《材料科學(xué)基礎(chǔ)》習(xí)題與思考題.doc

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《材料科學(xué)基礎(chǔ)教程》復(fù)習(xí)題與思考題 一、選擇與填空 1-1下列組織中的哪一個可能不是亞穩(wěn)態(tài)，即平衡態(tài)組織？ a)馬氏體+殘余奧氏體 b)上貝氏體 c)鐵素體+珠光體 d)奧氏體+貝氏體 1-2下列組織中的哪一個可能不是亞穩(wěn)態(tài)？ a) 鐵碳合金中的馬氏體 b) 鐵碳合金中的珠光體+鐵素體 c) 鋁銅合金中的α+GPZ d) 鐵碳合金中的奧氏體+貝氏體 1-3單相固溶體在非平衡凝固過程中會形成成分偏析： a)若冷卻速度越大，則成分偏析的傾向越大； b)若過冷度越大，則成分偏析的傾向越大； c)若兩組元熔點相差越大，則成分偏析的傾向越??； d)若固相線和液相線距離越近，則成分偏析的傾向越小。 1-4有兩要平等右螺旋位錯，各自的能量都為E1，當(dāng)它們無限靠近時，總能量為 。 a) 2E1 b) 0 c) 4E1 1-13兩根具有反向柏氏矢量的刃型位錯在一個原子面間隔的兩個平行滑移面上相向運動以后，在相遇處 。 a) 相互抵消 b) 形成一排間隙原子 c) 形成一排空位 1-15位錯運動方向處處垂直于位錯線，在運動過程中是可變的，晶體做相對滑動的方向 。 a) 隨位錯線運動方向而改變 b) 始終是柏氏矢量方向 c) 始終是外力方向 1-16位錯線張力是以單位長度位錯線能量來表示，則一定長度位錯的線張力具有 量綱。 a) 長度的 b) 力的 c) 能量的 1-17位錯線上的割階一般通過 形成。 a) 位錯的交割 b) 共格界面 c) 小角度晶界 1-7位錯上的割階一般通過 形成。 a) 孿生 b) 位錯的交滑移 c) 位錯的交割 1-23刃形位錯的割階部分 。 a) 為刃形位錯 b) 為螺形位錯 c) 為混合位錯 1-24面心立方晶體中Frank不全位錯最通常的運動方式是 。 a) 沿{111}面滑移 b) 沿垂直于{111}的面滑移 c) 沿{111}面攀移 1-25位錯塞積群的一個重要效應(yīng)是在它的前端引起 。 a）應(yīng)力偏轉(zhuǎn) b)應(yīng)力松弛 c)應(yīng)力集中 1-26面心立方晶體中關(guān)于Shcockley分位錯的話，正確的是 。 a) Shcockley分位錯可以是刃型、螺型或混合型; b) 刃型Shcockley分位錯能滑移和攀移; c) 螺型 Shcockley分位錯能交滑移。 1-27湯普森四面體中羅-羅向量、不對應(yīng)羅-希向量、希-希向量分別有 個。 a)12，24，8，12 b)24，24，8，12 c)12，24，8，6 1－32 ，位錯滑移的派－納力越小。 a) 相鄰位錯的距離越大 b) 滑移方向上的原子間距越大 c)位錯寬度越大 1－33層錯和不全位錯之間的關(guān)系是 。 a)層錯和不全位錯交替出現(xiàn)； b) 層錯和不全位錯能量相同； c)層錯能越高，不全位錯柏氏矢量模越??； d)不全位錯總是出現(xiàn)在層錯和完整晶體的交界處。 1－34位錯交割后原來的位錯線成為折線，若 。 a) 折線和原來位錯線的柏氏矢量相同，則稱之為扭折，否則稱之為割階； b) 折線和原來位錯線的柏氏矢量不同，則稱之為扭折，否則稱之為割階； c) 折線在原來的滑移面上，則稱之為扭折；折線和原來的滑移面垂直稱之為割階； d) 折線在原來的滑移面上，則稱之為割階；折線和原來的滑移面垂直稱之為扭折。 1-18在單相組織中存在著大小不等的晶粒，在長大過程中會發(fā)生 。 