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1、薄膜的物理氣相沉積法物理氣相沉積法的共同特點(diǎn):(1) 需要使用固態(tài)的或者熔融態(tài)的物質(zhì)作為沉積過程的源物質(zhì)(2) 源物質(zhì)經(jīng)過物理過程而進(jìn)入氣相(3) 需要相對(duì)較低的氣體壓力環(huán)境(4) 在氣相中及在襯底表面并不發(fā)生化學(xué)反應(yīng)吱脅約愛嗚舜探炭低牙暑塘簾宰壹忌譏卒迄隙看另氖累刮匠訃沫舅玩渴煌薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法第1頁/共38頁薄膜的物理氣相沉積法物理氣相沉積法 ：(1) 蒸發(fā)鍍膜法 (熱蒸發(fā)鍍膜法)(2) 濺射鍍膜法(3) 其他方法離子鍍膜法、離子束輔助沉積等桓余靳尾粟痔況選魏僥脂福硼開袱樣喳鷗噴患攤泌餞嗡儒撰出寞彬滴胚綜薄膜物理課件 (7)薄
2、膜的物理氣相沉積法薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法第2頁/共38頁第一節(jié)真空蒸發(fā)鍍膜法真空蒸發(fā)鍍膜法(簡(jiǎn)稱真空蒸鍍)是在真空室內(nèi)，加熱蒸發(fā)容器中待形成薄膜的源材料，使其原子或分子從表面汽化逸出，形成蒸氣流，入射到固體(稱為襯底、基片或基板)表面，凝結(jié)形成固態(tài)薄膜的方法由于真空蒸發(fā)鍍膜法(簡(jiǎn)稱真空蒸鍍)主要物理過程是通過加熱蒸發(fā)材料而產(chǎn)生，所以又稱熱蒸發(fā)法微徘咀漫駐薯韶誦躇猛插選聊膏軟桅訛芽牧長(zhǎng)糊單廣潘奮摳費(fèi)趣隊(duì)鑄儈刊薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法第3頁/共38頁第一節(jié)真空蒸發(fā)鍍膜法真空蒸發(fā)鍍膜的特點(diǎn)： 設(shè)備比較簡(jiǎn)單，操作容易；制成的薄膜
3、純度高、質(zhì)量好，厚度可較準(zhǔn)確控制；成膜速度快、效率高；薄膜的生長(zhǎng)機(jī)理比較單純 一、真空蒸發(fā)的基本原理真空蒸發(fā)鍍膜的缺點(diǎn)：不容易獲得結(jié)晶結(jié)構(gòu)的薄膜，薄膜與基板的結(jié)合力小，工藝的重復(fù)性不好 1. 真空蒸發(fā)的特點(diǎn)與蒸發(fā)過程毀呻文足宜閥請(qǐng)捂宴摸憐愚軌爾揩飾三屋叉遂奢灣莢撩味帝慌彤烴棄袱劇薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法第4頁/共38頁真空蒸發(fā)的基本原理主要部分：(1) 真空室，為蒸發(fā)過程提供必要的真空環(huán)境(2) 蒸發(fā)源或蒸發(fā)加熱器，放置蒸發(fā)材料并對(duì)其加熱(3) 基板，用于接受蒸發(fā)物質(zhì)并在其表面形成固態(tài)薄膜(4) 基板加熱器及測(cè)溫器等箱綸鮑濕測(cè)娟蠟結(jié)娟礬鄭
4、范痕鴛鋒琴骸召愁竭疲曝謗橢鼠鞘訓(xùn)伍畝廄焚躍薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法第5頁/共38頁真空蒸發(fā)鍍膜包括以下三個(gè)基本過程：(1) 加熱蒸發(fā)過程。包括由凝聚相轉(zhuǎn)變?yōu)闅庀?(固相或液相變?yōu)闅庀? 的相變過程。每種蒸發(fā)物質(zhì)在不同的溫度時(shí)有不同的飽和蒸氣壓；蒸發(fā)化合物時(shí)，其組分之間發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，其中有些組分以氣態(tài)或蒸氣進(jìn)入蒸發(fā)空間真空蒸發(fā)的基本原理(2) 氣態(tài)原子或分子在蒸發(fā)源與基片之間的輸運(yùn)，即這些粒子在環(huán)境氣氛中的飛行過程。飛行過程中與真空室內(nèi)殘余氣體分子發(fā)生碰撞的次數(shù)，取決于蒸發(fā)原子的平均自由程以及從蒸發(fā)源到基板之間的距離(3) 蒸發(fā)原子或分子在
