2018-2019學(xué)年高中化學(xué) 第3章 物質(zhì)的聚集狀態(tài)與物質(zhì)性質(zhì) 第2節(jié) 金屬晶體與離子晶體學(xué)案 魯科版選修3.doc
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2018-2019學(xué)年高中化學(xué) 第3章 物質(zhì)的聚集狀態(tài)與物質(zhì)性質(zhì) 第2節(jié) 金屬晶體與離子晶體學(xué)案 魯科版選修3.doc
第2節(jié)金屬晶體與離子晶體1能用金屬鍵和離子鍵的理論解釋金屬晶體和離子晶體的物理性質(zhì)。(重點(diǎn))2了解金屬晶體的三種原子堆積模型和幾種典型離子晶體的晶胞結(jié)構(gòu)。(難點(diǎn))3了解晶格能的概念和意義。金 屬 晶 體基礎(chǔ)初探1概念金屬原子通過(guò)金屬鍵形成的晶體稱(chēng)為金屬晶體。2特點(diǎn)由于金屬鍵沒(méi)有飽和性和方向性,從而導(dǎo)致金屬晶體最常見(jiàn)的結(jié)構(gòu)型式具有堆積密度大、原子配位數(shù)高、能充分利用空間等特點(diǎn)。3常見(jiàn)堆積方式三種典型結(jié)構(gòu)型式面心立方最密堆積A1體心立方密堆積A2六方最密堆積A3常見(jiàn)金屬Ca,Cu,Au,Al,Pd,Pt,AgLi,Na,K,Ba,W,F(xiàn)eMg,Zn,Ti結(jié)構(gòu)示意圖配位數(shù)12812晶體結(jié)構(gòu)面心立方晶胞體心立方晶胞六方晶胞4.物理通性金屬晶體具有金屬光澤,有良好的導(dǎo)電、導(dǎo)熱和延展性。1金屬在發(fā)生變形延展時(shí),金屬鍵斷裂嗎?【提示】不斷裂。2金屬在通常狀況下都是晶體嗎?金屬晶體的性質(zhì)與哪些因素有關(guān)?【提示】不是,如汞;金屬鍵和金屬原子的堆積方式?jīng)Q定金屬的性質(zhì)。核心突破1金屬物理通性的解釋 2金屬晶體熔點(diǎn)的影響因素同類(lèi)型的金屬晶體的熔點(diǎn)由金屬陽(yáng)離子半徑、離子所帶的電荷決定,陽(yáng)離子半徑越小,所帶電荷越多,相互作用力就越強(qiáng),熔點(diǎn)就越高。例如熔點(diǎn):LiNaKRbCs,NaMgAl。題組沖關(guān)1金屬能導(dǎo)電的原因是()A金屬晶體中金屬陽(yáng)離子與自由電子間的相互作用較弱B金屬晶體中的自由電子在外加電場(chǎng)作用下發(fā)生定向移動(dòng)C金屬晶體中的金屬陽(yáng)離子在外加電場(chǎng)作用下可發(fā)生定向移動(dòng)D金屬晶體在外加電場(chǎng)作用下可失去電子【解析】金屬原子失去電子后變?yōu)榻饘匐x子,失去的電子稱(chēng)為自由電子,自由電子可以在金屬晶體中自由移動(dòng),在外加電場(chǎng)的作用下,自由電子就會(huì)定向移動(dòng)而形成電流?!敬鸢浮緽2關(guān)于金屬晶體的體心立方密堆積的結(jié)構(gòu)型式的敘述中,正確的是()A晶胞是六棱柱B屬于A2型最密堆積C每個(gè)晶胞中含4個(gè)原子D配位數(shù)為12【解析】金屬晶體的體心立方密堆積的晶胞是平行六面體,體心立方密堆積的堆積方式為立方體的頂點(diǎn)和體心各有1個(gè)原子,屬于A2型最密堆積,每個(gè)晶胞中含有812個(gè)原子,A2型的配位數(shù)為8?!