a) 小晶粒將移向大晶粒一方，直至晶粒大小相等； b) 界面將移向小晶粒一方，最后小晶粒將消失； c) 大小晶粒借吞并相鄰晶粒同時長大。 1-5在單相組織中存在著大小不等的晶粒，由界面曲率驅(qū)動界面移動的規(guī)律可知 。 a) 小晶粒將移向大晶粒一方，直到晶粒大小相等； b) 大小晶粒吞并相鄰晶粒，同時長大； c) 晶界將移向小晶粒一方，最后小晶粒將消失。 1-6界面能量最低的相界面是 。 a) 共格界面 b) 孿晶界面 c) 小角度界面 1-8許多面心立方金屬，在 過程中會形成孿晶。 a) 塑性變形 b) 從高溫急冷到室溫 c) 再結(jié)晶退火 1-11 在具有FCC、BCC、HCP三種晶體結(jié)構(gòu)的材料中，塑性變形時最容易生成孿晶的是 。 a) FCC b) BCC c) HCP 1-55經(jīng)過冷塑性變形和再結(jié)晶過程，在下列何種情況下必定會得到粗大的晶粒組織是 。 a)在臨界變形量進行塑性變形加工 b)大變形量 c)較長的退火時間 d)較高的退火溫度 1-56對面心立方晶體而言，表面能最低的晶面是 。 a) (100) b) (110) c) (111) d) (121) 1-56經(jīng)冷變形后的金屬在回復(fù)過程中，位錯會發(fā)生 。 a)增殖 b)大量消失 c)部分重排 d)無變化 1-57位錯上的割階是在 過程中形成的。 a)交滑移 b)復(fù)滑移 c)孿生 d)交割 1-9冷變形金屬中產(chǎn)生大量的空位、位錯等晶體缺陷，這些缺陷的存在， 。 a) 阻礙原子的移動，減慢擴散過程； b) 對擴散過程無影響； c) 加速了原子的擴散過程。 1-14 A和A-B合金焊合后發(fā)生柯肯達爾效應(yīng)，測得界面向A試樣方向移動，則 。 a) A組元的擴散速率大于B組元； b) A組元的擴散速率小于B組元； c) A和B組元的擴散速率相同。 1-28原子的擴散具有結(jié)構(gòu)敏感性。因此，在多晶金屬和合金中有 。（Q為擴散激活能，下標(biāo)體積、晶界、表面分別代表體擴散、晶界擴散和表面擴散） a) Q體積≥Q晶界≥Q表面 b) Q表面 ≥Q體積≥Q晶界 c) Q晶界≥Q表面≥Q體積 1-31Cu-Al合金和Cu焊接成的擴散偶發(fā)生柯肯達爾效應(yīng)，其原始標(biāo)記面向Cu-Al合金一側(cè)漂移，則兩元素的擴散通量關(guān)系為 。 a) JCu＜JAl b＝JCu＞JAl c＝JCu＝JAl 1－36原子擴散過程的驅(qū)動力是 。 a) 組元的濃度梯度 b) 組元的化學(xué)勢梯度 c) 擴散的溫度 d) 擴散的時間 1-48下列過程與晶體中空位遷移過程關(guān)系不大的是： a)形變孿晶 b)自擴散 c)回復(fù) d)位錯攀移 1-49下列有關(guān)固體中擴散的說法中，正確的是 。 a) 原子擴散的驅(qū)動力是存在著濃度梯度； b) 空位擴散是指間隙固溶體中溶質(zhì)原子從一個空位間隙跳到另一個空位間隙； c) 晶界上點陣畸變較大，因而原子遷移阻力較大，所以比晶內(nèi)的擴散系數(shù)要小； d) 成分均勻的材料中也存在著擴散。 1-10既能提高金屬的強度，又能降低其脆性的手段是 。 a) 加工硬化 b) 固溶強化 c) 晶粒細化 d) 第二相強化 1-29加工硬化是一種有效的強化手段，其缺點是 。 a)只適用于雙相材料 b)材料在高溫下不適用 c)只適用于單晶體 1-30復(fù)相合金中，當(dāng)一相為脆性相分布在另一相基體上時，對材料的強韌性比較有利的組織形態(tài)是 。 a)一相呈網(wǎng)狀分布在另一相晶界上； b)一相以顆粒狀彌散分布在另一相基體上； c)一相以大塊狀分布在另一相基體上。 