《真空鍍膜技術(shù)》PPT課件

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1、蒸發(fā)源(Vapor Source),凌國基老師,真空鍍膜技術(shù),蒸發(fā)率,Pu:10-3 torr蒸氣壓 M:a Mol of the substance being evaporated T:Temperature in K a:condensation,大約為1 所以蒸發(fā)率與蒸氣壓最有關(guān)。 在各種薄膜材料的特性資料上,除了Melting point 之外還有vapor pressure,以及在10-2 torr或10-110-2 mbar時之溫度。 (如表二-1.1和表二-1.2),1913年,Langmuir提出,蒸發(fā)率為 5.85 10-5 ( ),,,,表二-1.1 早

2、期的資料,,表二-1.1 早期的資料,,表二-1.2,,表二-1.2,氧化膜(Oxide surface layers),真空腔常常會有很多水氣,因此許多金屬在蒸發(fā)時表面會有一層氧化膜,這些氧化膜是不會蒸發(fā)的,則金屬被包在氧化層中間,不容易蒸發(fā)。 有些活性較強(qiáng)的金屬會在蒸發(fā)源上流動或潤濕,如此則表面之氧化膜破裂,而得以蒸發(fā)。 鍍膜時需要一個蒸發(fā)源,蒸發(fā)源如圖五(a)稱為鎢舟,鎢舟兩邊加上電壓產(chǎn)生電流,產(chǎn)生電流後即產(chǎn)生熱量,持續(xù)加熱到剛才所說的溫度就會蒸發(fā)上去,圖五上還有各種形狀的鎢舟或鉬舟。,,圖五、各式鎢舟 (在後面會有詳細(xì)的說明),,將鉻勾放在螺旋狀鎢絲上加熱蒸發(fā),因?yàn)槲搅?nèi)聚力,則鉻會

3、附在鎢絲上。 此時會有少量金屬在加熱器(鎢絲)上流動,因?yàn)?(R 為電阻, 電阻率, 長度,A截面積), 鎢絲變粗,電阻下降,又 (W 為功率,I 為電流, R 為電阻),電阻下降,功率下降,所以鎢絲溫度會迅速 下降,蒸發(fā)率上升(參蒸發(fā)率公式)。鎢絲暫時冷卻,阻 止進(jìn)一步熔化,如此周而反覆的進(jìn)行。,,,,,三種氧化膜不會阻礙蒸發(fā)的情況,氧化物比蒸發(fā)物更易揮發(fā)。 鍍金屬時我們要鍍的金屬就會被氧化物汙染,舉例說明:氧化鎢比鎢容易蒸發(fā)。這時就要在基板前先以遮板擋住,先加熱把氧化鎢蒸發(fā)掉,再移開遮板鍍鎢。其他還有如GeO、SiO。 氧化物在高溫分解。 金屬能夠擴(kuò)散通過氧化層。 在

4、900時,鉻可以通過氧化層不受影響,但在高溫時則是會受到影響的。因此通常鍍金屬都是要快速進(jìn)行,以免受氧化作用。,,最麻煩的狀況就是氧化物在高溫的時候不會分解,如氧化鉻。 舉例說明:金屬通常都是由表面發(fā)揮,除非加熱速度很快,被鍍物溫度分佈不均、或是金屬表面有一層不透、不揮發(fā)的氧化膜時,此時金屬會在氧化膜內(nèi)部形成泡泡而濺出質(zhì)點(diǎn),當(dāng)我們拿出基板上面會出現(xiàn)在如水滴乾掉的水漬痕跡(原本應(yīng)該是鍍出一個完整的平面)。 另外,如果熔化物會吸收氣體,造成迅速膨脹,也會有質(zhì)點(diǎn)或粉末跳出。 以上所說的例子,都是用來說明為什麼需要這麼多種不同的蒸發(fā)源(見圖五)。,鈦及其化合物的鍍膜性質(zhì),在鍍膜時,有些材料具有活性,很