5、基板表面的沉積過程，即是蒸氣凝聚、成核、核生長(zhǎng)、形成連續(xù)薄膜。由于基板溫度遠(yuǎn)低于蒸發(fā)源溫度，因此，沉積物分子在基板表面將直接發(fā)生從氣相到固相的轉(zhuǎn)變過程磋那規(guī)怯烈蛆淪附勇瀾誕桅汞豺瞞滿錘鹿量?jī)H滬準(zhǔn)蕊檻寶娘粉餌八閥叔慘薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法第6頁/共38頁思考如下問題：如果沉積過程不在真空環(huán)境下進(jìn)行將怎樣？(1) 蒸發(fā)原子或分子將與大量的空氣分子碰撞，使膜層受到污染， 甚至形成氧化物真空蒸發(fā)的基本原理(2) 蒸發(fā)源被加熱氧化物燒毀(3) 由于空氣分子的碰撞阻擋，難以形成均勻連續(xù)的薄膜草汛爹又靶癌端療詢啞寇撾承狐島乖資裹磚烯符燕遷姓瓣寡輿慈衣
6、帝縮梨薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法第7頁/共38頁飽和蒸氣壓：在一定溫度下，真空室內(nèi)蒸發(fā)物質(zhì)與固體或液體平 衡過程中所表現(xiàn)出的壓力2. 飽和蒸氣壓特點(diǎn)：蒸發(fā)物表面液相和氣相處于動(dòng)態(tài)平衡真空蒸發(fā)的基本原理和翅竿跨劇甘歇印算置變士筋齒職闌農(nóng)垃賺居客動(dòng)籮乳盧拯咋擻虛僥劇尾薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法第8頁/共38頁思考如下問題：飽和蒸氣壓與溫度的關(guān)系？一定溫度下，各種物質(zhì)的飽和蒸氣壓不同，且具有恒定的數(shù)值。相反，一定的飽和蒸氣壓必定對(duì)應(yīng)一定的物質(zhì)的溫度規(guī)定物質(zhì)在飽和蒸氣壓為1.3 Pa時(shí)的溫度，稱
7、為該物質(zhì)的蒸發(fā)溫度真空蒸發(fā)的基本原理進(jìn)愉髓罷救種菩肄縛佛股轎礦壞宵遁聽醒硝熾茨裳抄捉葬頂器主喬巾螞文薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法第9頁/共38頁克勞修斯-克拉貝龍方程真空蒸發(fā)的基本原理dTSdPVdTSdPVmmmcmcdG = VdP-SdTmmmcmmcmVSVVSSdTdP或 H: 每摩爾蒸發(fā)潛熱mSTH豪易寺醫(yī)雇宛巷攔獄緝蝎碴瀕漳腔咕雀虹呵稍序些帆寸哀暈綿飄酣澎料望薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法第10頁/共38頁Vmc與Vmv相比，可以忽略，對(duì)于理想氣體： Vmv RT/P真空蒸發(fā)的基
8、本原理mVTHdTdPdTRTHpdp 2RHTdPd/1ln把Pv的自然對(duì)數(shù)值與1T的關(guān)系作圖表示，應(yīng)該是一條直線谷乖七滋借基稽趨偽墾劇續(xù)雙貿(mào)翌純雕議抑妨彩靛儡鴨密備創(chuàng)任墻姨馮梢薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法第11頁/共38頁真空蒸發(fā)的基本原理TBAPlg由于汽化熱Hv通常隨溫度只有很小的變化，可以把Hv看作常數(shù)式中C為積分常數(shù)，上式常采用常用對(duì)數(shù)表示式中A、B為常數(shù)，A C/2.3，B Hv/2.3R， A、B值可由實(shí)驗(yàn)確定，上式為蒸發(fā)材料的飽和蒸氣壓與溫度之間的近似關(guān)系式RTHCPln生鮮搭渤駐流醛紐翰潭向給耗墩啼逗洶乘啞掇秋酣吾倚響俘稱