1-12如下說法哪個是正確的， 。 a) 形成點缺陷所引起的熵的變化使晶體能量增加； b) 晶體總是傾向于降低點缺陷的濃度； c) 當(dāng)點缺陷濃度達到平衡值時，晶體自由能最低。 1-21金屬中點缺陷的存在使熱導(dǎo)率 。 a) 增大 b) 減小 c) 不受影響 1-22過飽和點缺陷（如淬火空位、輻照缺陷） 金屬的屈服強度。 a) 降低 b) 提高 c) 不改變 1-19單晶體的臨界分切應(yīng)力與 有關(guān)。 a) 外力相對于滑移系的取向 b) 拉伸時的屈服應(yīng)力 c) 金屬的類型與純度 1-20在金相試樣表面上幾組交叉滑移線的產(chǎn)生是由于 。 a) 交滑移 b) 多系滑移 c) 單滑移 1－35再結(jié)晶過程包含晶粒的形核與長大 。 a)形核與長大的驅(qū)動力都來源于形變儲存能； b)形核與長大的驅(qū)動力都來源于晶界能； c）形核的驅(qū)動力來源于儲存能，長大的驅(qū)動力來源于晶界能； d) 形核的驅(qū)動力來源于晶界能，長大的驅(qū)動力來源于儲存能。 1－37在 情況下再結(jié)晶后若在更高文書保溫還可能發(fā)生異常晶粒長大。 a) 金屬在臨界變形量進行冷變形 b) 冷變形金屬中存在著彌散分布的第二相微粒 c) 冷變形前的原始晶粒粗大 d) 冷變形金屬純度非常高 1－38 14種布拉菲點陣 。 a)按其對稱性分類，可歸結(jié)為七大晶系； b)按其點陣常數(shù)分類，可歸結(jié)為七大晶系； c)按陣點所在位置分類，可歸結(jié)為七大晶系； d)按其幾何形狀分類，可歸結(jié)為七大晶系。 1-39如果某一晶體中若干晶面同屬于某晶帶，則 。 a)這些晶面必定是同族晶面 b)這些晶面必定相互平行 c)這些晶面上原子排列相同 d)這些晶面之間的交線相互平行 1-40與（113）和（112）同屬一晶帶的有： a)（12） b)（21） c)（110） d)（211） 1-41晶體點陣的對稱性越高，則 。 a)獨立的點陣常數(shù)越少 b)晶體中原子排列越緊密 c)晶胞中原子越多 d)晶體結(jié)構(gòu)越復(fù)雜 1-42拓撲密排與幾何密排相比 。 a)幾何密排的配位數(shù)高，致密度大 b)幾何密排的配位數(shù)高，致密度小 c)拓撲密排的配位數(shù)高，致密度大 d)拓撲密排的配位數(shù)高，致密度小 1-43 TiC和CaO都具有NaCl型結(jié)構(gòu)，但 。 a) TiC屬離子晶體，CaO屬共價晶體 b) TiC屬共價晶體，CaO屬離子晶體 c) TiC屬間隙化合物，CaO屬離子晶體 d) TiC屬間隙相，CaO屬離子晶體 1-44引入點陣概念是為了 。 a) 描述原子在晶胞中的位置 b) 描述晶體的對稱性 c) 描述晶體結(jié)構(gòu)的周期性 d) 同時描述晶體結(jié)構(gòu)的周期性和對稱性 1-45 A、B兩晶體，如果 。 a) 所屬的空間點陣相同，則此兩晶體的結(jié)構(gòu)相同； b) 晶體結(jié)構(gòu)相同，它們所屬的空間點陣可能不同； c) 晶體結(jié)構(gòu)相同，它們所屬的空間點陣必然相同； d) 所屬的空間點陣不同，兩晶體的結(jié)構(gòu)可能相同。 1-46體心立方（BCC）晶體中間隙半徑比面心立方（FCC）中的小，但BCC的致密度卻比FCC低，這是因為 。 a) BCC中原子半徑小； b) BCC中的密排方向<111>上的原子排列比FCC密排方向上的原子排列松散； c) BCC中的原子密排面{110}的數(shù)量太少； d) BCC中原子的配位數(shù)比FCC中原子配位數(shù)低。 