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1、塑 膠 外 觀 金 屬 化 製 程 簡 介 1 SprayingSubstrateMaterial2 Electroplating SubstrateMaterialAnode Cathode 3 Evaporation MaterialSubstrateHeaterVacuum chamberCloud4 Sputtering MaterialSubstratePlasma 1 Evaporation MaterialSubstrateHeaterVacuum chamberCloud 2 Sputtering MaterialSubstratePlasma MaterialSubstrat
2、eHeaterVacuum chamberCloud MaterialSubstratePlasma 物 質(zhì) 的 第 四 態(tài) Vacuum pump Takes place in a vacuumchamberElectrical charge is formed between the substrate and cathodeGas is injected in chamberIons hit the target andknock off atomsTarget atoms land (condense) on substrate to form a thin filmTarget Ma
3、terial(Cathode) SubstrateEnergyIons move in plasma GasPlasmaGas ionizes - forms a plasma Sputteringchamber Bufferchamber UnloadingchamberPlasmatreatmentLoadingchamberrobotIn robotOut SputteringChamber BufferChamber UnloadingChamberBufferChamberLoadingChamber Out PVD蒸 鍍 法 真 空 蒸 鍍 濺 射 蒸 鍍 離 子 蒸 鍍粒 子 生
4、 成 機 構 熱 能 動 能 熱 能膜 生 成 速 率 可 提 高 快 可 提 高粒 子 原 子 、 離 子 原 子 、 離 子 原 子 、 離 子蒸 鍍 均 勻 性 複 雜 形 狀 佳 良 好 良 好 ， 但 膜 厚 分 佈 不 均平 面 佳 優(yōu) 佳蒸 鍍 金 屬 可 可 可蒸 鍍 合 金 可 可 可蒸 鍍 耐 熱 化 合 物 可 可 可 粒 子 能 量 很 低 0.10.5eV 可 提 高 1100eV 可 提 高 1100Ev惰 性 氣 體 離 子 衝 擊 通 常 不 可 以 可 ， 或 依 形 狀 不 可 可表 面 與 層 間 的 混 合 通 常 無 可 可加 熱 （ 外 加 熱 ）
5、可 通 常 無 可 ， 或 無蒸 鍍 速 率 10-9m/sec 1.671250 0.1716.7 0.50833 性 質(zhì) 沈 積 速 率 大 尺 寸 厚 度 控 制 精 確 成 份 控 制 可 沈 積 材 料 之選 用 整 體 製 造 成 本方 法蒸 鍍(Evaporation) 慢 可 佳 多 佳濺 鍍(Sputter) 佳 佳 佳 多 佳 A thin“ coating ofa substance onto a substrate Hard coatedMetalSubstratePrimer PVD MetalPrimerSubstratePrintingLaser Etching Hard coated Printing SubstrateMetal Laser Etching Printing
《真空鍍膜技術》課件
