6.1比例運算電路6.1.1R2 R1 RF由于虛斷。u u 0虛地由 iI iF。電路的輸入電阻為Rif R1當(dāng) R1 RF。導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和半導(dǎo)體之間的物質(zhì).大多數(shù)半導(dǎo)體器件所用的主要材料是硅 Si 和鍺 Ge .半導(dǎo)體導(dǎo)電性能是由其原子結(jié)構(gòu)決定的.第1頁共90頁。
模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)簡明教程第三版楊素行Tag內(nèi)容描述:
1、第 八 章 波 形 發(fā) 生 器8.1正弦波振蕩電路的分析方法8.2RC 正弦波振蕩電路8.3LC 正弦波振蕩電路8.4石英晶體振蕩器8.5非正弦波發(fā)生電路 8.1正弦波振蕩電路的分析方法8.1.1 產(chǎn) 生 正 弦 波 振 蕩 的 條 件iU。
2、6.1比例運算電路6.1.1R2 R1 RF由于虛斷,i 0,u 0;由于虛短, u u 0虛地由 iI iF ,得Fo1IRuuRuu IFIofRRuuAu 反相比例運算電路由于反相輸入端虛地,電路的輸入電阻為Rif R1當(dāng) R1 RF。
3、10.1直流電源的組成圖 直流電源的組成電網(wǎng)電壓電源變壓器整流電路濾波器穩(wěn)壓電路負(fù)載第1頁共49頁10.2單相整流電路單相半波整流電路tU sin22LRU2222U22U優(yōu)點:使用元件少.缺點:輸出波形脈動大;直流成分小;變壓器利用率低。
4、1.1半導(dǎo)體的特性半導(dǎo)體的特性1. 導(dǎo)體:電阻率 109 cm 物質(zhì).如橡膠塑料等.3. 半導(dǎo)體:導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和半導(dǎo)體之間的物質(zhì).大多數(shù)半導(dǎo)體器件所用的主要材料是硅 Si 和鍺 Ge .半導(dǎo)體導(dǎo)電性能是由其原子結(jié)構(gòu)決定的.第1頁共90頁。
5、2.1放大的概念放大的概念本質(zhì):實現(xiàn)能量的控制.在放大電路中提供一個能源,由能量較小的輸入信號控制這個能源,使之輸出較大的能量,然后推動負(fù)載.小能量對大能量的控制作用稱為放大作用.放大的對象是變化量.元件:雙極型三極管和場效應(yīng)管.第1頁共9。
6、5.1反饋的基本概念在電子設(shè)備中經(jīng)常采用反饋的方法來改善電路的性能,以達(dá)到預(yù)定的指標(biāo).例如,采用直流負(fù)反饋穩(wěn)定靜態(tài)工作點.Rb1 和 Rb2 分壓,使基極 UB 固定.T ICQ IEQUEQ IEQReUBQ 固定UBEQ UBQ UEQ。