高考化學(xué)總復(fù)習(xí) 第十二章 39 晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)課件

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1、第39講晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 微考點(diǎn)大突破 微考點(diǎn)大突破 探微提能點(diǎn)點(diǎn)結(jié)合 一、晶體的常識(shí) 1晶體與非晶體 (1)晶體。結(jié)構(gòu)特征: _。性質(zhì)特征: _。 (2)非晶體。結(jié)構(gòu)特征:原子無序排列。性質(zhì)特征:沒有自范性、固定熔點(diǎn)、對(duì)稱性、各向異性。 2晶胞晶胞是描述晶體結(jié)構(gòu)的基本單元。晶胞在晶體中的排列呈“無隙并置”。微考點(diǎn)1晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 基礎(chǔ)微回扣有自范性、固定熔點(diǎn)、對(duì)稱性、各向異性 原子在三維空間里呈周期性有序排列 二、幾種典型的晶體模型 1原子晶體(金剛石和二氧化硅)金剛石鍵角為 _,每個(gè)最小的環(huán)上有_個(gè)碳原子。SiO 2(正四面體,OSi鍵角)為10928,每個(gè)最小的環(huán)上有12個(gè)原子,其中有6個(gè)

2、Si和6個(gè)O。10928 6 2分子晶體(干冰)每個(gè)CO2分子周圍等距緊鄰的CO2分子有_個(gè)。12 3離子晶體 (1)NaCl型。在晶體中,每個(gè)Na同時(shí)吸引 _個(gè)Cl,每個(gè)Cl同時(shí)吸引 _個(gè)Na,配位數(shù)為 _。每個(gè)晶胞含4個(gè)Na和4個(gè)Cl。66 6 8 8 8 高 大 大 大 穩(wěn)定 4金屬晶體 (1)金屬鍵電子氣理論。金屬陽離子與自由電子間的相互作用。 (2)金屬晶體的幾種典型堆積模型。堆積模型采納這種堆積的典型代表空間利用率配位數(shù)晶胞 簡單立方Po 52% 6 體心立方堆積Na、K、Fe 68% 8 堆積模型采納這種堆積的典型代表空間利用率配位數(shù)晶胞 六方最密堆積Mg、Zn、Ti 74% 1

3、2面心立方最密堆積Cu、Ag、Au 74% 12 三、晶體的基本類型和性質(zhì)比較類型比較分子晶體原子晶體金屬晶體離子晶體概念分子(或原子)間靠分子間作用力結(jié)合而成的晶體原子之間以共價(jià)鍵結(jié)合而形成的具有空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的晶體金屬陽離子和自由電子以金屬鍵結(jié)合而形成的晶體陽離子和陰離子通過離子鍵結(jié)合而形成的晶體結(jié)構(gòu)構(gòu)成粒子分子(或原子)原子金屬陽離子、自由電子陰、陽離子粒子間的相互作用力分子間作用力共價(jià)鍵金屬鍵離子鍵 類型比較分子晶體原子晶體金屬晶體離子晶體性質(zhì)密度較小較大有的很大,有的很小較大硬度較小很大有的很大,有的很小較大熔、沸點(diǎn)較低很高有的很高,有的很低較高溶解性相似相溶難溶于任何溶劑難溶于常見溶

4、劑大多易溶于水等極性溶劑導(dǎo)電導(dǎo)熱性一般不導(dǎo)電,溶于水后有的導(dǎo)電一般不具有導(dǎo)電性電和熱的良導(dǎo)體晶體不導(dǎo)電,水溶液或熔融態(tài)導(dǎo)電延展性無無良好無 類型比較分子晶體原子晶體金屬晶體離子晶體物質(zhì)類別及舉例大多數(shù)非金屬單質(zhì)(如P4、Cl2)、氣態(tài)氫化物、酸(如HCl、H2SO4)、非金屬氧化物(如SO2、CO2、SiO2除外)、絕大多數(shù)有機(jī)物(如CH4,有機(jī)鹽除外)一部分非金屬單質(zhì)(如金剛石、硅、晶體硼),一部分非金屬化合物(如SiC、SiO2)金屬單質(zhì)與合金(如Na、Al、Fe、青銅)金屬氧化物(如K2O、Na2O)、強(qiáng)堿(如KOH、NaOH)、絕大部分鹽(如NaCl) 三條途徑獲得晶體的三條途徑 (1

