《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)》版習(xí)題解答放大電路的頻率響應(yīng)題解.doc

個(gè)人收集整理資料， 僅供交流學(xué)習(xí)， 勿作商業(yè)用途第五章 放大電路地頻率響應(yīng)自 測 題一、選擇正確答案填入空內(nèi). <1）測試放大電路輸出電壓幅值與相位地變化,可以得到它地頻率響應(yīng),條件是. A.輸入電壓幅值不變,改變頻率 B.輸入電壓頻率不變,改變幅值 C.輸入電壓地幅值與頻率同時(shí)變化 <2）放大電路在高頻信號作用時(shí)放大倍數(shù)數(shù)值下降地原因是,而低頻信號作用時(shí)放大倍數(shù)數(shù)值下降地原因是. A.耦合電容和旁路電容地存在 B.半導(dǎo)體管極間電容和分布電容地存在. C.半導(dǎo)體管地非線性特性 D.放大電路地靜態(tài)工作點(diǎn)不合適 <3）當(dāng)信號頻率等于放大電路地fL或fH時(shí),放大倍數(shù)地值約下降到中頻時(shí)地. A.0.5倍 B.0.7倍 C.0.9倍 即增益下降. A.3dB B.4dB C.5dB <4）對于單管共射放大電路,當(dāng)f fL時(shí),與相位關(guān)系是. A.45B.90 C.135 當(dāng)f fH時(shí),與地相位關(guān)系是. A.45 B.135 C.225解：<1）A <2）B,A <3）B A <4）C C 二、電路如圖T5.2所示.已知：VCC12V；晶體管地C4pF,fT=50MHz,100, b080.試求解：b5E2RGbCAP <1）中頻電壓放大倍數(shù)； <2）； <3）fH和fL； <4）畫出波特圖.圖T5.2解：<1）靜態(tài)及動態(tài)地分析估算： <2）估算： <3）求解上限、下限截止頻率：<4）在中頻段地增益為頻率特性曲線如解圖T5.2所示.解圖T5.2三、 已知某放大電路地波特圖如圖T5.3所示,填空： <1）電路地中頻電壓增益20lg| dB,. <2）電路地下限頻率fLHz,上限頻率fHkHz. <3）電路地電壓放大倍數(shù)地表達(dá)式 .圖T5.3解：<1）60 104 <2）10 10 <3） 說明：該放大電路地中頻放大倍數(shù)可能為“”,也可能為“”.習(xí) 題5.1 在圖P5.1所示電路中,已知晶體管地、C、C,Rirbe. 填空：除要求填寫表達(dá)式地之外,其余各空填入增大、基本不變、減小.圖P5.1 <1）在空載情況下,下限頻率地表達(dá)式fL .當(dāng)Rs減小時(shí),fL將；當(dāng)帶上負(fù)載電阻后,fL將 . <2）在空載情況下,若b-e間等效電容為, 則上限頻率地表達(dá)式fH；當(dāng)Rs為零時(shí),fH將 ；當(dāng)Rb減小時(shí),gm將 ,將,fH將.p1EanqFDPw 解:<1）.；. <2） ；,. 5.2已知某電路地波特圖如圖P5.2所示,試寫出地表達(dá)式.圖P5.2 解: 設(shè)電路為基本共射放大電路或基本共源放大電路.5.3已知某共射放大電路地波特圖如圖P5.3所示,試寫出地表達(dá)式.圖P5.3解：觀察波特圖可知,中頻電壓增益為40dB,即中頻放大倍數(shù)為100；下限截止頻率為1Hz和10Hz,上限截止頻率為250kHz.故電路地表達(dá)式為DXDiTa9E3d5.4已知某電路地幅頻特性如圖P5.4所示,試問： <1）該電路地耦合方式； <2）該電路由幾級放大電路組成； <3）當(dāng)f104Hz時(shí),附加相移為多少？當(dāng)f105時(shí),附加相移又約為多少？ 解:<1）因?yàn)橄孪藿刂诡l率為0,所以電路為直接耦合電路；<2）因?yàn)樵诟哳l段幅頻特性為 圖P5.460dB/十倍頻,所以電路為三級放大電路； <3）當(dāng)f 104Hz時(shí),135o；當(dāng)f 105Hz時(shí),270o.5.5若某電路地幅頻特性如圖P5.4所示,試寫出地表達(dá)式,并近似估算該電路地上限頻率fH.解：地表達(dá)式和上限頻率分別為 5.6已知某電路電壓放大倍數(shù) 試求解： <1）？fL？fH? <2）畫出波特圖.解：<1）變換電壓放大倍數(shù)地表達(dá)式,求出、fL、fH.<2）波特圖如解圖P5.6所示.解圖P5.65.7已知兩級共射放大電路地電壓放大倍數(shù) <1）？fL？fH? <2）畫出波特圖.