磁控濺射鍍膜機(jī)設(shè)計(jì)方案主要配置設(shè)備用途和功能特點(diǎn)1該

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1、 磁控濺射鍍膜機(jī) 設(shè)計(jì)方案、主要配置 一、設(shè)備用途和功能特點(diǎn): 1、該設(shè)備是一臺(tái)磁控濺射鍍膜機(jī),配有三支 Φ 2 英寸普通圓形平面永磁靶,一支 Φ2 英寸鐵磁靶用于鍍制鐵磁材料。 適用于鍍制各種單層膜、多層膜、摻雜膜系??慑兘饘佟⒑辖?、化合物、半導(dǎo)體、陶瓷膜、介質(zhì)復(fù)合膜和其它化學(xué)反應(yīng)膜。 基片尺寸 Φ 4 英寸,樣品臺(tái)可旋轉(zhuǎn)、可加熱、可升降。 配裝手動(dòng)高真空閘板閥、電控氣動(dòng)角閥、靶電動(dòng)擋板、電腦復(fù)合真空計(jì)。 設(shè)備真空系統(tǒng)采用分子泵真空機(jī)組。 2 、為避免微粒物質(zhì)落到基片上,采用基片在上、磁控濺射靶在下的結(jié)構(gòu),即由下向

2、上濺射。 3、工作模式:可以采用單靶獨(dú)立、多靶輪流或組合共濺工作模式,向心濺射。 4、磁控濺射靶射頻( RF)、直流 (DC)兼容。 5、磁控濺射靶面與基片的距離,在高真空環(huán)境中動(dòng)態(tài)可調(diào),這一功能為尋找 最佳實(shí)驗(yàn)參數(shù)提供了強(qiáng)有力的實(shí)驗(yàn)手段。手動(dòng)控制靶面到基片的距離。 6、為了保證鍍膜的工藝性(預(yù)濺射、多層膜、攙雜膜、防止交叉污染和干擾等),每只磁控濺射靶均配備電動(dòng)擋板?;涫謩?dòng)擋板。 7、基片加熱器采用高溫加熱材料。 8、采用超高真空密封技術(shù),極限真空度高,濺射室可進(jìn)入 10-5 Pa 量級(jí)(≤ 6 10-5 Pa),可保證更高的鍍膜純凈度,提高

3、鍍膜質(zhì)量。 恢復(fù)工作背景真空時(shí)間短,從大氣到工作背景真空( 710-4 Pa)時(shí)間 30~ 40 分鐘(充干燥氮?dú)猓? 濺射室達(dá)到極限真空的時(shí)間:加熱烘烤 15 小時(shí)降溫后 7 小時(shí)左右。 9、系統(tǒng)自動(dòng)監(jiān)控和保護(hù)功能強(qiáng), 包括缺水欠壓檢測(cè)與保護(hù)、 相序檢測(cè)與保護(hù)、 溫度檢測(cè)與保護(hù)、真空系統(tǒng)檢測(cè)與保護(hù)等。 二、設(shè)備技術(shù)指標(biāo) 1、基片尺寸: Φ4 英寸,基片加擋板,擋板為手動(dòng)方式。 2、基片加熱器溫度:室溫~ 800℃。溫度可控可調(diào)。 3、基片架自轉(zhuǎn)速度 0~30 轉(zhuǎn)/ 分,可控可調(diào)。 4、基片架可加熱、可旋轉(zhuǎn)、可手動(dòng)

4、升降。 5、靶面到基片距離  50~ 150mm可調(diào)(手動(dòng)方式)。 6、Ф2  英寸圓形平面磁控濺射永磁靶,可鍍鐵磁材料的磁控濺射靶  1 支,可 鍍普通靶材的磁控濺射靶 3 支。磁控濺射靶可擺頭。 靶材尺寸 Ф2 英寸。靶擋板 為電動(dòng)控制。 7、鍍膜室的極限真空: 6 10-5 P(a 時(shí)間:加熱烘烤 15 小時(shí)降溫后 7 小時(shí)左右), -4 恢復(fù)工作背景真空 710 Pa:30~40 分鐘(新設(shè)備充干燥氮?dú)猓? 設(shè)備總體漏放率:關(guān)機(jī) 12 小時(shí)真空度≤ 10Pa。 8、磁控濺射靶