5、)熔融態(tài)物質(zhì)凝固。 (2)氣態(tài)物質(zhì)冷卻不經(jīng)液態(tài)直接凝固(凝華)。 (3)溶質(zhì)從溶液中析出。 我的警示 1具有規(guī)則幾何外形的固體不一定是晶體,如玻璃; 2晶胞是從晶體中“截取”出來具有代表性的最小重復(fù)單元,而不一定是最小的“平行六面體”; 3在使用均攤法計(jì)算晶胞中粒子個(gè)數(shù)時(shí),要注意晶胞的形狀,不同形狀的晶胞,應(yīng)先分析任意位置上的一個(gè)粒子被幾個(gè)晶胞所共用,如六棱柱晶胞中,頂點(diǎn)、側(cè)棱、底面上的棱、面心、體心依次被6、3、4、2、1個(gè)晶胞所共有。 4原子晶體的熔點(diǎn)不一定比離子晶體高,如石英的熔點(diǎn)為1 710 ,MgO的熔點(diǎn)為2 852 。 判斷正誤,正確的畫“”,錯(cuò)誤的畫“”。 1CO2和SiO2是同

6、主族元素的氧化物,它們的晶體結(jié)構(gòu)相似,性質(zhì)也非常相似( )警示:CO2的晶體是分子晶體,SiO2是原子晶體,晶體結(jié)構(gòu)差別很大,物理性質(zhì)差別也很大。 2離子晶體是由陰、陽離子構(gòu)成的,所以離子晶體能夠?qū)щ? )警示:離子晶體內(nèi)的陰、陽離子不能自由移動(dòng),不能導(dǎo)電,只有在熔融狀態(tài)時(shí)或水溶液中產(chǎn)生了自由移動(dòng)的離子才能導(dǎo)電。 3金屬晶體的熔點(diǎn)一定比分子晶體的熔點(diǎn)高( )警示:不一定,如Na的熔點(diǎn)為97 ,尿素的熔點(diǎn)為132.7 ,汞常溫下呈液態(tài)。 4原子晶體的熔點(diǎn)一定比離子晶體的高( )警示:不一定,如MgO的熔點(diǎn)為2 852 ,石英的熔點(diǎn)為1 710 。 5晶胞是晶體中的最小的“平行六面體”( )警示:

7、晶胞是從晶體中“截取”出來具有代表性的最小部分,而不一定是最小的“平行六面體”。 6具有規(guī)則幾何外形的固體一定是晶體( )警示:晶體的特點(diǎn)是內(nèi)部質(zhì)點(diǎn)的規(guī)則排列,而不是看外形,玻璃一般有規(guī)則的幾何外形,卻是非晶體。 一、晶體熔、沸點(diǎn)高低的比較 1不同類型晶體的熔、沸點(diǎn)高低的一般規(guī)律原子晶體離子晶體分子晶體。金屬晶體的熔、沸點(diǎn)差別很大,如鎢、鉑等沸點(diǎn)很高,如汞、鎵、銫等沸點(diǎn)很低。 2原子晶體由共價(jià)鍵形成的原子晶體中,原子半徑小的鍵長短,鍵能大,晶體的熔、沸點(diǎn)高。如熔點(diǎn):金剛石石英碳化硅硅。 3離子晶體一般地說,陰陽離子的電荷數(shù)越多,離子半徑越小,則離子間的作用就越強(qiáng),其離子晶體的熔、沸點(diǎn)就越高,如

8、熔點(diǎn):MgOMgCl 2NaClCsCl。 方法微總結(jié) 4分子晶體 (1)分子間作用力越大,物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)越高;具有分子間氫鍵的分子晶體,熔、沸點(diǎn)反常。如H2OH2TeH2SeH2S。 (2)組成和結(jié)構(gòu)相似的分子晶體,相對(duì)分子質(zhì)量越大,熔、沸點(diǎn)越高,如SnH4GeH4SiH4CH4。 (3)組成和結(jié)構(gòu)不相似的物質(zhì)(相對(duì)分子質(zhì)量接近),分子的極性越大,其熔、沸點(diǎn)越高,如CON2,CH3OHCH3CH3。 (4)同分異構(gòu)體,支鏈越多,熔、沸點(diǎn)越低。如CH 3CH2CH2CH2CH3 5金屬晶體金屬離子半徑越小,離子的電荷數(shù)越多,其金屬鍵越強(qiáng),金屬熔、沸點(diǎn)就越高,如熔、沸點(diǎn):NaMgAl。 【微典通