5、容易跟其他的氣體起作用,鈦就是一個很好的例子。 活性很好的話,在鍍上基板時會跟基板起化學(xué)作用,那它鍍上去的附著性就非常的好。 像洗的很乾淨(jìng)的玻璃,上方一定會有一些具自由基的氧(沒有與SiO鍵結(jié)的氧),假設(shè)是鍍鈦上去好了,那就會形成TiO的鍵結(jié),也就是一層化合物上鍵結(jié)了另一層的化合物那整個結(jié)構(gòu)是非常牢固的。 所以在鍍活性材料時,它的接著力好很多。,在鍍鈦的時候...,如果真空腔內(nèi)有氮、氧,因鈦是很活性的,那它也會跟氮、氧起反應(yīng): 鈦:暗銀白色。 TiN:金黃色。(鈦跟氮一樣多) 。 Ti2O3:藍(lán)色,TiO2:膜層時為透明,粉末狀為白色,即工業(yè)用鈦白粉。 TiOx:可以是黑咖啡色。 TiNx:可

6、以是鹹菜色。 Ti的活性非常強(qiáng) 可用在吸收pump。 Ion pump。 Ti sublimation pump。 鍍出來的折射率無法確定。 Ti0.8Zr0.2 O2為黃金色。 TiO2熔點(diǎn)高,通常用Ti2O3或TiO加氧來蒸鍍。 所以有Ti0.5Zr0.5 Ox(Substance 1)較穩(wěn)定。 TiO2Pr6O11?(Substance 2)較容易鍍但不穩(wěn)定(用e-bean較穩(wěn)定)。,高溫耐熔金屬依次為鎢、鉭、鉬、鈳、鉑(白金)等,最常用的為鎢、鉭、鉬。 鎢可以是再結(jié)晶態(tài)或非結(jié)晶態(tài)二種。通常買到的鎢舟會稍微軟軟的,那是因?yàn)樗芙咏墙Y(jié)晶態(tài)(晶粒比較?。诱剐暂^佳;若加熱到1000後,則

7、鎢會再結(jié)晶、變脆。 鉭、鉬比鎢容易加工,但也有加熱後再結(jié)晶、變脆的情形。 通常買來的鎢(鉭、鉬)表面會有一層氧化物,氧化物比較容易蒸發(fā)會造成汙染。如鍍的東西較不重要就不加理會,如鍍的純度要求很高可先在真空中加熱(如前述的方法,如加熱完打開真空腔來看,原本看起來暗暗的鎢舟,會變的有金屬光澤),或浸在NaOH溶液中將氧化物洗去,用電解法侵蝕。,Filament and Foil Source1.耐熱金屬(Refractory Metals),Filament and Foil Source 2.絲形加熱器(Filament Heaters),絲形(Filament)之加熱器主要分為二種: (1)開

8、放螺旋形用來蒸發(fā)條型金屬,較常見致今都還??吹健?(2)錐形籃加熱源用來蒸發(fā)塊形金屬,圖一、開放螺旋形,圖二、錐形籃加熱源,,用錐形籃也可以蒸鍍一些高溫下不會與鎢絲起作用之金屬,如:銀、金等,其內(nèi)聚力吸附力,會自己結(jié)成一球,卡在籃子上。此時filament之間的間隔,隨著不同之鍍材必須夠密,不常用較少見到。 可以用filament heater之條件: 要能附著在filament上。 evaporation temperature 要低於filament之熔點(diǎn)。 與filament所產(chǎn)生之合金,其熔點(diǎn)要高於evaporation temperature。,,表四-2.1 各種金屬之蒸鍍條件,左

9、圖三中, (a)可當(dāng)成點(diǎn)蒸發(fā)源,熔化的金屬在fused evaporate的位置上,溫度最高,此處金屬較會蒸發(fā); (b)必須是能與filament相濕的材料才行; (c)的多股線可使表面積增加,容易鍍,減少形成合金的機(jī)會,加熱器之體積要比蒸發(fā)物大,才不會完全被溶解;另外,可以先將多股線表面碳化,以防止合金現(xiàn)象,不過炭化後材質(zhì)較脆: (d)是將鎢絲及被鍍金屬線繞在rod上。,現(xiàn)在以鋁為例子,來說明用鎢絲鍍膜的過程。,圖四,在鍍鋁時,使用的是裡的多U型鎢絲,一開始我們把一小段一小段的鋁絲以馬蹄形掛在鎢絲上,如圖四(a)。 當(dāng)加熱溶化後,金屬的內(nèi)聚力很大,會自己聚在一起;接著鋁在高溫下會與鎢形成合金

