華為LTE設(shè)備介紹PPT課件

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1、Click to edit Master title style,Click to edit Master text styles,Second level,Third level,Fourth level,Fifth level,*,*,Click to edit Master title style,HUAWEI TECHNOLOGIES CO.,LTD.,Slide title,:40-47pt,Slide subtitle,:26-30pt,Color:white,Corporate Font,:,FrutigerNext LT Medium,Font to be used by cu

2、stomers and,partners,:,Arial,Security Level:,HISILICON SEMICONDUCTOR,Page,*,HUAWEI TECHNOLOGIES CO.,LTD.,Page,*,單擊此處編輯母版標題樣式,單擊此處編輯母版文本樣式,第二級,第三級,第四級,第五級,英文標題,:32-35pt,顏色,:R153 G0 B0,內(nèi)部使用字體,:,FrutigerNext LT Medium,外部使用字體,:Arial,中文標題,:30-32pt,顏色,:R153 G0 B0,字體,:,黑體,英文正文,:20-22pt,子目錄,(2-5,級,):18pt,顏色

3、,:,黑色,內(nèi)部使用字體,:,FrutigerNext LT Regular,外部使用字體,:Arial,中文正文,:18-20pt,子目錄,(2-5,級,):18pt,顏色,:,黑色,字體,:,細黑體,配色參考方案：,建議同一頁面內(nèi)不超過四種顏色，以下是組配色方案，同一頁面內(nèi)只選擇一組使用。,（僅供參考）,客戶或者合作伙伴的標志放在右上角,.,2014,年中移動,TD-LTE,三期集采投標產(chǎn)品交流,華為三期,BBU,及基帶板全景圖,繼續(xù)投標,新硬件,繼續(xù)投標,BBU3900,LBBPd4,3,*,20M,8T8R,6,*,20M,2T2R,UBBPd9,6,*,20M,8T8R,12,*,2

4、0M,2T2R,LBBPd4,UBBPd9,BBU3910,室外,Blade,BBU,6,*,20M,8T8R,12,*,20M,2T2R,BBU3910A,背板交換能力,散熱能力,供電能力,Blade Site,解決傳統(tǒng)站點挑戰(zhàn),Page,3,RRU,小型態(tài),BBU,機房,/,機柜,+,盒子,占地,站點資源最大化,“0”,小時安裝,模塊化運維最簡單,2,Fiber,RRU/AAU,Blade BBU,Blade,備電,Blade,電源,1,個盒子，,1,根線纜,“MIN”,站點故障率,Blade SiteBBU3910A,主要規(guī)格,單基帶板規(guī)格,(,合一板卡,)UMDU=UMPT+UBBPd

5、9,6,*,20M 8T8R/12*20M 2T2R,（僅,TDL,）,Ir,接口速率,6*9.8G,傳輸接口,FE/GE,一光一電,對外供電,1POE(60W),回傳,時鐘,GPS,、北斗和,1588v2,尺寸,12L(,400 x100 x300mm,),、,24L(,備電,),重量,12kg,，,33kg(,備電,),供電,DC-48V,功耗,150W,電源功率容量,3000W(,滿足,1BBU+3RRU),，備電,20AH,防護,自然散熱，,IP65,BBU,電源,（選配）,備電,（選配）,應(yīng)用場景：,公路、郊區(qū)、農(nóng)村,特點,：“,0”,站址，,2,小時安裝，,MIN,故障率,華為三期

6、室內(nèi)外,RRU,模塊全景圖,繼續(xù)投標,新,8,通道模塊,DRRU3168e-fa,FA,頻段,8*22W(,F,改頻,),RRU3273,D,頻段,8*25W,RRU3277,D,頻段,8*30W,AAU3215,AAU3213,D,頻段,8*25W,RRU3182-FAD,RRU3182-e,DRRU3152-e,E,頻段,2*50W,DRRU3172-FAD,FA:2*30W,(F,改頻,),D:2*40W,DRRU3161-fae,FA:30W,(F,改頻,),E:50W,RRU3275,E,頻段,2*60W,FA,頻段,2*35W,D,頻段,2,*,60W,D,頻段,2*60W,繼續(xù)投

