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1、
磁控濺射鍍膜機(jī)
設(shè)計(jì)方案、主要配置
一、設(shè)備用途和功能特點(diǎn):
1、該設(shè)備是一臺(tái)磁控濺射鍍膜機(jī),配有三支 Φ 2 英寸普通圓形平面永磁靶,一支 Φ2 英寸鐵磁靶用于鍍制鐵磁材料。
適用于鍍制各種單層膜、多層膜、摻雜膜系??慑兘饘佟⒑辖?、化合物、半導(dǎo)體、陶瓷膜、介質(zhì)復(fù)合膜和其它化學(xué)反應(yīng)膜。
基片尺寸 Φ 4 英寸,樣品臺(tái)可旋轉(zhuǎn)、可加熱、可升降。
配裝手動(dòng)高真空閘板閥、電控氣動(dòng)角閥、靶電動(dòng)擋板、電腦復(fù)合真空計(jì)。
設(shè)備真空系統(tǒng)采用分子泵真空機(jī)組。
2 、為避免微粒物質(zhì)落到基片上,采用基片在上、磁控濺射靶在下的結(jié)構(gòu),即由下向
2、上濺射。 3、工作模式:可以采用單靶獨(dú)立、多靶輪流或組合共濺工作模式,向心濺射。
4、磁控濺射靶射頻( RF)、直流 (DC)兼容。
5、磁控濺射靶面與基片的距離,在高真空環(huán)境中動(dòng)態(tài)可調(diào),這一功能為尋找
最佳實(shí)驗(yàn)參數(shù)提供了強(qiáng)有力的實(shí)驗(yàn)手段。手動(dòng)控制靶面到基片的距離。
6、為了保證鍍膜的工藝性(預(yù)濺射、多層膜、攙雜膜、防止交叉污染和干擾等),每只磁控濺射靶均配備電動(dòng)擋板?;涫謩?dòng)擋板。
7、基片加熱器采用高溫加熱材料。
8、采用超高真空密封技術(shù),極限真空度高,濺射室可進(jìn)入 10-5 Pa 量級(jí)(≤ 6
10-5 Pa),可保證更高的鍍膜純凈度,提高
3、鍍膜質(zhì)量。
恢復(fù)工作背景真空時(shí)間短,從大氣到工作背景真空( 710-4 Pa)時(shí)間 30~
40 分鐘(充干燥氮?dú)猓?
濺射室達(dá)到極限真空的時(shí)間:加熱烘烤 15 小時(shí)降溫后 7 小時(shí)左右。
9、系統(tǒng)自動(dòng)監(jiān)控和保護(hù)功能強(qiáng), 包括缺水欠壓檢測(cè)與保護(hù)、 相序檢測(cè)與保護(hù)、
溫度檢測(cè)與保護(hù)、真空系統(tǒng)檢測(cè)與保護(hù)等。
二、設(shè)備技術(shù)指標(biāo)
1、基片尺寸: Φ4 英寸,基片加擋板,擋板為手動(dòng)方式。
2、基片加熱器溫度:室溫~ 800℃。溫度可控可調(diào)。
3、基片架自轉(zhuǎn)速度 0~30 轉(zhuǎn)/ 分,可控可調(diào)。
4、基片架可加熱、可旋轉(zhuǎn)、可手動(dòng)
4、升降。
5、靶面到基片距離
50~ 150mm可調(diào)(手動(dòng)方式)。
6、Ф2
英寸圓形平面磁控濺射永磁靶,可鍍鐵磁材料的磁控濺射靶
1 支,可
鍍普通靶材的磁控濺射靶 3 支。磁控濺射靶可擺頭。 靶材尺寸 Ф2 英寸。靶擋板
為電動(dòng)控制。
7、鍍膜室的極限真空: 6 10-5 P(a 時(shí)間:加熱烘烤 15 小時(shí)降溫后 7 小時(shí)左右),
-4
恢復(fù)工作背景真空 710 Pa:30~40 分鐘(新設(shè)備充干燥氮?dú)猓?