10、,此時鋁與鎢的吸附力很強(qiáng),鋁會在鎢絲上延展開來,形成像圖四(b)的鋁滴。 截面積較大的地方電阻較小,加熱較慢溫度較低,因此鋁球處熱度不是最高的,熱度最高處在裸絲之處;又因?yàn)楦街Φ年P(guān)係,鎢絲上方的鋁液比下方少,所以上方就不斷的把鋁蒸發(fā)出去。而高溫的鋁會與鎢形成合金,所以在液化的鋁往上面移動時,也把部份的鎢帶了上去,就會形成如圖四(c)上方較粗下方較細(xì)的狀況。,Filament and Foil Source3.Metal Foil Heater,圖五(a)為最常用的鎢舟,但加熱膨脹後會變形。 我們把鎢舟鎖上電極,然後開始加熱, 因?yàn)榻佑|不良造成電阻上升的關(guān)係, 加熱最快的地方通常都

11、是電極接觸鎢舟的地方, 但是正常我們希望加熱最快的地方是蒸鍍的地方, 而其他地方加熱要慢一點(diǎn)。,圖五(b)可防止因加熱後的變形,另外也可以用以下的形式:,左圖的接觸面用一個彈簧,如此有膨脹空間,增加boat的壽命。整個電極不可以用黃銅,因?yàn)榧訜釙r,其中的鋅會蒸發(fā)出來。,圖五(c)可用來蒸鍍粉末狀之材料。 有時我們在做物理研究的時候,可能發(fā)現(xiàn)有什麼化合物是好的鍍材,可是此時實(shí)驗(yàn)裡的材料可能沒有選擇,只有粉末狀的。 有人可能覺得粉末狀的沒有什麼差,一樣放上去鍍就好了,可是通常粉末放在大氣中它會自然的吸附水氣; 當(dāng)我們在加熱時,水氣不會慢慢的釋放,而是像氣泡衝出水面一樣的衝出來,衝出來的時候

12、,就會把它周圍的粉末像噴槍一樣噴掉。 當(dāng)我們打開真空腔,鍍半天一看基板上沒有鍍到東西,舟上也沒有材料了,不過舟的底下有一堆粉未。 因此就有了這種有蓋子的舟產(chǎn)生圖五(c),避免將粉末噴到外面來,它上面打了小洞,讓蒸氣還是可以蒸出來。,鉬舟DIY,還有很多奇奇怪怪的材料也都是做成粉末狀的,所以物理系較常用到這種有蓋子的舟。不過這種舟的價(jià)格也不便宜,所以也就自己做來用。 那怎麼做呢? 首先我們要先準(zhǔn)備三塊方形金屬塊中間打一個螺絲可以穿過的洞, 如圖一 。 方形金屬塊的大小因鉬舟的大小不同而有所不同。 再來我們要把鉬片剪成適當(dāng)大小的矩形,如圖二 。 長=兩邊把手長+兩倍舟的深度+

13、舟底的長度 寬=舟的寬度+兩倍舟的深度,圖一,圖二,鉬舟DIY,步驟一:把一塊金屬塊放在鉬片的中間把兩邊向上摺,用另兩塊夾住並且用螺絲鎖緊,如圖三。 步驟二:把鉬片的兩邊向上摺,並且貼緊兩邊的金屬塊如圖四。 步驟三:把鉬片的兩邊向內(nèi)摺,如圖五。,圖三,圖四,圖五,鉬舟DIY,步驟四:把鉬片往下摺出把手,把手的目的是用來夾住兩邊的電極,如圖六、圖七。 最後小心的把螺絲鬆開,就完成了一個鉬舟。如果怕蒸鍍的材料再加熱的過程中會濺出來的話,也可以用一樣的工具作一個蓋子放在鉬舟上面。蓋子上要打幾個洞讓蒸氣由洞口跑出來。這樣一方面可以防止材料飛濺也可以控制蒸鍍的速率。,,,圖六,圖七,,圖五(d)用