7、標,新,2,通道模塊,D,頻段,8,*,30W,8T8R RRU,（,RRU3273/RRU3277,）,RRU,小型態(tài),BBU,性能優(yōu),部署快,全新一代,ASIC,芯片，內(nèi)置,serdes,接口，集成度更高，功耗小,首次采用氮化鎵功放技術(shù)，功放效率顯著提升，支持更大輸出功率,優(yōu)化電源等電路，提升效率,型號,RRU3273,RRU3277,（三期新產(chǎn)品）,配置,2.6G 8T8R,2.6G 8T8R,功率,8,*,25W,8,*,30W,載波,/,帶寬,3,*,20M/60M,3,*,20M/60M,重量,17Kg,17Kg,尺寸,17L,17L,工作溫度,-40,C,55,C,-40,C,5

8、5,C,安裝方式,抱桿,抱桿,功耗,460W,560W,型號,RRU3273,RRU3277,（三期新產(chǎn)品）,性能優(yōu),新增,D,頻段不需要新增天線和,RRU,部署快,零饋損，相比,FA&D,獨立電條合入方式，性能提升將近,3dB,FA&D,獨立電調(diào),FAD,天線,&,D,頻段,RF,原,FA RRU,天線,RRU,一體化設(shè)備（,AAU3213/AAU3215,）,RRU,小型態(tài),BBU,型號,AAU3215,（三期新產(chǎn)品）,AAU3213,配置,2.6G 8T8R,（有源）,+FA 8T8R,（無源）,2.6G 8T8R,（有源）,+FA 8T8R,（無源）,功率,8,*,30W,8,*,25

9、W,載波,/,帶寬,3,*,20M/60M,3,*,20M/60M,天線增益,16dBi,16dBi,電調(diào),雙頻獨立電調(diào),雙頻獨立電調(diào),重量,/,尺寸,35Kg,，,1400,*,320,*,230,35Kg,，,1400,*,320,*,230,工作溫度,-40,C,55,C,-40,C,55,C,安裝方式,抱桿,抱桿,功耗,560W,460W,射頻功放管新材料,氮化鎵,(NGa),技術(shù)趨勢演進,LDMOS,氮化鎵,發(fā)展訴求：更高的功率，更高的效率,(,綠色節(jié)能,),LDMOS,(,橫向擴散金屬氧化物半導體,),GaN,氮化鎵的好處,更高的漏極效率,：,相比,LDMOS,效率提升,5%,以上

10、,更大的帶寬,：支持高頻、大帶寬,更高的擊穿電壓,：輸出更高的功率,更高的結(jié)溫,：功放體積更小，結(jié)構(gòu)支持更大功率,我司在氮化鎵行業(yè)領(lǐng)導地位,多年的預研工作，推動產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，解決關(guān)鍵技術(shù),Page,8,晶片,IC,RRU,RRU,小型態(tài),BBU,雙通道,FAD RRU,效率更高的新功放管,提升電源的輸出功率，并提升效率,優(yōu)化硬件電路，使用性能更好的器件,RRU,小型態(tài),BBU,設(shè)備型號,DRRU3172-fad,DRRU3182-fad,（三期新產(chǎn)品）,通道數(shù),2,通道,2,通道,工作頻帶寬度,F+A+D,F+A+D,容量,F+A,：,30M+15MD,：,3*20M,F+A,：,30M+15M

11、,D,：,3*20M,輸出功率,FA:2*30WD:2*40W,FA:2*35WD:2*60W,光纖接口,2*9.8G,2*9.8G,級聯(lián)情況,6,級,6,級,功耗,350W,540W,尺寸（,L）,12L,18L,重量（,Kg）,12kg,18kg,室內(nèi)雙通道,E,頻段,RRU,采用效率更高的新功放管,提升電源的輸出功率，并提升效率,優(yōu)化硬件電路，使用性能更好的器件,RRU,小型態(tài),BBU,設(shè)備型號,DRRU3152-e,RRU3182-e,（三期新產(chǎn)品）,通道數(shù),2,通道,2,通道,工作頻帶寬度,E,E,容量,2*20M TDL+6C TDS,2*20M+10M TDL,輸出功率,2*50