1-47組成固溶體的兩組元完全互溶的條件是 。 a) 兩組元的電子濃度相同 b) 兩組元的晶體結(jié)構(gòu)相同 c) 兩組元的原子半徑相同 d) 兩組元電負性相同 1-50晶體結(jié)構(gòu)和空間點陣的相互關(guān)系是 。 a) 空間點陣的每一個陣點代表晶體中的一個原子； b) 每一種空間點陣代表唯一的一種晶體結(jié)構(gòu)；； c) 晶體結(jié)構(gòu)一定，它所屬的空間點陣也唯一地確定； d) 每一種晶體結(jié)構(gòu)可以用不同的空間點陣表示。 1-51晶體中配位數(shù)和致密度之間的關(guān)系是 。 a)配位數(shù)越大，致密度越大 b) 配位數(shù)越小，致密度越大 c) 配位數(shù)越大，致密度越小 d) 兩者之間無直接關(guān)系 1-52間隙相和間隙固溶體的區(qū)別之一是 。 a) 間隙相結(jié)構(gòu)比間隙固溶體簡單 b) 間隙相中的間隙原子尺寸比間隙固溶體中的大 c) 間隙相的固溶度比間隙固溶體大 d) 間隙相的結(jié)構(gòu)和其組元的結(jié)構(gòu)不同 1-53在離子晶體中 。 a) 陽離子半徑大于陰離子半徑；b) 陰離子半徑大于陽離子半徑； c) 陽離子半徑與陰離子半徑相等；d) 陽離子半徑可以大于陰離子半徑，也可以小于陰離子半徑。 1-54硅氧四面體中的氧離子 。 a) 只屬于一個硅氧四面體； b) 可以被多個硅氧四面體共用； c) 只能被兩個硅氧四面體共用； d) 可以被四個硅氧四面體共用。 6-1位錯有 和 兩種基本的運動方式，刃型位錯由于多余的 ，因此它既能做 運動，也能做 運動，而螺型位錯只能做 運動。在常溫或低溫下，位錯的 運動非常困難，因為這種運動需要原子的 才能發(fā)生，顯然，升高溫度可以 這種運動。 6-2刃型位錯的滑移方向與柏氏矢量 ，與使該位錯滑移的外分切應(yīng)力 ；螺位錯滑移方向與柏氏矢量 ，與使該位錯滑移的外分切應(yīng)力 。但是，無論什么位錯在外應(yīng)力作用下滑移時，其運動方向總是與位錯線 ，就好像在位錯線作用一個力，它的大小與 及 成正比，并指向 區(qū)。 6-3冷變形金屬的再結(jié)晶雖然是 與 過程，但是在這個過程中，金屬的 不變化。 6-4金屬鑄錠的組織從表面到心部一般由 、 、 三個晶區(qū)所組成。 6-5螺位錯的應(yīng)力場只有 應(yīng)力分量，無 應(yīng)力分量；刃位錯的應(yīng)力場既有 應(yīng)力分量，又有 應(yīng)力分量。 6-6外力作用在位錯線上的力始終指向位錯線的 方向，其大小與位錯的 成正比，而位錯的彈性應(yīng)變能與位錯的 成正比。 6-7不全位錯是 的邊界線，面心立方金屬中的肖克萊不全位錯可以在滑移面上在做 運動，不能做 運動；弗蘭克不全位錯只能在層錯面上做 運動，不能做 運動，運動導(dǎo)致層錯區(qū)的擴大或縮小。 6-8 位錯不能發(fā)生交滑移，但可以在正應(yīng)力作用下發(fā)生 運動，擴展位錯在發(fā)生交滑移前必須先發(fā)生 。 6-9金屬在常溫或低溫下主要塑性變形方式是 ，其次是 。位錯滑移方向總是指向 方向，位錯的滑移面是 與 決定的平面，只有那些位錯的滑移面與晶體的 面一致的位錯才能做滑移運動。 6-10再結(jié)晶的驅(qū)動力是 ，再結(jié)晶完成后的晶粒長大的驅(qū)動力是 。金屬在高溫下塑性變形時會發(fā)生 或 。 6-11三元合金相圖中的四相水平面與單相區(qū)交成 ，與三相區(qū)交成 。 