敬鸢浮緽3金屬晶體堆積密度大,原子配位數(shù)高,能充分利用空間的原因是()A金屬原子的價(jià)電子數(shù)少B金屬晶體中有自由電子C金屬原子的原子半徑大D金屬鍵沒(méi)有飽和性和方向性【解析】這是因?yàn)榻柚跊](méi)有方向性的金屬鍵形成的金屬晶體的結(jié)構(gòu)中,都趨向于使原子吸引盡可能多的原子分布于周?chē)?,并以密堆積的方式降低體系的能量,使晶體變得比較穩(wěn)定。【答案】D4下列關(guān)于金屬晶體的敘述正確的是()A常溫下,金屬單質(zhì)都以金屬晶體形式存在B金屬離子與自由電子之間有強(qiáng)烈的相互作用,在一定外力作用下,不因形變而消失C鈣的熔點(diǎn)低于鉀D溫度越高,金屬的導(dǎo)電性越好【解析】A項(xiàng),汞在常溫下為液態(tài);C項(xiàng),由于原子半徑r(Ca)r(K)且價(jià)電子數(shù)CaK,所以金屬鍵CaK,故熔點(diǎn)CaK?!敬鸢浮緽離 子 晶 體基礎(chǔ)初探1概念由陽(yáng)離子和陰離子通過(guò)離子鍵結(jié)合,在空間呈現(xiàn)有規(guī)律的排列而形成的晶體。2常見(jiàn)AB型的離子晶體晶體類(lèi)型NaCl型CsCl型ZnS型晶體結(jié)構(gòu)模型配位數(shù)684晶胞中微粒數(shù)Na4Cl4Cs1Cl1Zn24S24符號(hào)類(lèi)型Li、Na、K、Rb的鹵化物、AgF、MgO等CsBr、CsI、NH4Cl等BeO、BeS等3.晶格能(1)概念:將1 mol離子晶體中的陰、陽(yáng)離子完全氣化而遠(yuǎn)離所吸收的能量。(2)意義:衡量離子鍵的強(qiáng)弱。晶格能越大,表示離子鍵越強(qiáng),離子晶體越穩(wěn)定。(3)影響因素:晶格能,即與陰、陽(yáng)離子所帶電荷的乘積成正比,與陰、陽(yáng)離子間的距離成反比。與離子晶體的結(jié)構(gòu)型式有關(guān)。4特性(1)熔點(diǎn)、沸點(diǎn)較高,而且隨著離子電荷的增加,離子間距的縮短,晶格能增大,熔點(diǎn)升高。(2)一般易溶于水,而難溶于非極性溶劑。(3)在固態(tài)時(shí)不導(dǎo)電,熔融狀態(tài)或在水溶液中能導(dǎo)電。離子晶體的化學(xué)式是表示真正的分子構(gòu)成嗎?【提示】不是。離子晶體的化學(xué)式僅代表晶體中陰、陽(yáng)離子個(gè)數(shù)比,并不代表分子構(gòu)成,所以離子晶體中不存在分子。核心突破對(duì)離子晶體特性的理解1離子晶體熔、沸點(diǎn)的比較:一般來(lái)說(shuō),陰、陽(yáng)離子所帶的電荷數(shù)越多,離子半徑越小,則離子鍵越強(qiáng),離子晶體的熔、沸點(diǎn)越高,如Al2O3>MgO;NaCl>CsCl等。2對(duì)于離子晶體的熔、沸點(diǎn),要注意“一般來(lái)說(shuō)”和“較高”等字詞?!耙话銇?lái)說(shuō)”說(shuō)明離子晶體的熔、沸點(diǎn)還有些特例;“較高”是與其他晶體類(lèi)型比較的結(jié)果。3離子晶體的一些特殊物理性質(zhì)可用于確定晶體類(lèi)型。如在固態(tài)時(shí)不導(dǎo)電,在熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電的晶體一定是離子晶體。4離子晶體導(dǎo)電的前提是先電離出自由移動(dòng)的陰、陽(yáng)離子。難溶于水的強(qiáng)電解質(zhì)如BaSO4、CaCO3等溶于水時(shí),由于濃度極小,故導(dǎo)電性極弱。通常情況下,它們的水溶液不導(dǎo)電。