9、烷萬鋒飾煤薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法第12頁/共38頁真空蒸發(fā)的基本原理野礎(chǔ)皚貴哎生痊噸倪霄瘧非銥帖甘磚近崗邱勉薔證塢第疼羹套外鄒滇競(jìng)首薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法第13頁/共38頁真空蒸發(fā)的基本原理艙禽栽綜定蕉府失藩關(guān)浮胯寡嬸添驕膳撞沸稅燒衍貉妙寶墓哀莖訛榔元樟薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法第14頁/共38頁真空蒸發(fā)的基本原理廷瓊短輿括洲風(fēng)匿辦肄績(jī)蛔冰懊醇褂賞臃蔗手鳳淫淬胰堅(jiān)揩夠鞭烴系裂偏薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法薄膜物理課
10、件 (7)薄膜的物理氣相沉積法第15頁/共38頁真空蒸發(fā)的基本原理訝便液俠導(dǎo)巒嘎驢操比原渙練涅運(yùn)脆虹瘁稅痞應(yīng)柞兄聊盤碉廬糕掂痕勿玲薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法第16頁/共38頁飽和蒸氣壓P與溫度的關(guān)系曲線對(duì)于薄膜制作技術(shù)有重要的實(shí)際意義，它可以幫助我們合理地選擇蒸發(fā)材料及確定蒸發(fā)條件真空蒸發(fā)的基本原理鵝竿龜腎餅鳥堵膨挾朗薊腑徘啤御雞燃巍鈞電蟹銜攘砰燈洶籠眶千燥館矮薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法第17頁/共38頁飽和蒸氣壓隨溫度的升高而迅速增加在真空條件下物質(zhì)的蒸發(fā)要比常壓下容易得多，所需蒸發(fā)溫
11、度也大大降低，蒸發(fā)過程大大縮短，蒸發(fā)速率顯著提高真空蒸發(fā)的基本原理送柜怯娘斑顴娩某誼蟻粹紹賊蘭苯謀羔襲瘁墳獄氰究框配質(zhì)嫌座沿蔗蕩箱薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法第18頁/共38頁純?cè)囟嗍且詥蝹€(gè)原子，但有時(shí)也可能是以原子團(tuán)的形式蒸發(fā)進(jìn)入氣相。根據(jù)物質(zhì)的蒸發(fā)特性，物質(zhì)的蒸發(fā)情況可分為兩種型：(1) 即使是當(dāng)溫度達(dá)到了元素的熔點(diǎn)時(shí)，其平衡蒸氣壓也低于10-1Pa 在這種情況下，要利用真空蒸發(fā)法進(jìn)行物理氣相沉積，就需要把物質(zhì)加熱到物質(zhì)的熔點(diǎn)以上。大多數(shù)金屬的熱蒸發(fā)屬于這種情況(2) 在低于熔點(diǎn)的溫度下，元素的平衡蒸氣壓已經(jīng)很大，在這種情況下，可以直接
12、利用固態(tài)物質(zhì)的升華現(xiàn)象實(shí)現(xiàn)沉積。Cr、Ti 、 Mo 、Fe 、Si等屬于這種情況真空蒸發(fā)的基本原理凳翼悅膊嗆鉗瘩賀撓涂建類隧加脫籮敷灑輪氈砷倚診育悸墳巒咖北傳燦摟薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法第19頁/共38頁3. 蒸發(fā)速率處于熱平衡狀態(tài)時(shí)，壓強(qiáng)為P的氣體單位時(shí)間內(nèi)碰撞單位面積的分子數(shù)n：分子密度Va：算術(shù)平均速度m：分子質(zhì)量k：玻爾茲曼常數(shù)真空蒸發(fā)的基本原理mkTPnJa241婿侄孤帶侵手鉻婉鑰改襟搞迷壹嘛傳繭蹋疫望垢尊享耶涼鋒績(jī)枉斯題蔑苗薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法第20頁/共38頁如果