6-12位錯的滑移面是由 和 決定的平面，刃型位錯的滑移面有 個，螺型位錯的滑移面理論上有 個，刃型位錯既可以做 運動，又可以做 運動，但不能進行 運動，其易動性比螺位錯的 。 6-13不全位錯是 與 不相等的位錯，其位錯線晶體中 的 區(qū)和 區(qū)的交界線，在通常情況下，不全位錯 單獨滑移。 二、回答與論述 2-0簡述“材料科學(xué)與工程（MSE）”的定義及其六面體五要素之間的關(guān)系。 2-1陶瓷材料一般由哪些相組成？ 2-2布拉菲點陣一共有多少種？它們分屬于哪幾大晶類？銅屬于哪種布拉菲點陣？ 2-3點陣平面（110）、（311）和（132）是否發(fā)球同一晶帶？若是的話，試指出其晶帶軸，另外再指出屬于該晶帶的任一其它點陣平面；若不是的話，為什么？ 2-4晶體的宏觀對稱元素有哪幾種？并畫圖示意其中一種。 2-5什么是固溶體？它是如何分類的？ 2-6晶體的微觀對稱元素有哪幾種？并畫圖示意其中一種。 2-7常見金屬晶體結(jié)構(gòu)中哪些是密排結(jié)構(gòu)？它們能不能分別看作一種獨立的布拉菲點陣？為什么？ 2-8什么是化合物？它可分為哪幾類？ 2-9按照硅氧四面體在空間的組合情況，硅酸鹽結(jié)構(gòu)可以分成哪幾類？ 2-10二元相圖中的三相平衡反應(yīng)為什么是在恒溫下進行的？ 2-11三遠相圖中的四相平衡反應(yīng)為什么是在恒溫下進行的？ 2-12純金屬凝固和平衡凝固是否相同？說明兩者的相同或不同之處。 2-13單相固溶體正常凝固時是否會出現(xiàn)成分過冷？為什么？ 2-14判斷下列位錯反應(yīng)能否進行： [10]+[011] [110] 2-15在面心立方晶體中有下述位錯反應(yīng)： [10]+[21] [11] 判斷該反應(yīng)能否進行。 2-16在室溫下對鐵板（其熔點為1538℃）和錫板（其熔點為232℃），分別進行來回彎折，隨著彎折的進行，各會發(fā)生什么現(xiàn)象？為什么？ 2-17何謂上坡擴散？其產(chǎn)生的條件是什么？何謂柯肯達爾效應(yīng)？ 2-18何謂超塑性？其產(chǎn)生的條件是什么？ 2-19試從柏氏矢量、位錯類型、位錯線形狀和可能的運動方式比較面心立方晶體全位錯、弗蘭克分位錯、肖克萊分位錯和面角位錯的特點。 2-20試比較單晶銅與多晶銅的加工硬化特性。 2-21試比較單晶鋅與多晶鋅的塑性變形特性。 2-22試述孿生與滑移的異同，比較它們在塑變過程中的作用。 2-23選擇結(jié)晶？什么是區(qū)域熔煉？ 何謂珠光體轉(zhuǎn)變？請簡述這一轉(zhuǎn)變過程及其所得到的組織與性能。 四、繪圖與計算 4-0根據(jù)鐵碳平衡相圖，回答下列問題。寫出Fe-C合金在1495℃、1154℃、1148℃、738℃和727℃發(fā)生的三相平衡反應(yīng)的反應(yīng)式。 4-1指出下圖中各二元相圖中的錯誤，說明為什么是錯的，并在圖上予以糾正。 （缺圖，在書中P24第十題） 4-2在銅單晶體中（111）和（11）滑移面上各存在一個柏氏矢量為[10]和[011]的全位錯，當(dāng)它們分解為擴展位錯時，其領(lǐng)先位錯分別為和。 1.求它們可能的位錯分解反應(yīng)。 2.當(dāng)兩領(lǐng)先位錯在各自的滑移面上運動相遇時，發(fā)生了新的位錯反應(yīng)。試寫出其位錯反應(yīng)式，判斷該反應(yīng)能否自發(fā)進行？并分析該新生成的位錯其位錯特性和運動性質(zhì)。 3.已知銅單晶aa=0.36nm,切變模量G=4104MPa,層錯能γ＝0.04J/m2，試求上述柏氏矢量為[10]的位錯形成擴展位錯的寬度。 4-3寫出下列晶面指數(shù)。