14、於蒸發(fā)低導(dǎo)熱材料,及低紅外光吸收材料, 如SiO2。,表四-3.1,,由表四-3.1可知,SiO2的evaporation temperature約為1700,並不高,SiO2為低紅外光吸收材料,幾乎不吸收輻射熱,所以在鍍的時候就會有感覺覺得溫度加的再高也鍍不上去,所以不論是使用鉬舟或鎢舟都無法鍍製SiO2 。 又由表四-3.1可知,SiO除了evaporation temperature約為2300之外,它是很好鍍的,所以鍍SiO時,我們常常是用鉬舟放SiO,蓋上只打了一個小洞的蓋子再去鍍,這時候的鍍膜速率就會很慢。接著,保持真空腔在110 -4 torr,也就是裡面有很多的氧氣,那我們鍍的

15、時候就是SiO上去氧就補(bǔ)上去,然後再用某一種方法來做蒸鍍速率的控制(例:數(shù)位式的膜厚控制計(jì)),只要持續(xù)控在某一個速率以下,就可以得到很好的SiO2 。因?yàn)橐刂频暮軠?zhǔn)確,再加上要有足夠的時間補(bǔ)氧,所以一定要鍍的很慢,所以通常使用電子槍。,以鉻來看,用圖五(f)應(yīng)該是最好的方法。 在鎢上鍍一層鉻,再用來把鉻鍍在其他東西上, 市面上也可以買到已經(jīng)鍍完鉻的鎢絲,那每鍍一根就可以知道膜有多厚,例如:鍍兩根、鍍?nèi)蚴且淮五兒芏喔?,就可以控制整個膜的厚度。 另外如果有氧化層,它也可以像之前說的,從兩側(cè)流出蒸發(fā)上去。 而這個方法的成本比較貴,因?yàn)樗厦娴你t鍍完之後,這一根就沒有用了,不過這是除了電子槍之外

16、,鍍鉻最好的方式。,圖五(h)用於水平蒸鍍。,氮化硼(BN)比較不容易和其他物質(zhì)起作用, 不像鎢會與鋁、鈦形成合金後,脆化也就不會延展開來,維持像水銀一樣聚在一起; 更重要的是,它可以做成導(dǎo)體,不過因?yàn)樗苡?,所以連接時要以銅線連接(圖八上的黑實(shí)線),不可直接壓在電極上。 另外,也有人用石墨,石墨幾乎一樣,不過它還是會延展開來,但跟其他金屬比起來慢的多了,所以如果不是要鍍很久很久的話,還是可以用石墨。,圖八,Filament and Foil Source4.Low Tension Power Supply,通常電熱絲的直徑約為0.5、0.75或1mm,有時甚至約為1.5mm,此時電阻相當(dāng)小,

17、因?yàn)?,R很小,所以I必須很大,如表四-4.1。,,要如何控制電壓呢?下圖九中,220V的電壓進(jìn)來後先接上一個自偶變壓器,再接上一個固定比例的降壓器,進(jìn)入220V的電壓最後大概是20V左右,不過接上一個自偶變壓器就是可以照規(guī)格去做調(diào)整。,,圖九,,當(dāng)電流很大時: 接觸點(diǎn)、面很重要;我們知道,接觸不好電阻變大整體加熱速度就會降低。 引線的直徑必須夠。 因?yàn)槿菀桩a(chǎn)生高熱,所以電極一定要水冷。 水冷可以(1)保護(hù)O-ring;(2)使電熱氣與電極之間之溫度降低,增加電熱器(鎢舟)的壽命;(3)減少電極之汙染。,水冷的方法,此兩種方法都有作用,圖十中特別畫的圈圈是指O-ring。 要把一個東西引入真空,

18、一定需要一個封真空的方法,封真空通常用到O型環(huán),而O型環(huán)有各種材料的,不管什麼材料都不耐高熱。 O型環(huán)如果一直持續(xù)在高熱狀況,它本身會放氣,那真空度就會被破壞。所以電極無論用什麼方法都一定要冷卻,才會安全一點(diǎn)。 增加電熱器的壽命,也就是增加鎢舟的壽命。,圖十 a 在電極上面打一個洞通冷卻水,圖十 b 水進(jìn)去之後繞一圈再出來,,鎢、鉬 在1000時,其電阻為常溫的4.5倍; 在2000時,其電阻為常溫的10倍。 電阻變大,power就會變小,因此,加熱要慢慢加,注意電流變化。 Heavens 1200,empty source,氣壓10-6torr,沒有鎢上去。 1000,silva and g