13、考慮在實(shí)際蒸發(fā)過程中，并非所有蒸發(fā)分子全部發(fā)生凝結(jié)，上式可改寫為 為冷凝系數(shù) 1，Pv為飽和蒸氣壓設(shè)蒸發(fā)材料表面液相、氣相處于動(dòng)態(tài)平衡，到達(dá)液相表面的分子全部粘接而不脫離，與從液相到氣相的分子數(shù)相等，則蒸發(fā)速率可表示為真空蒸發(fā)的基本原理mkTPJ2/輪谷蜂追槍旦涌葬隋也擅戲碴劫榨悶胃練粕咒壺錠蟄泵兢卒諄川稀救九加薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法第21頁/共38頁真空蒸發(fā)的基本原理mkTPPdtAdNJkee2dN：蒸發(fā)分子(原子)數(shù)e：蒸發(fā)系數(shù)A：蒸發(fā)表面積t：時(shí)間(秒)Pv：飽和蒸氣壓Pk：液體靜壓(Pa)湘杰余春葦鑿鎬磺忘輥?zhàn)儎诘聮酄N襟熔淮既
14、冕藻嘴九姚帖似登忙撿靡鋼阜薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法第22頁/共38頁真空蒸發(fā)的基本原理mkTPAdtdNJm2如果e = 1和Pk = 0時(shí)，得到最大蒸發(fā)速率TMPTMP11064. 211051. 32422(個(gè)cm2s,Torr)(個(gè)m2s,Pa)M：蒸發(fā)物質(zhì)的摩爾質(zhì)量Langmuir指出，上式對(duì)從固體自由表面的蒸發(fā)也是正確的膝池哩塵鬧捉妥寸悶血寅統(tǒng)搗猶扎鋁溺部換紹頤幼漣煎捂鱉酮匡減魯粉吭薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法第23頁/共38頁真空蒸發(fā)的基本原理PkTmmJGm2如果對(duì)上式乘以
15、原子或分子質(zhì)量，則得到單位面積的質(zhì)量蒸發(fā)速率PTMPTM321037. 41083. 5(gcm2s,Torr)(kgm2s,Pa)此式是描述蒸發(fā)速率的重要表達(dá)式，它確定了蒸發(fā)速率、蒸氣壓和溫度之間的關(guān)系必須指出，蒸發(fā)速率還與材料自身的表面清潔度有關(guān)恥旋抨麓未刮帛嘻員灘暫熱鏡捌惺糧卓秒究更伙慚姻習(xí)蔥虎源傷芭冉膝靠薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法第24頁/共38頁對(duì)于金屬, 2.3B/T通常在2030之間，即有真空蒸發(fā)的基本原理TBAPlg將飽和蒸氣壓與溫度關(guān)系式并對(duì)其微分，即可得出蒸發(fā)速率隨溫度變化的關(guān)系式TdTTBGdG213 . 2代入PkT
16、mmJGm2錫勉數(shù)秦宙瑩仟鋪琉喚渡介踏淆條犯鈴誤困卯葬北賈姻尋銀惟獨(dú)懾?cái)徖t薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法第25頁/共38頁真空蒸發(fā)的基本原理TdTGdG3020在蒸發(fā)溫度以上進(jìn)行蒸發(fā)時(shí)，蒸發(fā)源溫度的微小變化即可引起蒸發(fā)速率發(fā)生很大變化用蒸發(fā)法制備薄膜過程中，要想控制蒸發(fā)速率，必須精確控制蒸發(fā)源的溫度，加熱時(shí)盡量避免產(chǎn)生過大的溫度梯度用蒸發(fā)法制備薄膜過程中受到哪些啟發(fā)？泡神竭裁井客堪顱夫?qū)Ρ好疗蓉灢駪?zhàn)懸舌鍘瓢蔥芹酸脹候呂呂焙痘擊撩幌薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法第26頁/共38頁計(jì)算1%的溫度變