（圖在P78第七題和P81第七題） 4-4什么是全位錯及不全位錯？為什么面心立方晶體中的全位錯可以分解成兩個不全位錯及，試從幾何條件和能量條件兩個方面給以說明。 4-5試分析在面心立方金屬中（點陣常數(shù)為a），下列位錯反應(yīng)能否進行，并指出這些位錯各屬什么類型？反應(yīng)后生成的新位錯能否在滑移面上運動？ ＋→ 4-6假定某立方晶體中的活動滑移系為（111）： 1.給出引起滑移的單位位錯的柏氏矢量，加以說明。 2.若引起滑移的為刃型位錯，指明位錯線方向及其滑移方向。 3.若引起滑移的為螺型位錯，指明位錯線方向及其滑移方向。 五、判斷與糾錯 5-1 擴展位錯之間常夾有一片層錯區(qū)，因此擴展位錯是面缺陷。 （ ） 5-2金屬中點缺陷的存在使電阻率增大。 （ ） 5-3經(jīng)過冷變形后再結(jié)晶退火的金屬，晶粒都可得到細化。 （ ） 5-4兩個相互平等的位錯，一個為純螺型，另一個為純?nèi)行?，則這兩個位錯之間沒有相互作用。 （ ） 5-5在面心立方晶體結(jié)構(gòu)的置換型固溶體中，原子擴散的方式一般為空位機制。 （ ） 5-6多邊化使分散分布的位錯集中在一起形成位錯墻，因位錯應(yīng)力場的疊加，使點陣畸變增大。 （ ） 5-7在合金中，第二相與基體之間界面能的大小決定了第二相的形貌和分布。 （ ） 5-8晶粒長大過程就是晶界遷移過程，也就是晶界的平直化過程，所以只要晶界平直了，晶粒就不長大了。 （ ） 5-9一個不含空位的完整晶體在熱力學(xué)上是不穩(wěn)定的。 （ ） 5-10間隙固溶體中溶質(zhì)濃度越高，則溶質(zhì)所占據(jù)的間隙越多，供擴散的空位間隙越少，導(dǎo)致擴散系數(shù)下降。 （ ） 5-11變形金屬只有在通常定義的再結(jié)晶溫度以上才能發(fā)生再結(jié)晶，此溫度以下不可能發(fā)生再結(jié)晶。 （ ） 5-12位錯受力方向處處垂直于位錯線，位錯運動過程中，晶體發(fā)生相對滑動的方向始終是柏氏矢量方向。 （ ） 5-13滲碳處理常常在鋼的奧氏體區(qū)域進行，這是因為碳在奧氏體中的濃度梯度比在鐵素體中的大。 （ ） 5-14回復(fù)、再結(jié)晶及晶粒長大三個過程均是形核及核長大過程，其驅(qū)動力增色為變形儲能。（ ） 5-15由于陶瓷粉末燒結(jié)時難以避免的顯微空隙，在隨后成型過程中產(chǎn)生微裂紋，導(dǎo)致陶瓷的實際拉伸強度低于理論的屈服強度。 （ ） 5-16晶體中的滑移和孿生都不改變原有的晶體結(jié)構(gòu)，但孿生變形卻使晶體的變形部分發(fā)生了位向變化。 （ ） 5-17再結(jié)晶織構(gòu)是再結(jié)晶過程中被保留下來的變形織構(gòu)。 （ ） 5-18一個位錯環(huán)不可能處處都是螺位錯，也不可能處處都是刃位錯。 （ ） 5-19陶瓷晶體的變形除與結(jié)合鍵的本性有關(guān)外，還與晶體的滑移系少、位錯的柏氏矢量大有關(guān)。 （ ） 5-20為了消除硫化物在鋼中的熱脆，其兩面角要大。 （ ） 5-21再結(jié)晶結(jié)束后發(fā)生晶粒長大時的驅(qū)動力主要來自高的總晶界能。 （ ） 5-22擴散過程中，原子的流量直接正經(jīng)于擴散時間。 （ ） 5-23由于碳在奧氏體中的擴散系數(shù)比鐵素體中大，故鋼的滲碳處理常常在奧氏體相區(qū)進行。 （ ） 材料的化學(xué)組成（分）通過相結(jié)構(gòu)而決定材料的性能。（ ） 在氯化鈉晶體中，NaCl這樣的分子是不存在的。（ ） 對離子化合物而言，不可將化學(xué)式與分子式和結(jié)構(gòu)式混為一談。