高考化學(xué)一輪復(fù)習(xí) 第12章 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)(選修)第3講 晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)課件 新人教版.ppt
,第十二章 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)(選修),第三講 晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì),考綱要求 1了解原子晶體的特征,能描述金剛石、二氧化硅等原子晶體的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系。 2了解分子晶體與原子晶體、離子晶體、金屬晶體的構(gòu)成粒子及粒子間作用力的區(qū)別。 3理解金屬鍵的含義,能用金屬鍵理論解釋金屬的一些物理性質(zhì)。,1晶體與非晶體 (1)晶體與非晶體的區(qū)別。,考點(diǎn)一 晶體的常識(shí),知識(shí)梳理,周期性有序,無序,(2)得到晶體的途徑。 熔融態(tài)物質(zhì)凝固。 氣態(tài)物質(zhì)不經(jīng)液態(tài)直接凝固。 溶質(zhì)從溶液中析出。 (3)晶體的特點(diǎn)。 外形和內(nèi)部質(zhì)點(diǎn)排列的_性。 晶體的許多物理性質(zhì)(如強(qiáng)度)表現(xiàn)出_性。 晶體具有_性,即晶體能自發(fā)地呈現(xiàn)_的性質(zhì)。 (4)區(qū)別晶體和非晶體的方法。 熔點(diǎn)法:_的熔點(diǎn)較固定,而_沒有固定的熔點(diǎn)。 _:當(dāng)單一波長(zhǎng)的X射線通過晶體時(shí),會(huì)在記錄儀上看到_,而非晶體則沒有。,高度有序,各向異,自范,幾何多面體,晶體,非晶體,X射線衍射法,分立的斑點(diǎn)或譜線,2晶胞 (1)概念。 描述晶體結(jié)構(gòu)的_。 (2)晶體中晶胞的排列無隙并置。 無隙:相鄰晶胞之間沒有_。 并置:所有晶胞_排列、_相同。,基本單元,任何間隙,平行,取向,判斷正誤,正確的劃“”,錯(cuò)誤的劃“×” (1)固態(tài)物質(zhì)一定是晶體( ) (2)冰和固態(tài)碘中相互作用力相同( ) (3)晶體內(nèi)部的微粒按一定規(guī)律周期性的排列( ) (4)凡有規(guī)則外形的固體一定是晶體( ) (5)固體SiO2一定是晶體( ),思考辨析,×,×,×,×,1下圖為離子晶體空間構(gòu)型示意圖:(陽離子,陰離子)以M代表陽離子,以N表示陰離子,寫出各離子晶體的組成表達(dá)式: A_、B_、C_。,題組訓(xùn)練,MN,MN3,MN2,2Zn與S所形成化合物晶體的晶胞如下圖所示。 (1)在1個(gè)晶胞中,Zn2的數(shù)目為_。 (2)該化合物的化學(xué)式為_。 解析 一個(gè)晶胞中Zn2的數(shù)目1(8個(gè)頂點(diǎn))3(6個(gè)面心)4,S2的數(shù)目4(4個(gè)體心)。,4,ZnS,3F、K和Ni三種元素組成的一個(gè)化合物的晶胞如圖所示。 (1)該化合物的化學(xué)式為_;Ni的配位數(shù)為_。 (2)列式計(jì)算該晶體的密度_ g·cm3。,K2NiF4,6,4,XY2或Y2X,(2)非長(zhǎng)方體形(正方體形)晶胞中粒子對(duì)晶胞的貢獻(xiàn)視具體情況而定。如石墨晶胞每一層內(nèi)碳原子排成六邊形,其頂點(diǎn)(1個(gè)碳原子)對(duì)六邊形的貢獻(xiàn)為1/3。 