題組沖關(guān)1下列物質(zhì)的晶體屬于離子晶體的是()A苛性鉀B碘化氫C硫酸D醋酸【解析】苛性鉀含有離子鍵,故屬于離子晶體;碘化氫、硫酸、醋酸均含有分子間作用力,故三者均為分子晶體。【答案】A2下列性質(zhì)適合于離子晶體的是()A熔點(diǎn)1 070 ,固態(tài)不導(dǎo)電,液態(tài)能導(dǎo)電B熔點(diǎn)10.31 ,液態(tài)不導(dǎo)電,水溶液能導(dǎo)電C能溶于CS2,熔點(diǎn)112.8 ,沸點(diǎn)444.6 D熔點(diǎn)97.81 ,質(zhì)軟,導(dǎo)電,密度0.97 gcm3【解析】離子晶體的性質(zhì)是熔點(diǎn)較高,固態(tài)不導(dǎo)電,液態(tài)和水溶液能導(dǎo)電,質(zhì)脆?!敬鸢浮緼3下列說(shuō)法正確的是()A晶體中若存在陰離子,就一定存在陽(yáng)離子B離子晶體不一定是化合物C離子晶體都易溶于水D離子晶體一定是由活潑金屬和活潑非金屬形成的【解析】離子晶體的構(gòu)成微粒是陰離子與陽(yáng)離子,A項(xiàng)正確。離子晶體中存在離子鍵,存在電子得失,一定是化合物,B項(xiàng)錯(cuò)。CaCO3、BaSO4等離子晶體難溶于水,C項(xiàng)錯(cuò)。NH4Cl晶體全部由非金屬元素組成,D項(xiàng)錯(cuò)?!敬鸢浮緼4 NaCl晶體模型如下圖所示:【導(dǎo)學(xué)號(hào):66240026】(1)在NaCl晶體中,每個(gè)Cl周?chē)瑫r(shí)吸引著_個(gè)Na;在NaCl晶胞中含有_個(gè)Na、_個(gè)Cl,晶體中每個(gè)Na周?chē)c它距離最近且相等的Na共有_個(gè)。(2)對(duì)于氯化鈉晶體,下列描述正確的是_。A它是六方緊密堆積B相鄰的正負(fù)離子核間距等于正負(fù)離子半徑之和C與氯化銫晶體結(jié)構(gòu)相同D每個(gè)Na與6個(gè)Cl鄰近【解析】(1)在氯化鈉晶體中,一個(gè)Na位于晶胞的中心,12個(gè)Na分別位于晶胞的12條棱上,則屬于該晶胞的Na相當(dāng)于3個(gè)(123,棱邊上的每個(gè)Na同時(shí)被4個(gè)晶胞共用,屬于該晶胞的Na僅占),因此一個(gè)晶胞中共含有4個(gè)Na;8個(gè)Cl分別位于晶胞的8個(gè)頂點(diǎn)上,則屬于該晶胞的Cl相當(dāng)于1個(gè)(81,頂點(diǎn)上的每個(gè)Cl同時(shí)被8個(gè)晶胞共用,屬于該晶胞的Cl僅占),6個(gè)Cl分別位于晶胞的6個(gè)面心上,則屬于該晶胞的Cl相當(dāng)于3個(gè)(63,面心上的每個(gè)Cl同時(shí)被2個(gè)晶胞共用,屬于該晶胞的Cl僅占),所以一個(gè)晶胞中共含有4個(gè)Cl??梢?jiàn)NaCl晶體中Na、Cl的個(gè)數(shù)比為11。圖中位于晶胞中心的Na實(shí)際上共有3個(gè)平面通過(guò)它,通過(guò)中心Na的每個(gè)平面都有4個(gè)Na位于平面的四角,這4個(gè)Na與中心Na距離最近且距離相等。所以在NaCl晶體中,每個(gè)Na周?chē)c它距離最近且距離相等的Na共有12個(gè),按相似的方法可推出每個(gè)Cl周?chē)c它最近且距離相等的Cl也共有12個(gè)。(2)氯化鈉晶體是面心立方最密堆積,故A錯(cuò);氯化銫晶體結(jié)構(gòu)呈體心立方密堆積A2,所以C不正確;氯化鈉晶體中以Na為中心向三維方向伸展,有6個(gè)Cl近鄰,所以D正確;相鄰的正、負(fù)離子核間距不等于正、負(fù)離子半徑之和,B錯(cuò)?!敬鸢浮?1)64412(2)D