9、關(guān)1】參考下表中物質(zhì)的熔點(diǎn),回答有關(guān)問題:物質(zhì)NaF NaCl NaBr NaI NaCl KCl RbCl CsCl熔點(diǎn)/995 801 755 651 801 776 715 646物質(zhì)SiF4 SiCl4 SiBr4 SiI4 SiCl4 GeCl4 SnCl4 PbCl4熔點(diǎn)/90.470.4 5.2 12070.449.536.215 (1)鈉的鹵化物及堿金屬的氯化物的熔點(diǎn)與鹵素離子及堿金屬離子的_有關(guān),隨著_的增大,熔點(diǎn)依次降低。 (2)硅的鹵化物的熔點(diǎn)及硅、鍺、錫、鉛的氯化物的熔點(diǎn)與_有關(guān),隨著_增大,_增大,故熔點(diǎn)依次升高。 (3)鈉的鹵化物的熔點(diǎn)比相應(yīng)的硅的鹵化物的熔點(diǎn)高得多

10、,這與_有關(guān),因?yàn)?_,故前者的熔點(diǎn)遠(yuǎn)高于后者。半徑 半徑 相對(duì)分子質(zhì)量 相對(duì)分子質(zhì)量 分子間作用力 晶體類型 鈉的鹵化物為離子晶體,而硅的鹵化物為分子晶體 解析:分析表中的物質(zhì)和數(shù)據(jù):NaF、NaCl、NaBr、NaI均為離子晶體,它們的陽離子相同,隨著陰離子離子半徑的增大,離子鍵依次減弱,熔點(diǎn)依次降低。 NaCl、KCl、RbCl、CsCl四種堿金屬的氯化物均為離子晶體,它們的陰離子相同,隨著陽離子離子半徑的增大,離子鍵逐漸減弱,熔點(diǎn)依次降低。 SiF4、SiCl4、SiBr4、SiI4四種硅的鹵化物均為分子晶體,它們的結(jié)構(gòu)相似,隨著相對(duì)分子質(zhì)量的增大,分子間作用力逐漸增強(qiáng),熔點(diǎn)依次升高。

11、 SiCl4、GeCl4、SnCl4、PbCl4四種碳族元素的氯化物均為分子晶體,它們的組成和結(jié)構(gòu)相似,隨著相對(duì)分子質(zhì)量的增大,分子間作用力逐漸增強(qiáng),熔點(diǎn)依次升高。 【微典通關(guān)2】ZnS在熒光體、光導(dǎo)體材料、涂料、顏料等行業(yè)中應(yīng)用廣泛。立方ZnS晶體結(jié)構(gòu)如圖所示,其晶胞邊長為540.0 pm,密度為_gcm3(列式并計(jì)算),a位置S2離子與b位置Zn2離子之間的距離為 _pm(列式表示)。 每個(gè)面上上有4個(gè),共計(jì)12個(gè)。 (2)??嫉膸追N晶體主要有干冰、冰、金剛石、SiO2、石墨、CsCl、NaCl、K、Cu等,要熟悉以上代表物的空間結(jié)構(gòu)。當(dāng)題中信息給出與某種晶體空間結(jié)構(gòu)相同時(shí),可以直接套用某

12、種結(jié)構(gòu)。 對(duì)點(diǎn)微練晶體結(jié)構(gòu)分析 1下圖是從NaCl或CsCl晶體結(jié)構(gòu)圖中分割出來的部分結(jié)構(gòu)圖,其中屬于從NaCl晶體中分割出來的結(jié)構(gòu)圖是() A圖和圖B圖和圖 C圖和圖 D只有圖應(yīng)用微提升 2如圖所示是某原子晶體A空間結(jié)構(gòu)中的一個(gè)單元,A與某物質(zhì)B反應(yīng)生成C,其實(shí)質(zhì)是每個(gè)AA鍵中插入一個(gè)B原子,則C物質(zhì)的化學(xué)式為() AAB BA5B4 CAB2 DA2B5 解析:據(jù)題意可知一個(gè)A原子結(jié)合4個(gè)B原子,而一個(gè)B原子結(jié)合2個(gè)A原子,則A、B原子個(gè)數(shù)比為1 2,C的化學(xué)式為AB2(本題亦可從SiO2的形成思考:圖中A為Si原子,插入的B原子為氧,可得SiO2晶體,則C的化學(xué)式為AB2)。需注意:此圖