2晶體的密度及微粒間距離的計(jì)算 若1個(gè)晶胞中含有x個(gè)微粒,則1 mol晶胞中含有x mol微粒,其質(zhì)量為xM g(M為微粒的相對(duì)“分子”質(zhì)量);又1個(gè)晶胞的質(zhì)量為 a3 g(a3為晶胞的體積),則1 mol晶胞的質(zhì)量為 a3NA g,因此有xM a3NA。,1四類晶體的比較,考點(diǎn)二 四種晶體性質(zhì)比較,知識(shí)梳理,分子,原子,金屬陽離子、 自由電子,陰、陽離子,分子間作用力,共價(jià)鍵,金屬鍵,離子鍵,較小,很大,很大,很小,較大,較低,很高,很高,很低,較高,2.離子晶體的晶格能 (1)定義: 氣態(tài)離子形成1 mol離子晶體釋放的能量,通常取正值,單位:_。 (2)影響因素: 離子所帶電荷數(shù):離子所帶電荷數(shù)越多,晶格能越_。 離子的半徑:離子的半徑越_,晶格能越大。 (3)與離子晶體性質(zhì)的關(guān)系: 晶格能越大,形成的離子晶體越_,且熔點(diǎn)越高,硬度越_。,kJ·mol1,大,小,穩(wěn)定,大,判斷正誤,正確的劃“”,錯(cuò)誤的劃“×” (1)在晶體中只要有陰離子就一定有陽離子( ) (2)在晶體中只要有陽離子就一定有陰離子( ) (3)原子晶體的熔點(diǎn)一定比金屬晶體的高( ) (4)分子晶體的熔點(diǎn)一定比金屬晶體的低( ) (5)離子晶體一定都含有金屬元素( ) (6)金屬元素與非金屬元素組成的晶體一定是離子晶體( ),思考辨析,×,×,×,×,×,一、晶體類型的判斷 1有下列八種晶體: A水晶 B冰醋酸 C氧化鎂 D白磷 E晶體氬 F氯化銨 G鋁 H金剛石 用選項(xiàng)字母回答下列問題: (1)屬于原子晶體的化合物是_。直接由原子構(gòu)成的晶體是_,直接由原子構(gòu)成的分子晶體是_。 (2)由極性分子構(gòu)成的晶體是_,含有共價(jià)鍵的離子晶體是_,屬于分子晶體的單質(zhì)是_。 (3)在一定條件下能導(dǎo)電而不發(fā)生化學(xué)變化的是_,受熱熔化后化學(xué)鍵不發(fā)生變化的是_,需克服共價(jià)鍵的是_。,題組訓(xùn)練,A,AEH,E,B,F,DE,G,BD,AH,解析 首先正確的判斷晶體類型,其次注意題目的附加要求,如屬于原子晶體的化合物,另外稀有氣體為單原子分子,金屬晶體導(dǎo)電時(shí)僅有自由電子在外加電場(chǎng)作用下發(fā)生定向移動(dòng),屬物理變化。,2現(xiàn)有幾組物質(zhì)的熔點(diǎn)數(shù)據(jù)如下表:,據(jù)此回答下列問題: (1)A組屬于_晶體,其熔化時(shí)克服的微粒間的作用力是_。 (2)B組晶體共同的物理性質(zhì)是_(填序號(hào))。 有金屬光澤 導(dǎo)電性 導(dǎo)熱性 延展性 (3)C組中HF熔點(diǎn)反常是由于_ _。 (4)D組晶體可能具有的性質(zhì)是_(填序號(hào))。 硬度小 水溶液能導(dǎo)電 固體能導(dǎo)電 熔融狀態(tài)能導(dǎo)電 解析 A組熔點(diǎn)高,而且已知金剛石、硅為原子晶體;B組為金屬晶體,所以應(yīng)該具備金屬晶體的性質(zhì);C組中HF分子間存在氫鍵;D組為離子晶體,具備離子晶體的性質(zhì)。,原子,共價(jià)鍵,HF分子間能形成氫鍵,其熔化時(shí)需要,消耗的能量更多,3有A、B、C三種晶體,分別由H、C、Na、Cl四種元素中的一種或幾種組成,對(duì)這三種晶體進(jìn)行實(shí)驗(yàn),結(jié)果如表:,(1)晶體的化學(xué)式分別為A_、B_、C_。 (2)晶體的類型分別是A_、 B_、C_。 (3)晶體中微粒間作用力分別是A_、B_、C_。 解析 根據(jù)A、B、C所述晶體的性質(zhì)可知,A為離子晶體,只能為NaCl,微粒間的作用力為離子鍵;B應(yīng)為原子晶體,只能為金剛石,微粒間的作用力為共價(jià)鍵;C應(yīng)為分子晶體,且易溶,只能為HCl,微粒間的作用力為范德華力。