射頻反應(yīng)磁控濺射制備VOX薄膜

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1、 射頻反應(yīng)磁控濺射制備VOx薄膜 全部作者： 李建峰 吳志明 王濤 魏雄邦 黎威志 第1作者單位： 電子科技大學(xué)光電信息學(xué)院電子薄膜與集成器件國家重點實驗室 論文摘要： 本文采用射頻反應(yīng)濺射法制備了VOx

2、薄膜,重點研究了氧分壓對薄膜電學(xué)性能的影響，在低真空中330 ℃低溫退火得到了高性能的VOx 薄膜，制得了具有電阻溫度系數(shù)較高（-3.97%）和方阻較小的VOx薄膜, 并采用X光電子能譜分析儀XPS 對薄膜的結(jié)構(gòu)及成分進行了分析，經(jīng)分析計算得到其化學(xué)計量式為VO1.9。 關(guān)鍵詞： VOx薄膜；射頻反應(yīng)濺射；電阻溫度系數(shù) (瀏覽全文) 發(fā)表日期： 2008年04月11日

3、 同行評議： 該文研究了濺射條件主要是氧分壓對VOX薄膜電學(xué)性能的影響，雖然取得了1些有意義的結(jié)果，但總得來說不具有創(chuàng)新性。在論文寫作中，有1些基本的錯誤，比如：（1）XPS不能用來分析材料的結(jié)構(gòu)，但在摘要中作者聲稱用XPS分析了薄膜的結(jié)構(gòu)。（2）在第2頁中，有1段這樣的描述：在氧分壓0.3％,......,金屬釩沒有產(chǎn)生反應(yīng)......。首先，“金屬釩沒有發(fā)生反應(yīng)”這個說法不清楚，應(yīng)該指出金屬釩與什么沒有發(fā)生反應(yīng)；其次，從本質(zhì)上說，金屬釩不可能沒有被氧化，只是氧化的程度較輕而已。 （3

4、）在圖1中的升降溫度曲線的表示方面，不夠清楚。橫坐標的溫度都是從小到大，如何讓讀者辯明是升降溫曲線？（4）在第3頁中，作者描述XPS的分析室真空優(yōu)于220－7Pa，評審人認為這不可能，希望這是1個筆誤。 此外，論文寫作用語不夠規(guī)范，有多處語法不通。比如：第2頁中的“由于靶表面只是吸附...”等等,不1而足。 綜合評價： 修改稿： 注：同行評議是由特聘的同行專家給出的評審意見，綜合評價是綜合專家對論文各要素的評議得出的數(shù)值，以1至5顆星顯示。