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1、雙束掃描電鏡（HeliosNanolab 600i）使用手冊(cè)
★實(shí)驗(yàn)前，必須用超薄切片觀察樣品的質(zhì)量。
1. 先觀察樣品并設(shè)計(jì)一下樣品切割拍照方案
2. Link樣品
先用SEM低倍找到樣品再用高倍聚焦樣品再回到低倍點(diǎn)link使工作距離變到大約4(此時(shí)可以Pt沉積顯示是綠色的)
3. 調(diào)整樣品的位置
在FIB窗口觀察：調(diào)整樣品R，傾斜樣品T，使樣品與FIB垂直（看不到白色側(cè)面）
4. Pt沉積：
先框選要切割的位置（rectangle），在Pt heat cold 雙擊變warm后 再點(diǎn)成?圖標(biāo)(同時(shí)Pt沉積管進(jìn)入)
Application Value： Pt
2、 dep， Z：1.5μm，30kV, 9.3 nA或更小，Start開始沉積
沉積完成后，Pt沉積√去掉（沉積管出） warm→cold
沉積層完成后，先切掉樣品拍照面要觀察表面沉積的炭層和Pt層），（clean cress section， application value: Si, Z=15μm，30kV，47nA）（粗切可用大電流）
切好后用SEM界面觀看是否是要觀察的區(qū)域再進(jìn)行下一步的操作
5. 挖凹槽
將要觀察的樣品兩側(cè)挖大約10μm寬的2個(gè)凹槽（一定要2個(gè)分別挖槽）（clean cress section， application value: Si, Z=1
3、5μm，30kV，47nA）
再切掉表面的一層（因?yàn)閮擅嫱诓蹠?huì)濺射到表面）
1)30 kV 2)2.5 nA(小電流可以精細(xì)的切割) 3)Z=15 4)cleaning cross section
6. 做標(biāo)記
將樣品旋轉(zhuǎn)R +180度,使樣品要切的面對(duì)著離子束
在兩個(gè)凹槽的右側(cè)的做上掃描電鏡拍照標(biāo)記(先Pt沉積一個(gè)方塊,再用離子束打一個(gè)環(huán)狀結(jié)構(gòu)或其他的圖形，可以兩個(gè)凹槽里都做不同的標(biāo)記)
做好標(biāo)記后再轉(zhuǎn)回原來的R，然后再調(diào)整focus 使SEM和FIB的界面都清晰并且在界面的同一高度
7. 打開自動(dòng)切割的的程序-Auto slice and viewG3（2）
4、1）寫一下用戶名 例如：Liwen--normal
2）next（FIB界面分辨率HFW ～138μm）
3）軟件右側(cè)出現(xiàn)FIB樣品的界面 （小黃框是用來選擇要切割的位置的）
High ～10μm Depth 15μm slicing current 束流一般用2.5nA
Image resolution 43 要是設(shè)置 的標(biāo)記時(shí)候
1μm creat-----
5、 一般不用調(diào)整參數(shù)
*不改變參數(shù)就不用刷新了
（做成的盡量在一個(gè)不妨礙樣品切割的位置為好）
4）next 提示將樣品兩邊摳出凹槽和選擇切割位置 這一步之前已經(jīng)做了 就把所有的√都去掉就行了
此時(shí)樣品是與FIB垂直的，拍照時(shí)候應(yīng)該將樣品轉(zhuǎn)到與SEM垂直（T+38度）
5）next image parameter（圖片設(shè)置參數(shù)）→刷新一下
EB 4k4k, 3μs, 1
√E.Aligment … √autofocus…
（刷新一下） √Enable ACB …只修改scan mode
reduced area
切一下如果要找2個(gè)位置的照片
就再設(shè)置一次（add）多次拍照一定要在每個(gè)位置分別聚焦
6）next sleep when finish √
7)前幾張照片要看一下運(yùn)行的怎么樣
雙束掃描電鏡HeliosNanolab600i使用手冊(cè).doc