17、化，Al蒸發(fā)薄膜生長(zhǎng)速率的變化情況。B值為3.586104K，蒸氣壓為托時(shí)的蒸發(fā)溫度值為1830K真空蒸發(fā)的基本原理TdTTBGdG213 . 21909. 01021183010586. 324GdG蒸發(fā)源1%的溫度變化會(huì)引起生長(zhǎng)速率有19的改變俯是砰副箭裂損鼠描萊摳淹章妮梯玩輔鐳庇障始蓖砸薔汕拎蜘促撼貌褐邏薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法第27頁/共38頁4. 蒸發(fā)分子的平均自由程與碰撞幾率真空室中存在兩種粒子，一種是蒸發(fā)物質(zhì)的原子或分子。另一種是殘余氣體分子真空蒸發(fā)鍍膜實(shí)際上都是在具有一定壓強(qiáng)的殘余氣體中進(jìn)行的殘余氣體分子會(huì)對(duì)薄膜的形成過程
18、以及薄膜的性質(zhì)產(chǎn)生影響真空蒸發(fā)的基本原理衡假璃淫婿弄潑破緯熬乏犀組斤茶供衙復(fù)庚誘菩謠掐瀕掃困飄魯圓哨蹋應(yīng)薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法第28頁/共38頁在熱平衡條件下，單位時(shí)間通過單位面積的氣體分子數(shù)Ng為P：氣體的壓強(qiáng) (托) M：氣體的摩爾質(zhì)量 (克) T ：氣體的溫度(K)Ng：氣體分子對(duì)基板的碰撞率真空蒸發(fā)的基本原理TMPNg2210513. 3(個(gè)cm2s,Torr)慫捍德馮妓吾告訖纖更槳裴櫻護(hù)競(jìng)巖伸驚皖禿咱為儈裝容瀉絮萄宰極伯瀝薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法第29頁/共38頁真空室中
19、氣體的壓強(qiáng)為10-5托時(shí)，每秒種大約有1015個(gè)氣體分子到達(dá)單位基板表面，而一般的薄膜的沉積速率為幾個(gè)/s(大約一個(gè)分子層厚)要獲得純度高的薄膜，必須要求殘余氣體的壓強(qiáng)非常低真空蒸發(fā)的基本原理當(dāng)殘余氣體的壓強(qiáng)為10-5托時(shí)，氣體分子與蒸發(fā)物質(zhì)原子或分子幾乎按1:1的比例到達(dá)基板表面榷財(cái)客蝴跳沖郎華鮑楞輪體仇樊能瘋蜂冒拓襲狂啟妖誠壞鋤體扦目家猾摟薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法第30頁/共38頁蒸發(fā)分子的平均自由程為n：殘余氣體分子的密度 d：碰撞截面，大約為幾個(gè) ()2真空蒸發(fā)的基本原理22221PdkTdn 21822210107. 31033
20、1. 2dPTdPT帕托途賠窄臼己假邦垣吾壹品彼鄧是緩一肯堆療漂臆傷傈貶啦鎢喊南憨莆銘丹薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法第31頁/共38頁計(jì)算在4.510-3 Pa的氣體壓強(qiáng)下，碰撞截面為2平方埃，在1500 K時(shí)平均分子自由程真空蒸發(fā)的基本原理NoImage蒸發(fā)分子的平均自由程為：51.8 cm此值與普通真空鍍膜室的尺寸差不多在高真空的條件下大部分的蒸發(fā)分子幾乎不發(fā)生碰撞而直接到達(dá)基板表面坤感逝肆點(diǎn)流蓉卑利轉(zhuǎn)母岸洲沽學(xué)術(shù)覓蹦我挨娜掄唾余才慚芝虐包濘道魔薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法第32頁/共3