解：<1）變換電壓放大倍數(shù)地表達(dá)式,求出、fL、fH.<2）波特圖如解圖P5.7所示.解圖P5.75.8 電路如圖P5.8所示.已知：晶體管地b、C均相等,所有電容地容量均相等,靜態(tài)時(shí)所有電路中晶體管地發(fā)射極電流IEQ均相等.定性分析各電路,將結(jié)論填入空內(nèi).RTCrpUDGiT圖P5.8 <1）低頻特性最差即下限頻率最高地電路是。 <2）低頻特性最好即下限頻率最低地電路是。 <3）高頻特性最差即上限頻率最低地電路是。 解：<1）<a） <2）<c） <3）<c）5.9 在圖P5.8<a）所示電路中,若b100,rbe1k,C1C2Ce100F,則下限頻率fL?5PCzVD7HxA 解：由于所有電容容量相同,而Ce所在回路等效電阻最小,所以下限頻率決定于Ce所在回路地時(shí)間常數(shù).5.10 在圖P5.8<b）所示電路中,若要求C1與C2所在回路地時(shí)間常數(shù)相等,且已知rbe=1k,則C1:C2? 若C1與C2所在回路地時(shí)間常數(shù)均為25ms,則C1、C2各為多少？下限頻率fL?jLBHrnAILg解：<1）求解C1:C2 因?yàn)?C1<RsRi）C2<RcRL） 將電阻值代入上式,求出C1 : C25 : 1. <2）求解C1、C2地容量和下限頻率5.11 在圖P5.8<a）所示電路中,若Ce突然開路,則中頻電壓放大倍數(shù)、fH和fL各產(chǎn)生什么變化<是增大、減小、還是基本不變）？為什么？xHAQX74J0X解：將減小,因?yàn)樵谕瑯臃档刈饔孟?將減小,隨之減小,必然減小. fL減小,因?yàn)樯倭艘粋€(gè)影響低頻特性地電容. fH增大.因?yàn)闀螂妷悍糯蟊稊?shù)數(shù)值地減小而大大減小,所以雖然所在回落地等效電阻有所增大,但時(shí)間常數(shù)仍會減小很多,故fH增大.LDAYtRyKfE5.12在圖P5.8<a）所示電路中,若C1Ce,C2Ce,b100,rbe1k,欲使fL60Hz,則Ce應(yīng)選多少微法？Zzz6ZB2Ltk解：下限頻率決定于Ce所在回路地時(shí)間常數(shù),.R為Ce所在回路地等效電阻.R和Ce地值分別為：F5.13在圖P5.8<d）所示電路中,已知晶體管地100,rbe1k,靜態(tài)電流IEQ2mA,800pF；Rs2k,Rb500 k,RC3.3 k,C=10F.dvzfvkwMI1 試分別求出電路地fH、fL,并畫出波特圖.解：<1）求解fL <2）求解fH和中頻電壓放大倍數(shù)其波特圖參考解圖P5.6.5.14電路如圖P5.14所示,已知CgsCgd5pF,gm5mS,C1C2CS10F.rqyn14ZNXI 試求fH、fL各約為多少,并寫出地表達(dá)式.圖P5.14解：fH、fL、地表達(dá)式分析如下：5.15在圖5.4.7<a）所示電路中,已知Rg2M,RdRL10k,C 10F；場效應(yīng)管地CgsCgd4pF,gm 4mS.試畫出電路地波特圖,并標(biāo)出有關(guān)數(shù)據(jù).EmxvxOtOco解：其波特圖參考解圖P5.6.5.16已知一個(gè)兩級放大電路各級電壓放大倍數(shù)分別為 <1）寫出該放大電路地表達(dá)式； <2）求出該電路地fL和fH各約為多少； <3）畫出該電路地波特圖.解：<1）電壓放大電路地表達(dá)式 <2）fL和fH分別為：<3）根據(jù)電壓放大倍數(shù)地表達(dá)式可知,中頻電壓放大倍數(shù)為104,增益為80dB.波特圖如解圖P5.16所示.SixE2yXPq5解圖P5.165.17電路如圖P5.17所示.試定性分析下列問題,并簡述理由. <1）哪一個(gè)電容決定電路地下限頻率； <2）若T1和T2靜態(tài)時(shí)發(fā)射極電流相等,且和相等,則哪一級地上限頻率低.圖P5.17 解：<1）決定電路下限頻率地是Ce,因?yàn)樗诨芈返氐刃щ娮枳钚? <2）所在回路地時(shí)間常數(shù)大于所在回路地時(shí)間常數(shù),所以第二級地上限頻率低.5.18 若兩級放大電路各級地波特圖均如圖P5.2所示,試畫出整個(gè)電路地波特圖.解：.在折線化幅頻特性中,頻率小于10Hz時(shí)斜率為40dB/十倍頻,頻率大于105Hz時(shí)斜率為40dB/十倍頻.在折線化相頻特性中,f 10Hz時(shí)相移為90o,f 105Hz時(shí)相移為90o.波特圖如解圖P5.18所示.6ewMyirQFL解圖P5.18