華南師范大學物理與電信工程學院(系)2012 -2013 學年第一學期期末考試《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程試卷(A)
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華南師范大學物理與電信工程學院(系)2012 -2013 學年第一學期期末考試《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》課程試卷(A)
物理與電信工程學院(系)2012 2013 學年第一學期期末考試模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)課程試卷( A )專業(yè) 年級 班級 姓名 學號 題號一二三四五六七八總分得分一、填空(20分)1.本征半導體摻入 價元素可生成P型半導體,其少數(shù)載流子的濃度主要取決于 。2. 某放大電路中的三極管,在工作狀態(tài)中測得它的管腳電壓Va =1.2V,Vb =0.5V, Vc=3.6V, 試問該三極管是 管(填硅、鍺), 型(填NPN或PNP)的三極管,該管的集電極是a、b、c中的 。3放大電路在高頻時放大倍數(shù)下降主要是因為_密勒_電容的影響;低頻時放大倍數(shù)下降則主要是因為_耦合_電容的影響。當工作頻率等于上限頻率()時,放大倍數(shù)的幅度下降為中頻時的_ _倍,此時與中頻時相比,附加相移約為_。4圖1.3所示的復合管中,已知T1的1=40,T2的2=30,則 復合管的導電類型為_,電流放大系數(shù)為 _。5根據(jù)放大管的導通角,我們可把放大器分為幾類工作狀態(tài): 當導通角_時,稱為甲類;當導通角_時,稱為乙類;當導通角_ 時,稱為甲乙類。6.某放大電路在負載開路時的輸出電壓為4V,接入12k的負載電阻后,輸出電壓降為3V,這說明放大電路的輸出電阻為 。兩級放大電路的第一級電壓放大倍數(shù)為100,即電壓增益為 dB,第二級電壓增益為26dB,則兩級總電壓增益為 dB。7、差分放大電路能夠抑制 信號,放大 信號。在雙端輸入、單端輸出的差動放大電路中,發(fā)射極Re公共電阻對 信號的放大作用無影響。二、選擇填空(14分)1測得工作于放大電路中的晶體管的三個電極對地電位分別V1=-0.7伏,V2=0伏,V3 c=-7.8伏,則該晶體管為_。 (a)NPN型硅管 (b)PNP型硅管 (c)NPN型鍺管 (d)PNP鍺管 2差動放大器的共模抑制比越大,表示該電路_。 (a) 放大共模信號的能力越強 (b) 放大差模信號的能力越強 (c) 抑制零點漂移的能力越強 (d) 零點漂移越大3N型半導體是本征半導體中_而成。 (a) 光熱作用 (b) 加入3價元素 (c) 加入5元素4引起交越失真的原因是_。 (a) 信號太強 (b) 功放管靜態(tài)電流太大 (c) 信號太弱 (d) 功放管靜態(tài)電流太小5穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓作用是利用其_特性來實現(xiàn)的。 (a) 單向?qū)щ娦?(b) 正向?qū)?(c) 反向擊穿6.判斷下圖各電路能否組成低頻放大電路。(A)不能,能 (B)不能,不能 (C)能,不能 (D)能,能7負反饋使放大器的非線性失真_。 (a) 增大 (b) 減少 (c) 不變 三、電路如圖3示, (v),D為理想二極管,試繪出的波形。(6分) 四、理想運放組成電路如下圖所示,試求Vo與Vi1、Vi2、V3的關(guān)系(8分)五、在圖4所示電路中R2=R3= 2K, RW =4K,Uz=3.3V。求輸出電壓的調(diào)節(jié)范圍。(10分) 六、如圖所示電路:1)如果電路要組成電壓串聯(lián)負反饋,電阻Rf因接在那兩端。(6分)2)設(shè)電路滿足深度負反饋的條件,計算電路的反饋系數(shù)和閉環(huán)電壓增益,R1=10K, R2=500K (6分) 圖6 七、圖7為互補對稱功率放大器,已知Vcc=16V,RL=8,功放管的飽和壓降UCES2V,求:(1)最大不失真輸出功率Pom、電源提供的功率PD,功放管的耗散功率PC和電路的效率;(2)當輸入信號(V)時的輸出功率Po、電源提供的功率PD、功放管的耗散功率PC和電路的效率。(14分) 圖7八、 差分放大電路如圖所示,晶體三極管的參數(shù)相同,UD=0.7V,100,rbe=2.4k,Rs=100,Rc6k,Re5.6K,VccVEE12V (16分)1) 計算三極管的靜態(tài)工作點;2) 畫出該放大電路的小信號H參數(shù)等效電路;3) 計算電路的差模電壓放大倍數(shù) 5