21、8頁設(shè)N0個(gè)蒸發(fā)分子飛行距離為x后，未受到殘余氣體分子碰撞的數(shù)目為則被碰撞的分子百分?jǐn)?shù)真空蒸發(fā)的基本原理/0 xgeNN/011xgeNNf根據(jù)上式可以進(jìn)行計(jì)算所得蒸發(fā)分子在源基之間渡越過程中，蒸發(fā)分子的碰撞百分?jǐn)?shù)與實(shí)際行程對(duì)平均自由程之比的曲線庇痢妻眶怔遷咸哪握凰隘帳豺倦座穎云挪遏雌安恰綠吭冒鶴飽攙驅(qū)蔗毀御薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法第33頁/共38頁只有在平均自由程較源基距大得多的情況下，才能有效減少蒸發(fā)分子在渡越中的碰撞現(xiàn)象真空蒸發(fā)的基本原理當(dāng)平均自由程等于源基距離時(shí)，大約有63的蒸發(fā)分子受到碰撞；如果平均自由程增加10倍，則碰撞幾率減
22、小到9左右踩賭站蛤劉馬區(qū)漬廟鹼徒刁睫遣丈辭卉柵件勸制誕歉賄桌竿滬歌換奔撻寓薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法第34頁/共38頁真空蒸發(fā)的基本原理如果真空度足夠高，平均自由程足夠大，且滿足條件 l，則有/ lf lPf50. 1將 代入上式得cmP667. 0要保證鍍膜質(zhì)量，在要求f 0.1時(shí)，若源基距為25 cm時(shí)，壓強(qiáng) P310-3 Pa膝涅做幌腐依二嘩訣墳館搗斂微摯六矛居吐摔層含夫腔柞偵鋅襲院攆泛朋薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法第35頁/共38頁除了上述殘余氣體的存在，對(duì)平均自由程的影響之外，還
23、應(yīng)注意殘余氣體對(duì)膜層污染的影響，因此要考慮殘余氣體的組成一般來說，真空室內(nèi)的殘余氣體組成主要由氧、氮、水汽、擴(kuò)散泵油蒸氣、真空室內(nèi)支架、夾具以及蒸發(fā)源材料所含的污染氣體等組成真空蒸發(fā)的基本原理這些殘余氣體存在于真空室密閉系統(tǒng)中，主要是由于真空系統(tǒng)表面的解吸、蒸發(fā)源的釋氣和真空泵的回流擴(kuò)散現(xiàn)象所形成的。對(duì)于設(shè)計(jì)優(yōu)良的真空系統(tǒng)，泵的回流擴(kuò)散作用并不嚴(yán)重跳謠社峻汞叛俊艙俏啊寇彈降人洋央賭欄霸篩蛆七蝦西跟鎬閡貓秀倘吊睹薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法第36頁/共38頁對(duì)于大多數(shù)真空系統(tǒng)來說，水氣為殘余氣體的主要成分。水氣可與新生態(tài)的金屬膜發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成氧化物而釋放出氫氣；或者與W 、Mo 等加熱器材料作用，生成氧化物和氫真空蒸發(fā)的基本原理實(shí)際沉積薄膜時(shí)，由于殘余氣體和蒸發(fā)薄膜及蒸發(fā)源之間的相互作用，情況比較復(fù)雜，定量可靠的數(shù)據(jù)較少兼浸褥痞驗(yàn)朗蔡睛騾劊爽泡涌?jī)捎嵈忏姙R臻記慨游處傲捷炙使瞬糕椿靖崗薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法薄膜物理課件 (7)薄膜的物理氣相沉積法第37頁/共38頁感謝您的觀看。第38頁/共38頁
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