（ ） 金剛石與石墨都是碳的單質(zhì)，但它們在硬度、光學(xué)性質(zhì)與電學(xué)性質(zhì)方面表現(xiàn)了巨大的分歧。（ ） 在金剛石晶體中，每個碳原子可與相鄰的四個碳原子公用4對價電子，形成一個龐大的無限分子（晶體）。（） 在非金屬元素單質(zhì)中，原子一般先通過共價鍵形成一個有限的或無限的分子，然后再由范氏力把這些分子連成一個晶體。（） 在非金屬元素單質(zhì)中，原子首先通過共價結(jié)合形成分子，然后再由分子通過分子間力形成晶體。（） A4型點陣結(jié)構(gòu)相當(dāng)于空間利用率（堆積密度）為34%的正四面體堆積。（ ） 從堆積密度來看，A7型點陣結(jié)構(gòu)近似地相當(dāng)于空間利用率僅為52.4%的立方體堆積。（ ） 惰性氣體原子具有完整的電子層（構(gòu)型），它們并不形成化學(xué)鍵，而是通過微弱的沒有方向性的范氏力直接凝聚成晶體。因此，這類元素的單質(zhì)和金屬相仿，亦具有與圓球的最密堆集相應(yīng)的結(jié)構(gòu)。（ ） 氦的晶體具有A3型式的結(jié)構(gòu)，氖、氬、氪、氙均以A1型結(jié)構(gòu)存在于晶體中。（ ） 六、解釋與辨析 物質(zhì)與物相，物相與組織 物質(zhì)與材料，材料科學(xué)與材料工程，結(jié)構(gòu)與性能 點陣與陣點，晶體結(jié)構(gòu)與空間點陣，晶胞與晶格，晶帶與晶軸，結(jié)構(gòu)基元與點陣單位，基元與陣點，點陣與平移群。 周期性與對稱性，對稱元素與對稱操作，旋轉(zhuǎn)軸與反映面，反演與反映， 點群與空間群， 相組成與相結(jié)構(gòu)， 固溶體合金與化合物合金，中間相與間隙相，間隙固溶體與間隙化合物， 位錯與層錯，堆垛層錯與擴展位錯，位錯反應(yīng)與位錯交割，位錯的割結(jié)與扭折，位錯的攀移與滑移， 高分子鏈的構(gòu)型與構(gòu)象，高分子鏈的進程結(jié)構(gòu)與遠程結(jié)構(gòu)， 均聚物與共聚物 半共格相界與非共格相界， 重合位置點陣與超點陣（或重合位置點陣與大角度晶界） 結(jié)晶體與非晶體，準(zhǔn)晶與非晶，液晶、準(zhǔn)晶與非晶， 上坡擴散與下坡擴散，穩(wěn)態(tài)擴散與非穩(wěn)態(tài)擴散，互擴散與自擴散， 孿生與孿晶，滑移與孿生，交滑移與多滑移，絲織構(gòu)與板織構(gòu)，滑移、孿生與扭折，多滑移與交滑移，固溶強化與形變強化，細晶強化與彌散強化，絲織構(gòu)與板織構(gòu)，形變織構(gòu)與再結(jié)晶織構(gòu)， 織構(gòu)（texture）與（結(jié)構(gòu)）組織（microstructure）， 相律與相圖， 凝固與結(jié)晶，晶胚與晶核，能量起伏、結(jié)構(gòu)起伏與成分起伏， 均勻形核與非均勻形核，過冷度與臨界晶核半徑，形核與長大，選擇結(jié)晶與區(qū)域熔煉，過冷度與晶粒度， 均勻化（擴散）退火與再結(jié)晶（軟化）退火， 組織組成物與相組成物， 平衡結(jié)晶與非平衡結(jié)晶，共晶轉(zhuǎn)變與共析轉(zhuǎn)變，偽共晶與離異共晶， 枝晶偏析與比重偏析， 固溶體的脫溶轉(zhuǎn)變與多形性轉(zhuǎn)變，脫溶分解與調(diào)幅分解，珠光體、馬氏體與貝氏體，托氏體與索氏體和珠光體，鐵素體、奧氏體和萊氏體，中間相與滲碳體。 七、繪圖與標(biāo)示（作圖時必須在晶胞中標(biāo)出基矢a,b,c） 7-1.在立方晶胞中畫出如下晶面和晶向：（021），（1）和[10]。 7-2.在六方晶胞中畫出（22）晶面。 8