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模電試題及答案

大學(xué)模擬電子技術(shù)模電期末考試模擬試題一 填空題:每空1分 共40分 1PN結(jié)正偏時(shí) 導(dǎo)通 ,反偏時(shí) 截止,所以PN結(jié)具有 單向 導(dǎo)電性. 2漂移電流是 溫度 電流,它由 少數(shù) 載流子形成,其大小與 溫度 有關(guān),而與外加電壓無關(guān) . 3所謂理,模擬電子技術(shù)模擬試題一一 填空題:每空1分 共40分 1P

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1、大學(xué)模擬電子技術(shù)模電期末考試模擬試題一 填空題:每空1分 共40分 1PN結(jié)正偏時(shí) 導(dǎo)通 ,反偏時(shí) 截止,所以PN結(jié)具有 單向 導(dǎo)電性. 2漂移電流是 溫度 電流,它由 少數(shù) 載流子形成,其大小與 溫度 有關(guān),而與外加電壓無關(guān) . 3所謂理。

2、模擬電子技術(shù)模擬試題一一 填空題:每空1分 共40分 1PN結(jié)正偏時(shí) 導(dǎo)通 ,反偏時(shí) 截止,所以PN結(jié)具有 單向 導(dǎo)電性. 2漂移電流是 溫度 電流,它由 少數(shù) 載流子形成,其大小與 溫度 有關(guān),而與外加電壓無關(guān) . 3所謂理想二極管,就是。

3、模擬電子技術(shù)復(fù)習(xí)題綜合第12章一.選擇題1在本征半導(dǎo)體中摻入微量的 D 價(jià)元素,形成N型半導(dǎo)體.A.二 B.三 C.四 D 五2在P型半導(dǎo)體中,自由電子濃度 C 空穴濃度.A.大于 B.等于 C.小于3本征半導(dǎo)體溫度升高以后, C .A.自。

4、 WORD格式 可編輯模擬電子線路隨堂練習(xí)第一章 半導(dǎo)體器件作業(yè)11一習(xí)題滿分100分1.N型半導(dǎo)體帶負(fù)電,P型半導(dǎo)體帶正電. 2.以空穴為主要導(dǎo)電方式的半導(dǎo)體稱為P型半導(dǎo)體. 3.PN結(jié)處于正向偏置時(shí),正向電流小,電阻大,處于導(dǎo)通狀態(tài). 。

5、模擬電子技術(shù)復(fù)習(xí)題綜合第12章一.選擇題1在本征半導(dǎo)體中摻入微量的價(jià)元素,形成N型半導(dǎo)體.A.二 B.三 C.四D五2在P型半導(dǎo)體中,自由電子濃度C空穴濃度.A.大于 B.等于 C.小于3本征半導(dǎo)體溫度升高以后,Lo房自由電子增多,空穴數(shù)基。

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