《核反應(yīng)堆物理分析習(xí)題答案.doc》由會員分享,可在線閱讀,更多相關(guān)《核反應(yīng)堆物理分析習(xí)題答案.doc(12頁珍藏版)》請?jiān)谘b配圖網(wǎng)上搜索。
1、第四章
1.試求邊長為(包括外推距離)的長方體裸堆的幾何曲率和中子通量密度的分布。設(shè)有一邊長(包括外推距離)的長方體裸堆, 。(1)求達(dá)到臨界時(shí)所必須的;(2)如果功率為,求中子通量密度分布。
解:長方體的幾何中心為原點(diǎn)建立坐標(biāo)系,則單群穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散方程為:
邊界條件:
(以下解題過程都不再強(qiáng)調(diào)外推距離,可認(rèn)為所有外邊界尺寸已包含了外推距離)
因?yàn)槿齻€(gè)方向的通量拜年話是相互獨(dú)立的,利用分離變量法:
將方程化為:
設(shè):
想考慮X方向,利用通解:
2、 代入邊界條件:
同理可得:
其中是待定常數(shù)。
其幾何曲率:
(1)應(yīng)用修正單群理論,臨界條件變?yōu)椋?
其中:
(2)只須求出通量表達(dá)式中的常系數(shù)
2.設(shè)一重水—鈾反應(yīng)堆的堆芯。試按單群理論,修正單群理論的臨界方程分別求出該芯部的材料曲率和達(dá)到臨界時(shí)候的總的中子不泄露幾率。個(gè)人收集整理 勿做商業(yè)用途
解:對于單群理論:
在臨界條件下:
(或用)
對于單群修正理論:
在臨界條件下:
3、 (注意:這時(shí)能用,實(shí)際上在維持臨界的前提條件下修正理論不會對不泄露幾率產(chǎn)生影響,但此時(shí)的幾何曲率、幾何尺寸已發(fā)生了變化,不再是之前的系統(tǒng)了。)個(gè)人收集整理 勿做商業(yè)用途
4. 設(shè)有圓柱形鈾-水柵裝置,R=0.50米,水位高度H=1.0米,設(shè)柵格參數(shù)為:k∞=1.19,L2=6.610-4米2,τ=0.5010-2米2。(a)試求該裝置的有效增殖系數(shù)k;(b)當(dāng)該裝置恰好達(dá)臨界時(shí),水位高度H等于多少?(c)設(shè)某壓水堆以該鈾-水柵格作為芯部,堆芯的尺寸為R=1.66米,H=3.50米,若反射層節(jié)省估算為δr=0.07米,δH=0.1米。試求反應(yīng)堆的初始反應(yīng)性ρ以及快中
4、子不泄漏幾率和熱中子不泄漏幾率。個(gè)人收集整理 勿做商業(yè)用途
5.一個(gè)球殼形反應(yīng)堆,內(nèi)半徑為,外半徑為,如果球的內(nèi)、外均為真空,求證單群理論的臨界條件為:
解答:以球心為坐標(biāo)原點(diǎn)建立球坐標(biāo)系,單群穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散方程:
邊界條件:i.
ii.
(如果不包括了外推距離的話,所得結(jié)果將與題意相悖)
球域內(nèi)方程通解:
由條件i可得:
5、
由條件ii可得:
由此可見,,證畢。
7.一由純金屬組成的球形快中子堆,其周圍包以無限厚的純
,試用單群理論計(jì)算其臨界質(zhì)量,單群常數(shù)如下:
。
解:以球心為左邊原點(diǎn)建立球左邊系,對于U-235和U-238分別列單群穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散方程,設(shè)其分界面在半徑為R處:個(gè)人收集整理 勿做商業(yè)用途
方程1
方程2
邊界條件:i. ii.
6、 iii. iv.
令(.在此臨界條件下,既等于材料曲率,也等于幾何曲率),球域內(nèi)方程1通解:
由條件i可知,所以:
球域內(nèi)方程2通解:
由條件iv可知,所以:
由條件ii可得:
由條件iii可得:
所以(由題目已知參數(shù))
即:
代入數(shù)據(jù):
8.試證明有限高半圓形反應(yīng)堆中子通量密度分布和幾何曲率
其中:是的第一個(gè)零點(diǎn),即。
證明:(1)書上圖4-8所示的柱坐標(biāo)系下,單群穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散方程可寫為(臨界條件下,幾何曲率與材料曲率相等):個(gè)人收集整理 勿做商業(yè)用途
7、 邊界條件(不考慮外推距離):i.
II.
III.