12、W,2*60W,光纖接口,2*9.8G,2*9.8G,級聯(lián)情況,6,級,6,級,功耗,365W,375W,尺寸（,L）,11L,11L,重量（,Kg）,10kg,10kg,華為三期室內(nèi)外小形態(tài)模塊全景圖,A principle of,distinctive fit,Unique,harmony,GSM,和,LTE,雙模,2*20M LTE 2*125mw,1.2L/1.2kg,AAU3240,FA:2*15W(F,改頻,),D:2*30W,3172mini-fad,FA:2*10W(F,改頻,),D:2,*,10W,8L/8kg,新 增,RRN3201(R),F,頻段或,D,頻段,BTS320

13、5E,F,頻段或,D,頻段,2*20M,；,6L/6kg,1*20MHz,，,2*125mw,2.6L/3kg,pRRU3901,pRRU3902,Lampsite,繼續(xù)投標,繼續(xù)投標,1*20M LTE,2*125mW,802.11b/g/n,BTS3203B,Nanocell,宿主基站,DBS3900,RRN,中繼基站,中繼站,方案一：回傳模塊,+,小站,ATOM,體積小，利于部署,方案二：回傳模塊,+,宏站,宏站功率大，覆蓋更遠,RRN,靈活部署的華為,Relay,，回傳模塊可與中繼基站靈活組合，滿足不同覆蓋需求,Relay,延伸,LTE,覆蓋,設(shè)備型號,RRN3201R,頻率支持,（,

14、D,頻段）,2575MHz2635MHz,頻段（,F,頻段）,1880MHz1915MHz,頻段,帶寬規(guī)格,支持,10MHz，15MHz，20MHz,發(fā)射功率,24dBm,，,1T2R,天線規(guī)格,D,頻段：,15dBi,，,H40,度,/V20,度；,F,頻段：,12dBi,，,H60,度,/V25,度；,體積重量,總體積小于,4.0L,（不含安裝件），,重量小于,3.5Kg,（不含安裝件）,尺寸,340mm,200mm,60mm,安裝方式,抱桿，桿徑范圍支持,48381mm/,掛墻,供電方式,PoE,額定輸入,:-48V DC,0.6 A,防護等級,IP65,Nanocell,：,BTS32

15、03B,及網(wǎng)關(guān),C-SCGW,WLAN,協(xié)議,支持,802.11 b/g/n,頻段,2.4GHz,功率,最大發(fā)射功率 200mW,功能,瘦,AP,/胖AP,TD,-L,TE,頻段,2320,-,2370,MHz(Band 40),容量,激活用戶數(shù)：,32,，,RRC,連接用戶數(shù)：,96,帶寬,10MHZ,20 MHZ,功率,默認配置,21dBm,，最大發(fā)射功率,24dBm,空口同步,精度,0.25ppm,，,3us,網(wǎng)關(guān)規(guī)格,支持接入,5000,網(wǎng)元,整機,接口,LAN:RJ45,2，10/,100M,自適應(yīng),天線,內(nèi)置,2 x 2,全向天線,，,外置,SMA,接口,電源,12V DC,或,P

16、OE+,供電,環(huán)境,-5,40,，,5,%9,5,%,體積,3L/3kg,C-SCGW,減少,MME,控制面負荷及,IPSec,匯聚能力,RRU,小型態(tài),BBU,室內(nèi)覆蓋,LampSite(pRRU3901/pRRU3902),BBU3900,RHUB3908,pRRU3902,RRU,小型態(tài),BBU,設(shè)備型號,pRRU3901,pRRU3902,（三期新產(chǎn)品）,頻段,1.8(2T2R)+2.3(2T2R),輸出功率,1*50mW for 1.8G GSM,2*125mW for 2.3G TDL,1*50mW for 1.8G GSM,2*125mW for 2.3G TDL,IBW,GS,M,:20MHz,TDL:20MHz,20MHz for GSM,2*20MHz for TDL,載波數(shù),1.8:4GSM,2.3G:1TDL,1.8:4GSM or 1FDL,2.3G:2TDL(,單,RF,卡,),天線,I,nternal(2dBi Gain),體積重量,2.6,L/3Kg,1.2L,/1.2Kg,傳輸,2*1G,，,2,：,1,壓縮,2*1G,，,4,：,1,壓縮,三期集采投