,NaCl,C,HCl,離子晶體,原子晶體,分子晶體,離子鍵,共價(jià)鍵,范德華力,晶體類型的判斷 1依據(jù)組成晶體的晶格質(zhì)點(diǎn)和質(zhì)點(diǎn)間的作用判斷 離子晶體的晶格質(zhì)點(diǎn)是陰、陽離子,質(zhì)點(diǎn)間的作用是離子鍵;原子晶體的晶格質(zhì)點(diǎn)是原子,質(zhì)點(diǎn)間的作用是共價(jià)鍵;分子晶體的晶格質(zhì)點(diǎn)是分子,質(zhì)點(diǎn)間的作用為分子間作用力,即范德華力;金屬晶體的晶格質(zhì)點(diǎn)是金屬陽離子和自由電子,質(zhì)點(diǎn)間的作用是金屬鍵。,2依據(jù)物質(zhì)的分類判斷 金屬氧化物(如K2O、Na2O2等)、強(qiáng)堿(如NaOH、KOH等)和絕大多數(shù)的鹽類是離子晶體。大多數(shù)非金屬單質(zhì)(除金剛石、石墨、晶體硅、晶體硼外)、氣態(tài)氫化物、非金屬氧化物(除SiO2外)、酸、絕大多數(shù)有機(jī)物(除有機(jī)鹽外)是分子晶體。常見的原子晶體單質(zhì)有金剛石、晶體硅、晶體硼等;常見的原子晶體化合物有碳化硅、二氧化硅等。金屬單質(zhì)(常溫除汞外)與合金是金屬晶體。 3依據(jù)晶體的熔點(diǎn)判斷 離子晶體的熔點(diǎn)較高,常在數(shù)百至1 000余度。原子晶體熔點(diǎn)高,常在1 000度至幾千度。分子晶體熔點(diǎn)低,常在數(shù)百度以下至很低溫度,金屬晶體多數(shù)熔點(diǎn)高,但也有相當(dāng)?shù)偷摹?4依據(jù)導(dǎo)電性判斷 離子晶體水溶液及熔化時(shí)能導(dǎo)電。原子晶體一般為非導(dǎo)體,石墨能導(dǎo)電。分子晶體為非導(dǎo)體,而分子晶體中的電解質(zhì)(主要是酸和非金屬氫化物)溶于水,使分子內(nèi)的化學(xué)鍵斷裂形成自由離子也能導(dǎo)電。金屬晶體是電的良導(dǎo)體。 5依據(jù)硬度和機(jī)械性能判斷 離子晶體硬度較大或硬而脆。原子晶體硬度大,分子晶體硬度小且較脆。金屬晶體多數(shù)硬度大,但也有較低的,且具有延展性。,二、晶體熔、沸點(diǎn)的比較 4下列分子晶體中,關(guān)于熔、沸點(diǎn)高低的敘述中,正確的是( ) ACl2I2 BSiCl4PH3 DC(CH3)4CH3CH2CH2CH2CH3,解析 A、B項(xiàng)屬于無氫鍵存在的分子結(jié)構(gòu)相似的情況,相對(duì)分子質(zhì)量大的熔、沸點(diǎn)高;C項(xiàng)屬于分子結(jié)構(gòu)相似的情況,但存在氫鍵的熔沸點(diǎn)高;D項(xiàng)屬于相對(duì)分子質(zhì)量相同,但分子結(jié)構(gòu)不同的情況,支鏈少的熔、沸點(diǎn)高。 答案 C,5NaF、NaI和MgO均為離子晶體,有關(guān)數(shù)據(jù)如下表: 試判斷,這三種化合物熔點(diǎn)由高到低的順序是( ) A B C D,解析 NaF、NaI、MgO均為離子晶體,它們?nèi)埸c(diǎn)高低由離子鍵強(qiáng)弱決定,而離子鍵的強(qiáng)弱與離子半徑和離子電荷數(shù)有關(guān),MgO中鍵長(zhǎng)最短,離子電荷數(shù)最高,故離子鍵最強(qiáng),熔點(diǎn)最高。 答案 B,6下列各組物質(zhì)中,按熔點(diǎn)由低到高的順序排列正確的是( ) O2、I2、Hg CO、KCl、SiO2 Na、K、Rb Na、Mg、Al A B C D,解析 中Hg在常溫下為液態(tài),而I2為固態(tài),故錯(cuò);中SiO2為原子晶體,其熔點(diǎn)最高,CO是分子晶體,其熔點(diǎn)最低,故正確;中Na、K、Rb價(jià)電子數(shù)相同,其原子半徑依次增大,金屬鍵依次減弱,熔點(diǎn)逐漸降低,故錯(cuò);中Na、Mg、Al價(jià)電子數(shù)依次增多,原子半徑逐漸減小,金屬鍵依次增強(qiáng),熔點(diǎn)逐漸升高,故正確。 