華中科技大學2007級《光纖通信技術(shù)》考試試卷

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1、2007 級《光纖通信技術(shù)》考試試卷 A卷 (2010年7月8日下午3: 00-5: 30,閉卷) 專業(yè)班級 姓名 學號 題目 —- —二 三 四 合計 得分 注意事項: 1. 本試卷共四道大題,考試時間為 150 分鐘。 2. 計算結(jié)果必須有單位。 3. 計算中如果用到以下常數(shù),可分別取為: 普朗克常甑 ft-6.65xlQ-i4J.S;光速:c-3.O>clOfm■& ;- 玻爾茲曼常數(shù)土 =1.j8x1O-33J/'Kj基本電荷電量,e = 1.6xlO-uC^ 4. 可能用到的主要公式有: 宀宀用 X仁 W =1-35-0

2、.72^ + 0.12/;時 £r=i.424HJ47x. Z 二氣韭卡圭 甌)七嘰氣嚴 Z掛_ (」殛$ __ 1 口 二(y/

3、1 微米)的半導體激光器通常 是基于四元系化合物材料 。 4. 實現(xiàn)信息加載的外調(diào)制器主要有 和 兩 種。 5. 光接收機的前端主要由 和 兩部分構(gòu)成。 6. PIN 光接收機的噪聲主要有 、暗電流、 和放大器噪聲幾種。 7. 模擬通信中衡量信號質(zhì)量要求的指標是 、數(shù)字通信中衡量 信號質(zhì)量要求的指標是 。 8. 光纖通信系統(tǒng)中,為了提高系統(tǒng)的容量,我們希望 激光器具備 和 兩個方面的特點,希望探測器具備 、 和低噪聲的特點。 9?某光信號,1信號平均功率是OdBm, 0信號平均功率是-13dBm,信號消光比是 dB 和 (比例)。 10?某激光器,主模功率是1m

4、W,最大邊模功率是1UW,該激光器邊模抑制比是 dB 和 (比例)。 11?某接收機保證信號質(zhì)量的條件下,最小能接收的光功率是100nW,該接收機 的靈敏度是 dBm,某種因素引起靈敏度劣化3dB,劣化后的靈 敏度是 dBm。 二、選擇題(15 分,每題 3 分,單選) 1. 以下哪種色散與光信號的頻率無關(guān) A. 材料色散 B. 波導色散 C. 高階群速度色散 D. 偏振模色散 2. 以下哪種影響光纖損耗的因素可以通過改進光纖制作工藝來減小 A ?瑞利散射 B. 紅外本征吸收 C. 0屮吸收 D. 紫外本征吸收 3. 下面描述半導體發(fā)光基礎的論述錯誤的是

5、。 A. 受激輻射是否超過受激吸收取決于粒子數(shù)是否反轉(zhuǎn); B. 半導體器件發(fā)光的內(nèi)量子效率與器件中結(jié)表面質(zhì)量密切相關(guān); C. 受激輻射產(chǎn)生的光子與入射光子具有相同的方向和頻率; D. 半導體材料摻雜N型雜質(zhì)會使費米能級向價帶移動。 4. 下面關(guān)于半導體激光器工作條件和特性的論述錯誤的是 。 A. 激光器中受激輻射過程實質(zhì)是放大自發(fā)輻射產(chǎn)生的光子; B. 半導體激光器的三要素是:工作物質(zhì)、泵浦源和諧振腔 C. 激光器激射的波長由半導體材料的自發(fā)發(fā)射峰值波長決定; D. 半導體激光器的量子效率與諧振腔端面反射率相關(guān)。 5. 下面關(guān)于光探測器論述正確的是 。 A. PN型光電二

6、極管中限制器件工作速率的因素是漂移電流分量太大; B. 普通PIN型光電二極管中吸收發(fā)生在P區(qū)、I區(qū)和N區(qū); C. 入射光波長小于吸收截止波長時,探測器對入射光是透明的; D. 吸收區(qū)寬度越寬,探測器特性越好。 三、簡答題(30 分) 1. 畫出單信道光纖通信系統(tǒng)的簡單示意圖,說明各部分功能;(6 分) 2. 簡要說明光纖中的SPM、XPM和FWM三種非線性效應的異同點;(6分) 3. 說明LED和LD數(shù)字驅(qū)動電路的異同點;(6分) 4. 說明雙異質(zhì)結(jié)半導體激光器閾值電流降低的原因; (6分) 四、計算和分析證明題(30 分) 1.某光纖傳輸線路可工作在1310nm和155

7、0nm處,入射功率都為OdBm,線路長 60km,工作在1310nm時,接收端功率為-21?6dBm, 1550nm處色散系數(shù)為 16ps/nm/km,損耗只和瑞利散射有關(guān),問: 1)工作在 1550nm 時,接收端功率為多少?(6 分) 2)非啁啾高斯脈沖起始均方根寬度為20ps,問該線路允許的傳輸速率多高?(6 分) 2. 推導出APD光接收機保證誤碼率及對應超噪比要求Q條件下的靈敏度公式 (9分)要求寫出完整推導過程 3. 下圖所示為一個八邊型半導體微腔激光器,反射面2、4、6和8糙化處理為 漫反射,反射面3、5和7是全反射面,反射面1是半透半反面,反射率為50%, 形成如圖所示的諧振腔。半導體材料的折射率為3.3, L =L =L =L =50Mm,半導體 材料損耗系數(shù)為30cm-i,問1)閾值電流增益系數(shù)至少為多大? 42)該激光器的 縱模間隔為多大?(9分)

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