13、是某原子晶體空間結(jié)構(gòu)中的一個(gè)單元。答案:C 3通常情況下,氯化鈉、氯化銫、二氧化碳和二氧化硅的晶體結(jié)構(gòu)分別如下圖所示: 下列關(guān)于這些晶體結(jié)構(gòu)和性質(zhì)的敘述不正確的是() A同一主族的元素與另一相同元素所形成的化學(xué)式相似的物質(zhì)不一定具有相同的晶體結(jié)構(gòu) B氯化鈉、氯化銫和二氧化碳的晶體都有立方的晶胞結(jié)構(gòu),它們具有相似的物理性質(zhì) C二氧化碳晶體是分子晶體,其中不僅存在分子間作用力,而且也存在共價(jià)鍵 D在二氧化硅晶體中,平均每個(gè)Si原子形成4個(gè)SiO共價(jià)單鍵 解析:SiO2和CO2的化學(xué)式相似,但其晶體結(jié)構(gòu)不同,A項(xiàng)正確;二氧化碳為分子晶體,因此分子間存在分子間作用力,而分子內(nèi)部碳原子和氧原子間形成共價(jià)

14、鍵,氯化鈉和氯化銫為離子晶體,所以物理性質(zhì)不同。根據(jù)二氧化硅的結(jié)構(gòu)可判斷D項(xiàng)正確。答案:B 4氯化鉻酰(CrO2Cl2)在有機(jī)合成中可作氧化劑或氯化劑,能與許多有機(jī)物反應(yīng)。請回答下列問題: (1)寫出鉻原子的基態(tài)電子排布式_,與鉻同周期的所有元素的基態(tài)原子中最外層電子數(shù)與鉻原子相同的元素有_(填元素符號(hào)),其中一種金屬的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,該晶胞中含有金屬原子的數(shù)目為_。1s 22s22p63s23p63d54s1 K、Cu 4 (2)CrO2Cl2常溫下為深紅色液體,能與CCl4、CS2等互溶,據(jù)此可判斷CrO2Cl2是_(填“極性”或“非極性”)分子。 (3)在苯CH3OHHCHOCS2CC

15、l4五種有機(jī)溶劑中,碳原子采取sp2雜化的分子有_(填序號(hào)),CS2分子的空間構(gòu)型是_。直線形 非極性 對(duì)點(diǎn)微練晶體類型的判斷 5下列各組物質(zhì)的晶體中,化學(xué)鍵類型相同、晶體類型也相同的是() ASO2和SiO2 BCO2和H2O CNaCl和HCl DCCl4和KCl解析:A項(xiàng)中兩種化合物原子間均以共價(jià)鍵結(jié)合,但SO2形成分子晶體,SiO2為原子晶體;B項(xiàng)中兩分子均為共價(jià)鍵結(jié)合的分子,且均形成分子晶體;C項(xiàng)中NaCl中含離子鍵,HCl為共價(jià)鍵結(jié)合的分子,前者是離子晶體,后者是分子晶體;D項(xiàng)中CCl 4是以共價(jià)鍵結(jié)合的分子晶體,KCl中含離子鍵,為離子晶體。答案:B 61919年,朗繆爾提出等電

16、子體假說:“凡原子數(shù)和總電子數(shù)均相等的物質(zhì),其結(jié)構(gòu)相同,物理性質(zhì)相近,對(duì)應(yīng)的物質(zhì)稱為等電子體”。如CO和N2。現(xiàn)有一種新型層狀結(jié)構(gòu)的無機(jī)材料BN的一種同分異構(gòu)體 BN,平面結(jié)構(gòu)示意圖如圖所示,則關(guān)于該物質(zhì)的性質(zhì)和用途的推斷正確的是() A是一種高溫潤滑材料,可用作電器材料 B是一種堅(jiān)硬耐磨材料,可用作鉆具 C是一種化學(xué)纖維,可用作織物 D以上判斷均不正確 解析:由BN的電子數(shù)與CC相同,即BN與石墨屬等電子體,性質(zhì)相似,由石墨性質(zhì)就可以遷移比較。答案:A 對(duì)點(diǎn)微練晶體性質(zhì)的比較 7碳、氫、氟、氮、硅等非金屬元素與人類的生產(chǎn)生活息息相關(guān)?;卮鹣铝袉栴}: (1)寫出硅原子的電子排布式_。C、Si、

