《數(shù)電課件第七章-清華》由會員分享，可在線閱讀，更多相關(guān)《數(shù)電課件第七章-清華（32頁珍藏版）》請在裝配圖網(wǎng)上搜索。
1、 ！單元數(shù)龐大！輸入/輸出引腳數(shù)目有限 EPROMROMROM可擦除的可編程可編程掩模RAMRAM動態(tài)靜態(tài) A0An-1 W0W(2n-1) D0Dm 寫是一次性編程，不能改！編程時將不用的熔斷有出廠時，每個結(jié)點上都熔絲由易熔合金制成 寫入時，要使用編程器 管疊柵注入MOS MOSInjuctiongateStackedSIMOS )( 浮置柵控制柵: fcGG通處正常邏輯高電平下導(dǎo)上未充負電荷，則若導(dǎo)通處正常邏輯高電平下不上充以負電荷，則若工作原理：cf cf GG GG 年）光燈下分鐘（陽光下一周，熒紫外線照射空穴對，提供泄放通道生電子“擦除”：通過照射產(chǎn)形成注入電荷到達吸引高速電子穿過寬
2、的正脈沖，上加同時在發(fā)生雪崩擊穿）間加高壓（“寫入”：雪崩注入33020 5025 25202 , , fc GSiO msVG VSD )(管浮柵隧道氧化層采用點擦除慢，操作不便的缺為克服MOSFLOTOXUVEPROM“隧道效應(yīng)”電子會穿越隧道）當場強達到一定大?。ê穸戎g有小的隧道區(qū)，與 ,/ cmV mSiODG f 7 8210 102 導(dǎo)通）下，電壓（未充電荷時，正常讀出截止）下，電壓（充電荷后，正常讀出工作原理：TVG TVGG CCf 33f jCi G BmsVGW 電子隧道區(qū)接的正脈沖，加充電：01020 ,上電荷經(jīng)隧道區(qū)放電加正脈沖，接放電： f jiCG BWG ,0
3、（隧道區(qū)）區(qū)有極小的重疊區(qū)與）更?。ㄅc襯底間SG nmOSGf if 15102 的正脈沖，加接），加正壓（，充電利用雪崩注入方式向工作原理：usVG VVSDGc ssf 1012 06*上電荷經(jīng)隧道區(qū)放電的正脈沖加放電，利用隧道效應(yīng)f sscfG nsVVGG 100120 , 作存儲單元觸發(fā)器，為基本RSTT 41 相通、與、導(dǎo)通，行中被選中，時，能在jji BBQQTTX 65 11, 單元與緩沖器相連列第行第導(dǎo)通，這時時，所在列被選中，jiTTYj 87 1,，讀操作截止，與導(dǎo)通，則若時，當OIQ AAAWRSC 32110 ,，寫操作導(dǎo)通，與截止，則若QOI AAAWR 3210,
4、 六管N溝道增強型MOS管 SCWR AA OIOI 片選信號：寫信號：讀地址線：數(shù)據(jù)線：/ 70 70 1024 x 8RAM 70 OIOI . 9870 AAAA ,. WR WR AAAA OIOI 寫信號：讀地址線：數(shù)據(jù)線：/ 9870 70 , ):( 1100256256 70 A個地址個字，需要每一片提供SCYYAAAA 分別接四片的譯成即將兩位代碼區(qū)分四片用, 3089 89 10237687675125112562550 11100100 07070707 , AAAAAAAA四片的地址分配就是：89 AA 4321 SCSCSCSC 11100100 29292929 AAAAAAAA ,四片的地址分配就是：01 AA 4321 SCSCSCSC 01AA912AAA A0An-1 W0W(2n-1) ABCDDCBAY DCBADABCY BCDADBCDCBAY CBABCAYROM4321產(chǎn)生：用 ),( ),( ),( ),( 152144 141076 7632 4321 mY mY mY mY
數(shù)電課件第七章-清華