5、電源:射頻源 500W、 13.56MHz;直流濺射電源, 500W。 9、鍍膜不均勻度:優(yōu)于 5%。 10、質(zhì)量流量控制器:氮?dú)猓?200sccm)、氬氣( 100sccm)。 11、數(shù)字式智能流量控制儀,一帶四。 12、缺水欠壓檢測(cè)與保護(hù)、相序檢測(cè)與保護(hù)、溫度檢測(cè)與保護(hù)、真空系統(tǒng)檢測(cè) 與保護(hù)。 三、工作條件: 供電:~ 380V,功率 7KW; 冷卻水循環(huán)量: 0.3m3/H,水溫: 18~25℃; 工作環(huán)境溫度: 10℃~ 35℃; 氣動(dòng)閥門供氣壓力: 0.4 ~0.6MPa; 質(zhì)量流量控制器供氣壓力: 0.05 ~ 0

6、.2MPa。 四、設(shè)備主要配置 1、濺射鍍膜室 1 套(真空專用不銹鋼); 2、真空室上蓋升降機(jī)構(gòu) 1 套; 3、 600L/S 分子泵 1 臺(tái)(北京泰岳恒),4L/S 機(jī)械泵 1 臺(tái)(上海富斯特); 4、 CF150高真空手動(dòng)閘板閥 1 臺(tái),CF35高真空手動(dòng)旁抽角閥 1 臺(tái)(遼寧聚智), CF16手動(dòng)充放氣閥 1 只(遼寧聚智); 5、 GDC32分子泵前級(jí)截止閥 1 臺(tái),DDC32充放氣電磁閥 1 臺(tái)(上海閥門二廠); 6、真空室與分子泵聯(lián)接管路(不銹鋼) 1 套; 7、前級(jí)三通 1 個(gè),前級(jí)液壓不銹鋼波紋管路

7、2 套; 8、 CF100玻璃金屬焊接觀察窗 1 套,(配裝可拆洗玻璃內(nèi)襯) ; 9、 CF100磁耦合觀察窗擋板 1 套; 10、 Ф2 英寸磁控濺射靶 4 套(其中 1 套用于鍍鐵磁材料),配裝靶擋板 4 套; 11、 靶材 Ф2 英寸(由用戶自備); 12、 Φ4 英寸基片架 1 套,可旋轉(zhuǎn)、可加熱、可手動(dòng)升降;基片配裝手動(dòng)擋 板; 13、 基片加熱器 1 套,溫度:室溫~ 800℃,溫度可控可調(diào); 14、 氣路 2 套,氣路電磁閥 3 只,混氣室 1 套,勻氣管路 1 套。 15、 質(zhì)量流量控制器 2 臺(tái)(

8、 200、100sccm對(duì)應(yīng) Ar、 N2、)(北京七星華創(chuàng)), 數(shù)字式質(zhì)量流量?jī)x 1 臺(tái)(遼寧聚智); 16、 照明烘烤裝置 1 套; 17、 高真空復(fù)合真空計(jì) 1 臺(tái)(微機(jī)型一高一低); 18、 基片旋轉(zhuǎn)控制電源 1 套,基片加熱控溫電源 1 套( 配裝溫控表 ) ; 19、 濺射電源: 500W、13.56MHz 射頻電源 1 臺(tái), 500W直流恒流濺射電源 1 臺(tái); 20、 照明烘烤電源 1 套; 21、 設(shè)備總控電源(機(jī)械泵、上蓋升降、電磁閥等) 1 套; 22、 1.8m 電控柜 1 臺(tái); 23、 缺水欠壓檢測(cè)保護(hù)系統(tǒng) 1 套, 380VAC供電系統(tǒng)相序檢測(cè)保護(hù)系統(tǒng) 1 套, 溫度檢測(cè)與保護(hù)系統(tǒng) 1 套,真空系統(tǒng)檢測(cè)與保護(hù)系統(tǒng) 1 套; 24、 設(shè)備主機(jī)臺(tái) 1 套; 25、 無氧銅墊、氟膠圈、標(biāo)準(zhǔn)件等, 1 套; 此工程為鑰匙工程 技術(shù)聯(lián)系人:張宇峰 13804583344

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