17、N的電負(fù)性由大到小的順序是_。 (2)氟化氫水溶液中存在的氫鍵有_種。1s22s22p63s23p2 NCSi 4 (3)繼C60后,科學(xué)家又合成了Si60、N60。請解釋如下現(xiàn)象。熔點(diǎn):Si60N60C60,而破壞分子所需要的能量;N60C60Si60,其原因是_。結(jié)構(gòu)相似的分子晶體的相對(duì)分子質(zhì)量越大,分子間作用力(或范德華力)越強(qiáng),熔化所需的能量越多,故熔點(diǎn):Si60N60C60;而破壞分子需斷開化學(xué)鍵,元素電負(fù)性越強(qiáng)其形成的化學(xué)鍵越穩(wěn)定,或成鍵電子數(shù)越多,成鍵原子半徑越小,斷鍵所需能量越多,故破壞分子需要的能量順序?yàn)镹60C60Si60. (4)Co3有多種配合物,如Co(CN)63、C

18、o(NH3)4Cl2等。銠(Rh)與鈷屬于同族元素,某些性質(zhì)相似。現(xiàn)有銠的某鹽組成為CsRh(SO4)24H2O,易溶解于水,向其水溶液中加入一定濃度的BaCl2溶液,無沉淀生成。請寫出該鹽溶解于水后的電離方程式_。 (5)氧化鎂的晶格能_氧化鈣(填“大于”或“小于”),由巖漿結(jié)晶規(guī)則可推測_先從巖漿中析出。CsRh(SO4)24H 2O=CsRh(SO4)2(H 2O)4 氧化鎂 大于 真題微探 1(2013山東)鹵族元素包括F、Cl、Br等。利用“鹵化硼法”可合成含B和N兩種元素的功能陶瓷,如圖為某晶胞結(jié)構(gòu)示意圖,則每個(gè)晶胞中含有B原子的個(gè)數(shù)為_,該功能陶瓷的化學(xué)式為_。BN 2 2(20

19、13新課標(biāo)卷)硅是重要的半導(dǎo)體材料,構(gòu)成了現(xiàn)代電子工業(yè)的基礎(chǔ)?;卮鹣铝袉栴}:在硅酸鹽中,SiO四面體(如圖a)通過共用頂角氧離子可形成島狀、鏈狀、層狀、骨架網(wǎng)狀四大類結(jié)構(gòu)形式。圖b為一種無限長單鏈結(jié)構(gòu)的多硅酸根,其中Si原子的雜化形式為_,Si與O的原子數(shù)之比為_,化學(xué)式為_。 圖a圖bsp3 1 3 3(2015山東卷)氟在自然界中常以CaF2的形式存在。 (1)下列有關(guān)CaF2的表述正確的是_。 aCa2與F間僅存在靜電吸引作用 bF的離子半徑小于Cl,則CaF2的熔點(diǎn)高于CaCl2 c陰陽離子比為2 1的物質(zhì),均與CaF2晶體構(gòu)型相同 dCaF2中的化學(xué)鍵為離子鍵,因此CaF2在熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電 (2)CaF2難溶于水,但可溶于含Al3的溶液中,原因是_(用離子方程式表示)。已知AlF在溶液中可穩(wěn)定存在。 (3)F 2通入稀NaOH溶液中可生成OF2,OF2分子構(gòu)型為_,其中氧原子的雜化方式為_。 b、d V形 sp3 (4)F2與其他鹵素單質(zhì)反應(yīng)可以形成鹵素互化物,例如ClF3、BrF3等。已知反應(yīng)Cl2(g)3F2(g)=2ClF3(g)H313 kJmol1,F(xiàn)F鍵的鍵能為159 kJmol1,ClCl鍵的鍵能為242 kJmol1,則ClF3中ClF鍵的平均鍵能為_ kJmol1。ClF3的熔、沸點(diǎn)比BrF3的_(填“高”或“低”)。172 低

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