答案 D,7參考下表中物質(zhì)的熔點(diǎn),回答有關(guān)問題: (1)鈉的鹵化物及堿金屬的氯化物的熔點(diǎn)與鹵素離子及堿金屬離子的_有關(guān),隨著_的增大,熔點(diǎn)依次降低。 (2)硅的鹵化物的熔點(diǎn)及硅、鍺、錫、鉛的氯化物的熔點(diǎn)與_有關(guān),隨著_增大,_增大,故熔點(diǎn)依次升高。 (3)鈉的鹵化物的熔點(diǎn)比相應(yīng)的硅的鹵化物的熔點(diǎn)高得多,這與_有關(guān),因?yàn)開 _,故前者的熔點(diǎn)遠(yuǎn)高于后者。,半徑,半徑,相對(duì)分子質(zhì)量,相對(duì)分子質(zhì)量,分子間作用力,晶體類型,鈉的鹵化物為離子晶體,而硅的鹵化物為分子,晶體,解析 分析表中的物質(zhì)和數(shù)據(jù):NaF、NaCl、NaBr、NaI均為離子晶體,它們的陽離子相同,陰離子隨著離子半徑的增大,離子鍵依次減弱,熔點(diǎn)依次降低。NaCl、KCl、RbCl、CsCl四種堿金屬的氯化物均為離子晶體,它們的陰離子相同,陽離子隨著離子半徑的增大,離子鍵逐漸減弱,熔點(diǎn)依次降低。SiF4、SiCl4、SiBr4、SiI4四種硅的鹵化物均為分子晶體,它們的結(jié)構(gòu)相似,隨著相對(duì)分子質(zhì)量的增大,分子間作用力逐漸增強(qiáng),熔點(diǎn)依次升高。SiCl4、GeCl4、SnCl4、PbCl4四種碳族元素的氯化物均為分子晶體。它們的組成和結(jié)構(gòu)相似,隨著相對(duì)分子質(zhì)量的增大,分子間作用力逐漸增強(qiáng),熔點(diǎn)依次升高。,晶體熔沸點(diǎn)高低的比較 1不同類型晶體的熔、沸點(diǎn)高低規(guī)律:原子晶體離子晶體分子晶體。 金屬晶體的熔、沸點(diǎn)有的很高,如鎢、鉑等;有的則很低,如汞、鎵、銫等。 2由共價(jià)鍵形成的原子晶體中,原子半徑小的,鍵長(zhǎng)短,鍵能大,晶體的熔、沸點(diǎn)高。如:金剛石石英碳化硅硅。 3離子晶體要比較離子鍵的強(qiáng)弱。一般地說,陰、陽離子的電荷數(shù)越多,離子半徑越小,則離子間的作用就越強(qiáng),其離子晶體的熔、沸點(diǎn)就越高,如熔點(diǎn):MgOMgCl2NaClCsCl。,4分子晶體:組成和結(jié)構(gòu)相似的物質(zhì),相對(duì)分子質(zhì)量越大,熔、沸點(diǎn)越高,如熔、沸點(diǎn):O2N2,HIHBrHCl。組成和結(jié)構(gòu)不相似的物質(zhì),分子極性越大,其熔、沸點(diǎn)就越高,如熔、沸點(diǎn):CON2,在同分異構(gòu)體中,一般來說,支鏈數(shù)越多,熔、沸點(diǎn)越低,如沸點(diǎn):正戊烷異戊烷新戊烷;芳香烴及其衍生物的同分異構(gòu)體,其熔、沸點(diǎn)高低順序是“鄰位間位對(duì)位”化合物。,特別提醒 (1)若分子間有氫鍵,則分子間作用力比結(jié)構(gòu)相似的同類晶體大,故熔、沸點(diǎn)較高。例如: 熔、沸點(diǎn):HFHIHBrHCl。 (2)金屬晶體中金屬離子半徑越小,離子電荷數(shù)越多,其金屬鍵越強(qiáng),金屬熔、沸點(diǎn)就越高。如熔、沸點(diǎn):NaNaKRbCs。 (4)根據(jù)物質(zhì)在相同條件下的狀態(tài)不同,熔、沸點(diǎn):固體液體氣體。例如:SHgO2。