19、ermanium,氣壓510-7torr,有鎢上去。,在蒸鍍過程中,會有少量的蒸發(fā)源材料也被蒸發(fā)上來,影響膜層結(jié)構(gòu)及物理性質(zhì),如導(dǎo)電率及光吸收。被剩餘氣體或水氣氧化而成可蒸發(fā)之物質(zhì),與被鍍物成合金,而此合金之蒸氣壓較加熱器高。如表四-4.2,因?yàn)楹辖鹱饔?,所以會有鎢被鍍上去(溫度較高時,合金現(xiàn)象較厲害,所以污染比較嚴(yán)重)。,表四-4.2,Filament and Foil Source5.Reaction Between Different Refractories in vacuum,前面介紹的鍍膜方式都是接觸式的,可是事實(shí)上不是所有材料都是要用接觸式,有的材料不用接觸就可以蒸鍍上去,例如S

20、iO就是一個很好的例子,見圖十一,將SiO裝在坩堝裡,上面加熱的是一個蚊香式的鎢絲,鎢絲熱了之後下面會很燙,光靠輻射熱就可以把SiO鍍上去。,,圖十一 A radiation heated vapour source,Filament and Foil Source6.Carbon Crucible and Heating Elements,碳(Carbon)Evaporant Reactions 在高溫下很多金屬會與碳起作用而形成碳化物,不能用碳坩堝來鍍這些金屬,如鋁、矽。 與鈦會形成TiC,但隨著膜層變厚,反應(yīng)速率會下降,所以可以用。 與硼會形成BC,熔點(diǎn)很高,所以可以用。 可不可以用Ca

21、rbon Crucible,可以查工具書。,,一個好的石墨坩堝的條件: 石墨舟表面光滑。 石墨舟做得均勻。不均勻不但會使膜粗糙,且蒸鍍時料容易跳掉;石墨舟均勻與否,可在蒸鍍時根據(jù)溫度分布判斷。 石墨舟尺寸合適。過大的尺寸,蒸發(fā)電流很大,影響真空燒毀電極或接觸不良,過小的尺寸裝料不夠用。一般大小的舟通常裝34克。 石墨用光譜純材料。.石墨中主要含硫、磷等,使用前最好經(jīng)酸鹼處理,然後在真空中加熱到2000。,圖十一 碳蒸發(fā)源 (Carbon Vapour sources),Filament and Foil Source7.兩種材料混鍍,當(dāng)我們在鎢舟上放了兩種材料鐵、鎳同時蒸鍍,鐵比較容易蒸發(fā),鎳

22、比較不容易蒸發(fā)。圖十二是在鍍膜時測量出來的,縱軸是蒸發(fā)上去的量、橫軸是時間,用來表示蒸發(fā)上去的鐵有、鎳各有多少。,圖十二,因?yàn)橐婚_始鐵較容易蒸,所以鐵蒸上去的成份就較多,鎳上去的較少;後來鐵沒有了剩鎳,最後鐵跟鎳都沒有。這整個流程看下來就可以知道,整個膜層是很不均勻的,一下鐵多一下鎳多的。 圖十三,上面的漏斗裡裝的是以我們要的比例均勻混合好的鐵及鎳,它會以固定的速度倒入坩堝內(nèi);坩堝事先加熱呈高熱的狀態(tài),因此混合物一倒入之後馬上就會一起蒸發(fā)上去,如此一來,沒有先後之分,就可以鍍出很均勻的膜層。 另外,有一些是直接把材料溶成合金,做成條狀一樣,以固定的速率伸入坩堝使其蒸發(fā)上去,大致意思跟用粉末是一樣的。,圖十三 瞬間蒸發(fā)法,參考資料,Holland,”Vacuum Deposition of Thin Film”, CHAPTER 4 Vac Metal, Catalogue Mark公司的技術(shù)資料 Balzers公司鍍膜材料及Eraportion Sources資料,

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