設(shè)備總體漏放率:關(guān)機(jī) 12 小時(shí)真空度≤ 10Pa。
8、磁控濺射靶
5、電源:射頻源 500W、 13.56MHz;直流濺射電源, 500W。
9、鍍膜不均勻度:優(yōu)于 5%。
10、質(zhì)量流量控制器:氮?dú)猓?200sccm)、氬氣( 100sccm)。
11、數(shù)字式智能流量控制儀,一帶四。
12、缺水欠壓檢測(cè)與保護(hù)、相序檢測(cè)與保護(hù)、溫度檢測(cè)與保護(hù)、真空系統(tǒng)檢測(cè)
與保護(hù)。
三、工作條件:
供電:~ 380V,功率 7KW;
冷卻水循環(huán)量: 0.3m3/H,水溫: 18~25℃;
工作環(huán)境溫度: 10℃~ 35℃;
氣動(dòng)閥門供氣壓力: 0.4 ~0.6MPa;
質(zhì)量流量控制器供氣壓力: 0.05 ~ 0
6、.2MPa。
四、設(shè)備主要配置
1、濺射鍍膜室 1 套(真空專用不銹鋼);
2、真空室上蓋升降機(jī)構(gòu) 1 套;
3、 600L/S 分子泵 1 臺(tái)(北京泰岳恒),4L/S 機(jī)械泵 1 臺(tái)(上海富斯特);
4、 CF150高真空手動(dòng)閘板閥 1 臺(tái),CF35高真空手動(dòng)旁抽角閥 1 臺(tái)(遼寧聚智),
CF16手動(dòng)充放氣閥 1 只(遼寧聚智);
5、 GDC32分子泵前級(jí)截止閥 1 臺(tái),DDC32充放氣電磁閥 1 臺(tái)(上海閥門二廠);
6、真空室與分子泵聯(lián)接管路(不銹鋼) 1 套;
7、前級(jí)三通 1 個(gè),前級(jí)液壓不銹鋼波紋管路
7、2 套;
8、 CF100玻璃金屬焊接觀察窗 1 套,(配裝可拆洗玻璃內(nèi)襯) ;
9、 CF100磁耦合觀察窗擋板 1 套;
10、 Ф2 英寸磁控濺射靶 4 套(其中 1 套用于鍍鐵磁材料),配裝靶擋板 4 套;
11、 靶材 Ф2 英寸(由用戶自備);
12、 Φ4 英寸基片架 1 套,可旋轉(zhuǎn)、可加熱、可手動(dòng)升降;基片配裝手動(dòng)擋
板;
13、 基片加熱器 1 套,溫度:室溫~ 800℃,溫度可控可調(diào);
14、 氣路 2 套,氣路電磁閥 3 只,混氣室 1 套,勻氣管路 1 套。
15、 質(zhì)量流量控制器 2 臺(tái)(
8、 200、100sccm對(duì)應(yīng) Ar、 N2、)(北京七星華創(chuàng)),
數(shù)字式質(zhì)量流量?jī)x 1 臺(tái)(遼寧聚智);
16、 照明烘烤裝置 1 套;
17、 高真空復(fù)合真空計(jì) 1 臺(tái)(微機(jī)型一高一低);
18、 基片旋轉(zhuǎn)控制電源 1 套,基片加熱控溫電源 1 套( 配裝溫控表 ) ;
19、 濺射電源: 500W、13.56MHz 射頻電源 1 臺(tái), 500W直流恒流濺射電源 1
臺(tái);
20、 照明烘烤電源 1 套;
21、 設(shè)備總控電源(機(jī)械泵、上蓋升降、電磁閥等) 1 套;
22、 1.8m 電控柜 1 臺(tái);
23、 缺水欠壓檢測(cè)保護(hù)系統(tǒng) 1 套, 380VAC供電系統(tǒng)相序檢測(cè)保護(hù)系統(tǒng) 1 套,
溫度檢測(cè)與保護(hù)系統(tǒng) 1 套,真空系統(tǒng)檢測(cè)與保護(hù)系統(tǒng) 1 套;
24、 設(shè)備主機(jī)臺(tái) 1 套;
25、 無氧銅墊、氟膠圈、標(biāo)準(zhǔn)件等, 1 套;
此工程為鑰匙工程
技術(shù)聯(lián)系人:張宇峰 13804583344