(注意,這里不能用線性微分方程解的存在唯一性定理:
如果都是區(qū)間上的連續(xù)函數(shù),則對于任一及任意的方程:
存在唯一解
定義于區(qū)間上,且滿足初值條件
而此擴(kuò)散方程并非線性微分方程。)
8、
對于表達(dá)式:
不難證明其滿足上述全部三個(gè)邊界條件。
(2)將表達(dá)式代入方程,其中,已知如下條件:
可推得:
所以:
所以:
再有:
所以方程為:
可知該表達(dá)式為方程的解。證畢。
(也可如此推出解的形式:分離變量:
方程變形:
設(shè):(為任意實(shí)數(shù)),;
變量替換:
此為階方程,通解為
由邊界條件i可得,n須取使的值,在其中,我們只去基波,即,相應(yīng)的:
9、
相應(yīng)的:
由邊界條件ii可得:
對于z有:
由邊界條件ii可得,
所以:
10.設(shè)有均勻圓柱形裸堆,其材料曲率等于,試求:
(1)使臨界體積為最小的的值;
(2)最小臨界體積V與的關(guān)系。
解:(1)對于均勻圓柱體裸堆,其幾何曲率:
可得,在臨界條件下:
臨界體積:
其取最小值時(shí): ,即:
所以:
(2)由上可得臨界最小體積:
10、 由于臨界條件下:,所以:
11.設(shè)有意純組成的球形快中子臨界裸堆,試用下列單群常數(shù):
計(jì)算其臨界半徑與臨界質(zhì)量。
解:由已知條件可得:
設(shè)臨界半徑為,則臨界條件:,可得:
對于這一實(shí)際問題,需要考慮外推距離:
所以實(shí)際臨界體積為:
臨界質(zhì)量:
12.試求下列等效裸堆內(nèi)熱中子通量密度的最大值與平均值,即熱中子通量密度的不均勻系數(shù):
(1)半徑為的球形堆,反射層節(jié)省為;
11、
(2)半徑為,高度為的圓柱形堆,反射層節(jié)省分別為和;
(3)邊長為的長方形堆,反射層節(jié)省分別為。
解:可利用裸堆的結(jié)論,球:
圓柱:
立方體:
詳細(xì)推導(dǎo):據(jù)97頁4-1裸堆的通解形式可得:
球:
圓柱:
12、
立方體:
16.設(shè)有如圖4-9所示的 一維無限平板反應(yīng)堆。中間區(qū)域()的,厚度為已知,兩側(cè)區(qū)域()的,試用單群理論導(dǎo)出確定臨界尺寸的公式及臨界時(shí)中子通量密度的分布。說明尺寸對臨界尺寸有無影響及其理由。個(gè)人收集整理 勿做商業(yè)用途
解:以平板厚度方向上的幾何中心為原點(diǎn)建立坐標(biāo)系,對兩區(qū)分別建立單群穩(wěn)態(tài)擴(kuò)散方程(由于幾何上的對稱性,對于本體只需考慮一側(cè),如X為正一側(cè)):個(gè)人收集整理 勿做商業(yè)用途
13、 方程1
方程2
邊界條件:i. ii.
由表3-1查得方程1的通解:
其中第二項(xiàng)明顯有悖于對稱性條件,故,同理有:
(由于本體是求解臨界尺寸,默認(rèn)的前提是幾何曲率等于材料曲率,故以下不再
對其進(jìn)行區(qū)別,統(tǒng)一用表示)
有條件ii可得:
整個(gè)系統(tǒng)的臨界條件為:
=中子率/(中子泄漏率+中子吸收率)=1
即:
(注意,此處的泄露僅僅是區(qū)外表面上的泄露,區(qū)之間的凈流動時(shí)通過對通量分布產(chǎn)生影響從而作用于泄漏率的
14、)
可見,臨界尺寸a與b負(fù)相關(guān),從物理上的理解:由于區(qū)增值性質(zhì)弱于區(qū),故存在由區(qū)向區(qū)的凈流動,相當(dāng)于區(qū)的泄露。區(qū)尺寸越小,則這一泄露越弱,此時(shí)的臨界尺a最小。但不要認(rèn)為ab之和為固定常數(shù)!這里用幾何曲率只是考慮基波,求出的a+b相當(dāng)于同一材料曲率下最小的臨界尺寸,而實(shí)際對于任意n平方倍的幾何曲率,臨界條件都可以滿足。個(gè)人收集整理 勿做商業(yè)用途
由條件i可得:
中子通量密度分布為:,
其中由臨界時(shí)的功率條件確定。
17. 設(shè)有高度為(端部無反射層)徑向?yàn)殡p區(qū)的圓柱形反應(yīng)堆,中心為通量密度展平區(qū),要求中子通量密度等于常數(shù),假定單群理論可以適用。試求:個(gè)人收集整理 勿做商業(yè)用途
(1)中心區(qū)的應(yīng)等于多少?
(2)臨界判別式及中子通量密度分布。
解:自己設(shè)定材料有關(guān)參數(shù),以幾何中心為原點(diǎn)建立坐標(biāo)系:
方程1
方程2
由于區(qū)進(jìn)行了通量展平,即為常數(shù),易知,而必須大于1.
邊界條件: i. ; ii.
iii. iv.
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