)，它們分別 是NaCl、CsCl、干冰、金剛石、石墨結(jié)構(gòu)中的某一 種的某一部分
《第三章晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)》單元測試