,1原子晶體(金剛石和二氧化硅),考點(diǎn)三 幾種常見的晶體模型,知識(shí)梳理,(1)金剛石晶體中,每個(gè)C與另外_個(gè)C形成共價(jià)鍵,CC 鍵之間的夾角是109°28,最小的環(huán)是_元環(huán)。含有1 mol C的金剛石中,形成的共價(jià)鍵有_ mol。 (2)SiO2晶體中,每個(gè)Si原子與_個(gè)O成鍵,每個(gè)O原子與_個(gè)硅原子成鍵,最小的環(huán)是_元環(huán),在“硅氧”四面體中,處于中心的是_原子,1 mol SiO2中含有_mol SiO鍵。,4,六,2,4,2,十二,Si,4,2分子晶體 (1)干冰晶體中,每個(gè)CO2分子周圍等距且緊鄰的CO2分子有_個(gè)。 (2)冰的結(jié)構(gòu)模型中,每個(gè)水分子與相鄰的_個(gè)水分子以氫鍵相連接,含1 mol H2O的冰中,最多可形成_mol“氫鍵”。,12,4,2,3離子晶體 (1)NaCl型:在晶體中,每個(gè)Na同時(shí)吸引_個(gè)Cl,每個(gè)Cl同時(shí)吸引_個(gè)Na,配位數(shù)為_。每個(gè)晶胞含_個(gè)Na和_個(gè)Cl。 (2)CsCl型:在晶體中,每個(gè)Cl吸引_個(gè)Cs,每個(gè)Cs吸引_個(gè)Cl,配位數(shù)為_。,6,6,6,4,4,8,8,8,4石墨晶體 石墨層狀晶體中,層與層之間的作用是_,平均每個(gè)正六邊形擁有的碳原子個(gè)數(shù)是_,C原子采取的雜化方式是_。,分子間作用力,2,sp2,5常見金屬晶體的原子堆積模型,1(雙選)下列是鈉、碘、金剛石、干冰、氯化鈉晶體的晶胞示意圖(未按順序排序)。與冰的晶體類型相同的是_(填選項(xiàng)字母)。,題組訓(xùn)練,解析 冰屬于分子晶體,干冰、碘也屬于分子晶體;B為干冰晶胞,C為碘晶胞。 答案 BC,2(1)將等徑圓球在二維空間里進(jìn)行排列,可形成密置層和非密置層。在圖1所示的半徑相等的圓球的排列中,A屬于_層,配位數(shù)是_;B屬于_層,配位數(shù)是_。 (2)將非密置層一層一層地在三維空間里堆積,得到如圖2所示的一種金屬晶體的晶胞,它被稱為簡(jiǎn)單立方堆積,在這種晶體中,金屬原子的配位數(shù)是_,平均每個(gè)晶胞所占有的原子數(shù)目是_。,非密置,4,密置,6,6,1,(3)有資料表明,只有釙的晶體中的原子具有如圖2所示的堆積方式。釙位于元素周期表的第_周期第_族,元素符號(hào)是_,最外電子層的電子排布式是_。,六,A,Po,6s26p4,3根據(jù)圖回答問題:,(1)A圖是某離子化合物的晶胞(組成晶體的一個(gè)最小單位),陽離子位于中間,陰離子位于8個(gè)頂點(diǎn),該化合物中陽、陰離子的個(gè)數(shù)比是_。 (2)B圖表示構(gòu)成NaCl晶體的一個(gè)晶胞,通過想象與推理,可確定一個(gè)NaCl晶胞中含Na和Cl的個(gè)數(shù)分別為_、_。 (3)釔鋇銅復(fù)合氧化物超導(dǎo)體有著與鈣鈦礦相關(guān)的晶體結(jié)構(gòu),若Ca、Ti、O形成如C圖所示的晶體,其化學(xué)式為_。 (4)石墨晶體結(jié)構(gòu)如D圖所示,每一層由無數(shù)個(gè)正六邊形構(gòu)成,則平均每一個(gè)正六邊形所占有的碳原子數(shù)為_,CC鍵數(shù)為_。 (5)晶體硼的基本結(jié)構(gòu)單元都是由硼原子組成的正二十面體的原子晶體,如E圖。其中含有20個(gè)等邊三角形和一定數(shù)目的頂角,每個(gè)頂角上各有1個(gè)原子。試觀察E圖,推斷這個(gè)基本結(jié)構(gòu)單元所含硼原子個(gè)數(shù)、鍵角、BB鍵的個(gè)數(shù)依次為_、_、_。,11,4,4,CaTiO3,2,3,12,60°,30,